高速線，一般是SDRAM、及數(shù)字視頻信號的VCLK了，好在其走線背面有地銅層，沒有條件的，至少要有一條較寬的地線“護送”，能包地就更理想了，有的時候需要在靠MCU一端串電阻，消除過沖（過沖對輻射影響很大），不要串得太大，以免引起延遲；還有就是背面不要有平行的線，正面也是；另外就是USB，要走差分線；低速較長的線，也不容忽視，盡可能用RC壓制高頻分量，靠近對外的接口處，要串磁豬,電源進(jìn)線處，串小的共模電感，總而言之，輻射過強是較大的dv/dt，及較大的環(huán)路面積引起，想辦法壓制電壓瞬變，降低信號過沖，縮小信號與電流回流的環(huán)路面積。不同的電源有不同的要求，實際應(yīng)用中還有很多限制的。廣東電氣電力EMI分析整改屏蔽

在晶片電源接腳、I/O接口、重要訊號介面等位置增加旁路電容，有助于濾除積體電路的開關(guān)雜訊。晶片電源接腳增加旁路電容(0.1μF)處理，電容要靠近接腳擺放。訊號線下方的地要完整，要有完整的參考面。訊號電流經(jīng)過一個低阻抗的路徑返還其驅(qū)動源，能夠有效減小輻射，而且由于地層的遮罩作用，使得電路對外輻射的靈敏度也會降低。如果兩個電路的參考電平不一致，就會產(chǎn)生功能問題，如雜訊容限和邏輯開關(guān)門限電平紊亂，這個接地雜訊電壓就會導(dǎo)致地環(huán)路干擾的產(chǎn)生。深圳集成電路EMI分析整改方式EMI 整改：對于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來壓制。

信號端口濾波需要考慮的問題點：l端口傳輸信號不能由于任何原因信號不完整的問題；l普通磁珠，差分濾波器會對差分信號產(chǎn)生衰減，阻抗過大甚至引起差分信號時序錯亂，左右信號不對稱。（共模濾波器可以使差分信號順利通過，而對共模的干擾信號呈較高阻抗）；這是我從LVDS信號線上抓的一個頻譜，區(qū)域的尖峰，在頻譜上一直很穩(wěn)定，一般這種信號是時鐘串?dāng)_到信號線上的信號，必須濾除。其他在頻譜上不斷跳動但是頻域不會變化，這是有用的信號，不能有所破壞。

整改一個二十幾瓦的電源。我就結(jié)合測試的曲線說一下我的整改經(jīng)過吧。先上一個測試不通過的曲線：空間輻射的H方向的曲線這個電源是一個25W左右的開關(guān)電源，電源的電路圖保密原因不方便上傳，但可以跟大家先說明一下，此電路用了一個0。1uF的X電容和一個30mH的共模電感。次級輸出加了一個50uH的工字電感。這個產(chǎn)品發(fā)現(xiàn)MOS管和雙向二極管所帶的散熱片都是沒有接入熱地的。（也就是電源初級邊的電解電容的負(fù)極。變壓器內(nèi)有一層線圈繞制的屏蔽并接入熱地。訊號電流經(jīng)過一個低阻抗的路徑返還其驅(qū)動源，能夠有效減小輻射。

訊號線和接地平面之間存在訊號，輻射可以由訊號走線或者接地平面的中斷所引起，所以要注意訊號走線下方的接地平面是否完整。有效降低電路EMI的技巧：因CMOS電路在時脈轉(zhuǎn)換期間吸收的電流要高出平均流耗10mA的標(biāo)準(zhǔn)，而在時脈轉(zhuǎn)換周期之間的流耗非常低甚至為零，所以輻射限制方法是電壓和電流的峰值，不是平均值。在時脈轉(zhuǎn)換過程中從電源至晶片電源接腳額電流浪涌是一個主要的輻射源，近端位置增加旁路電容，那晶片所需的電流直接由該電容提供，避免了電流浪涌的產(chǎn)生，減少了雜訊。電感或電容耦合通過自由或其組合，開關(guān)電源是對EMI及RFI的產(chǎn)生壞的來源之一。深圳集成電路EMI分析整改方式

較小面積環(huán)路中通過的磁通量也少，感應(yīng)出的電流也較小，因此環(huán)路面積必須小。廣東電氣電力EMI分析整改屏蔽

剛?cè)隕MC坑的很多小伙伴，在面對EMC問題，很多時候應(yīng)該都會覺的無從下手，或者毫無頭緒。至此，為何不反過來從測試得出的數(shù)據(jù)進(jìn)行推測分析，下面就列舉幾個常見的EMI輻射問題分析思路。有規(guī)律的單支信號.有規(guī)律的單支信號，大部分都是時鐘信號。因為時鐘是一個穩(wěn)定的單一頻率信號，所以在頻率上呈現(xiàn)為一根根的單支，且DB也不會太低，大多數(shù)時鐘超標(biāo)的同時，它的倍頻也會呈現(xiàn)相應(yīng)的狀態(tài)。因此，在分析數(shù)據(jù)的時候，只要對比每個單支之間的差數(shù)，基本可以確定問題點。例如：48.15MHZ的時鐘問題！后6號點和5號點的頻率是337.05MHz與385.2MHz[385.2-337.05=48.15],且第11號點為963MHz=48.15MHzX20。廣東電氣電力EMI分析整改屏蔽