晶粒尺寸及晶粒尺寸分布

  通常靶材為多晶結(jié)構(gòu)，晶粒大小可由微米到毫米量級(jí)。對(duì)于同一種靶材，晶粒細(xì)小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快；而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。

4..密度

為了減少靶材固體中的氣孔，提高濺射薄膜的性能，通常要求靶材具有較高的密度。靶材的密度不僅影響濺射速率，還影響著薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。此外，提高靶材的密度和強(qiáng)度使靶材能更好地承受濺射過程中的熱應(yīng)力。密度也是靶材的關(guān)鍵性能指標(biāo)之一。 反應(yīng)濺射氣體的濺射效率本來就比惰性氣體的濺射效率低，所以反應(yīng)氣體比例增加后，綜合濺射速率降低。南通碲化鉛靶

什么是真空鍍鋁膜，應(yīng)用在哪些領(lǐng)域？ 真空鍍鋁薄膜是在薄膜基材的表面附著而形成復(fù)合薄膜的一種工藝，我國(guó)鍍鋁膜產(chǎn)能已達(dá)到40萬噸。主要用于風(fēng)味食品、日用品、農(nóng)產(chǎn)品、藥品、化妝品的包裝。 真空鍍鋁薄膜是在高真空條件下，以電阻、高頻或電子束等加熱方式使鋁熔化蒸發(fā)，在薄膜基材的表面附著而形成復(fù)合薄膜的一種工藝。在塑料薄膜或紙張表面鍍上一層極薄的金屬鋁即成為鍍鋁薄膜或鍍鋁紙。 用于包裝上的真空鍍鋁薄膜具有鋁材用量少、耐折疊性高、阻隔性能高、抗靜電等特點(diǎn)，使鍍鋁薄膜成為一種性能優(yōu)良、經(jīng)濟(jì)美觀的新型復(fù)合薄膜，在許多方面已取代了鋁箔復(fù)合材料。主要用于風(fēng)味食品、日用品、農(nóng)產(chǎn)品、藥品、化妝品等的包裝。合肥氮化硅靶價(jià)錢請(qǐng)注意一定要仔細(xì)檢查和明確所使用濺射冷卻壁的平整度，同時(shí)確保O型密封圈始終在位置上。

PECVD制備氫化非晶硅薄膜本實(shí)驗(yàn)采用單晶硅片為襯底，按石英玻璃基片的清洗步驟清洗后烘干，然后置于PECVD系統(tǒng)中。樣品制備條件為襯底溫度250℃，工作氣壓120Pa，射頻功率100W，氣體流量SiH4/H2=15/5sccm，沉積時(shí)間30min，制備得到a-Si：H薄膜樣品。(1)非晶硅薄膜的表面粗糙度會(huì)隨著濺射功率的增大而增大，膜的均勻性將會(huì)變差;(2)非晶硅薄膜的表面粗糙度隨著襯底加熱溫度的增大而減小，非晶硅薄膜均勻性變好;(3)在0.5Pa至2.0Pa范圍內(nèi)，隨著氬氣氣壓的增加非晶硅薄膜的表面粗糙度稍微變大;(4)隨著濺射時(shí)間的增加,膜的厚度成非線性增加，沉積速率開始較快，之后逐漸減慢，膜的表面粗糙度逐漸變大;(5)隨著濺射氣壓的增大，沉積速率有所降低。

高純金屬的純度分析原則：高純金屬材料的純度一般用減量法衡量。減量計(jì)算的雜質(zhì)元素主要是金屬雜質(zhì)，不包括C,O,N,H等間隙元素，但是間隙元素的含量也是重要的衡量指標(biāo)，一般單獨(dú)提出。依應(yīng)用背景的不同，要求進(jìn)行分析的雜質(zhì)元素種類少則十幾種,多則70多種。簡(jiǎn)單的說高純金屬是幾個(gè)N(九)并不能真正的表達(dá)其純度,只有提供雜質(zhì)元素和間隙元素的種類及其含量才能明確表達(dá)高純金屬的純度水平。高純金屬的純度檢測(cè)應(yīng)以實(shí)際應(yīng)用需要作為主要標(biāo)準(zhǔn)，例如目前工業(yè)電解鈷的純度一般接99.99%,而且檢測(cè)的雜質(zhì)元素種類較少。我國(guó)電解鈷的有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(YS/T25522000)要求分析C,S,Mn,Fe,Ni,Cu,As,Pb,Zn,Si,Cd,Mg,P,Al,Sn,Sb,Bi等17個(gè)雜質(zhì)元素,Co9998電解鈷的雜質(zhì)總量不超過0.02，但這仍然不能滿足功能薄膜材料材料的要求[2]。一般情況下，金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高，靶中毒后，靶材表面都是金屬化合物。

靶中毒現(xiàn)象

(1)正離子堆積：靶中毒時(shí)，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達(dá)陰極靶面時(shí)由于絕緣層的阻擋，不能直接進(jìn)入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產(chǎn)生冷場(chǎng)致弧光放電---打弧，使陰極濺射無法進(jìn)行下去。（2）陽(yáng)極消失：靶中毒時(shí)，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達(dá)陽(yáng)極的電子無法進(jìn)入陽(yáng)極，形成陽(yáng)極消失現(xiàn)象。

4、靶中毒的物理解釋

（1）一般情況下，金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高，靶中毒后，靶材表面都是金屬化合物，在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數(shù)量增加，提高了空間的導(dǎo)通能力，降低了等離子體阻抗，導(dǎo)致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間，當(dāng)發(fā)生靶中毒時(shí)，濺射電壓會(huì)***降低。 靶中毒時(shí)，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達(dá)陰極靶面時(shí)由于絕緣層的阻擋，不能直接進(jìn)入陰極靶面。南通碲化鉛靶

純度是靶材的主要性能指標(biāo)之一，因?yàn)榘胁牡募兌葘?duì)薄膜的性能影響很大。南通碲化鉛靶

氣體壓強(qiáng)對(duì)靶濺射電壓的影響   在磁控濺射或反應(yīng)磁控濺射鍍膜的工藝過程中，工作氣體或反應(yīng)氣體壓強(qiáng)對(duì)磁控靶濺射電壓能夠造成一定的影響。   1.工作氣體壓強(qiáng)對(duì)靶濺射電壓的影響   一般的規(guī)律是：在真空設(shè)備環(huán)境條件確定和靶電源的控制面板設(shè)置參數(shù)不變時(shí)，隨著工作氣體(如氬氣)壓強(qiáng)(0.1~10Pa)的逐步增加，氣體放電等離子體的密度也會(huì)同步增加，致使等離子體等效阻抗減小，磁控靶的濺射電流會(huì)逐步上升，濺射工作電壓亦會(huì)同步下降。   2. 反應(yīng)氣體壓強(qiáng)對(duì)靶濺射電壓的影響   在反應(yīng)磁控濺射鍍膜的工藝過程中，在真空設(shè)備環(huán)境條件確定和靶電源的控制面板設(shè)置參數(shù)不變時(shí)，隨著反應(yīng)氣體(如氮?dú)?、氧?壓強(qiáng)(或流量)的逐步增加(一般應(yīng)注意不要超過工藝設(shè)定值的上限值)，隨著磁控靶面和基片(工件)表面逐步被絕緣膜層覆蓋，陰-陽(yáng)極間放電的等效阻抗也會(huì)同步增高，磁控靶的濺射電流會(huì)逐步下降(直至“陰極中毒”和“陽(yáng)極消失”為止)，濺射工作電壓亦會(huì)同步上升。南通碲化鉛靶

江陰典譽(yù)新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國(guó)外的先進(jìn)技術(shù)，并通過與國(guó)內(nèi)外**研發(fā)機(jī)構(gòu)合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢(shì)，生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬，合金，陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過幾年的發(fā)展和技術(shù)積累，已經(jīng)擁有：真空熱壓，冷壓燒結(jié)，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術(shù)。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務(wù)。 江陰典譽(yù)新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽(yáng)能光伏和光熱、電子和半導(dǎo)體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領(lǐng)域。同時(shí)也為國(guó)內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗(yàn)用靶材。 江陰典譽(yù)目前擁有真空熱壓爐兩臺(tái)，冷壓燒結(jié)爐一臺(tái)，真空熔煉設(shè)備兩臺(tái)，等靜壓設(shè)備一臺(tái)，等離子噴涂?jī)商?，綁定平臺(tái)兩套，各類機(jī)加工設(shè)備七臺(tái)，檢驗(yàn)設(shè)備若干，確保出廠的每件產(chǎn)品都能達(dá)到甚至超過客戶的預(yù)期。 江陰典譽(yù)秉承：“一切以客戶的需求為導(dǎo)向，客戶的所有需求一次做好?！钡陌l(fā)展理念。