產(chǎn)品EMI問題定位與整改：產(chǎn)品由于測(cè)試不能滿足電磁兼容項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)要求導(dǎo)致不能順利通過認(rèn)證，從而影響產(chǎn)品的上市與銷售。在諸多的電磁兼容測(cè)試項(xiàng)目中，不容易解決的是產(chǎn)品傳導(dǎo)發(fā)射（CE）以及輻射發(fā)射（RE）問題。由于對(duì)電磁兼容測(cè)試項(xiàng)目原理不清楚，對(duì)EMI問題的定位思路、解決對(duì)策、以及診斷工具沒有掌握，導(dǎo)致企業(yè)往往花費(fèi)大量的精力以及昂貴的測(cè)試費(fèi)用，還是不能解決產(chǎn)品的問題。為幫助企業(yè)以及研發(fā)人員解決在實(shí)際產(chǎn)品測(cè)試與認(rèn)證過程中遇到問題與困惑，培訓(xùn)通過對(duì)產(chǎn)品傳導(dǎo)發(fā)射（CE）以及輻射發(fā)射（RE）的測(cè)試原理分析，定位思路分析，各種解決對(duì)策講解，同時(shí)結(jié)合各類產(chǎn)品實(shí)際問題解決案例講解，使得參與培訓(xùn)的工程師可以在較短時(shí)間內(nèi)掌握產(chǎn)品傳導(dǎo)發(fā)射以及輻射發(fā)射等EMI問題的解決思路與對(duì)策，快速解決產(chǎn)品的問題，同時(shí)借助一定輔助EMI診斷工具，降低產(chǎn)品在測(cè)試過程中的實(shí)驗(yàn)室定位費(fèi)用，對(duì)企業(yè)縮短產(chǎn)品研發(fā)周期、降低產(chǎn)品研發(fā)與物料成本具有重要意義！接地雜訊電壓就會(huì)導(dǎo)致地環(huán)路干擾的產(chǎn)生。西安芯片EMI分析整改實(shí)驗(yàn)

整改方案，如下：從傳導(dǎo)的曲線上1MHz前超標(biāo)的情況可以看出差模電容X太小了，所以修改了X電容變成0。22uF。而1-5MHz之間也超標(biāo)，所以增加共模電感到50mH，這項(xiàng)頻率超標(biāo)一般主要是有變壓器的漏感造成的。在變壓器的外面增加了一個(gè)屏蔽銅箔，并接入熱地。（同時(shí)做了別外一個(gè)變壓器，去除原變壓器內(nèi)部的屏蔽層，改變了變壓器的繞線方式，在變壓器的外面做了屏蔽并接入熱地用備用）同時(shí)將MOS管和雙向二極管的散熱片也接入熱地。同時(shí)將MOS管的D、S兩腳間增加了一個(gè)101/1KV的電容，做完以上的整改方案后做了一次測(cè)試。鄭州藍(lán)牙耳機(jī)EMI分析整改隔離EMI是指電子產(chǎn)品工作會(huì)對(duì)周邊的其他電子產(chǎn)品造成干擾，與此關(guān)聯(lián)的還有EMC規(guī)范。

我們來分析一下EMI的產(chǎn)生，忽略自然干擾的影響，在電子電路系統(tǒng)中我們主要考慮是電壓瞬變和信號(hào)的回流這兩方面。對(duì)于電磁干擾的分析，可以從電磁能量外泄方面來考慮，如果器件向外泄露的能量越少，我們可以認(rèn)為產(chǎn)生的電磁干擾就比較小。對(duì)于高速的數(shù)字器件來說，產(chǎn)生高頻交流信號(hào)時(shí)的電壓瞬變是產(chǎn)生電磁干擾的一個(gè)主要原因。我們知道，數(shù)字信號(hào)在開關(guān)輸出時(shí)產(chǎn)生的頻譜不是單一的，而是融合了很多高次諧波分量，這些諧波的振幅(即能量)由器件的上升或者下降時(shí)間來決定，信號(hào)上升和下降速率越快，即開關(guān)頻率越高，則產(chǎn)生的能量越多。所以，如果器件在很短的時(shí)間內(nèi)完成很大的電壓瞬變，將會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁輻射，這個(gè)電磁能量的外泄就會(huì)造成電磁干擾問題。

原板上所用變壓器，只在外面增加一個(gè)屏蔽層。測(cè)試可以通過不過余量很小只有1dB。顯然來能保障批量生產(chǎn)可能造成的不確定性。根據(jù)以上的情況做了第二次修改，將變壓器更新成前面提到過的改變了繞線方式的變壓器。用頻譜分析儀重新查看了一產(chǎn)品的變壓器的位置和MOS管的位置。發(fā)現(xiàn)MOS管的位置曲線不是有點(diǎn)高，并且成有規(guī)律的波形。用頻譜分別對(duì)MOS管的G、D、S三個(gè)腳接觸看一下是哪個(gè)腳是輻射源，發(fā)現(xiàn)D極的輻射源大。于是我在D極上串了一個(gè)通用的插件磁珠。電感或電容耦合通過自由或其組合，開關(guān)電源是對(duì)EMI及RFI的產(chǎn)生壞的來源之一。

在晶片電源接腳、I/O接口、重要訊號(hào)介面等位置增加旁路電容，有助于濾除積體電路的開關(guān)雜訊。晶片電源接腳增加旁路電容(0.1μF)處理，電容要靠近接腳擺放。訊號(hào)線下方的地要完整，要有完整的參考面。訊號(hào)電流經(jīng)過一個(gè)低阻抗的路徑返還其驅(qū)動(dòng)源，能夠有效減小輻射，而且由于地層的遮罩作用，使得電路對(duì)外輻射的靈敏度也會(huì)降低。如果兩個(gè)電路的參考電平不一致，就會(huì)產(chǎn)生功能問題，如雜訊容限和邏輯開關(guān)門限電平紊亂，這個(gè)接地雜訊電壓就會(huì)導(dǎo)致地環(huán)路干擾的產(chǎn)生。信號(hào)接收端比較兩個(gè)電壓的差值來判斷發(fā)送端發(fā)送的邏輯狀態(tài)。鄭州藍(lán)牙耳機(jī)EMI分析整改方法

在信號(hào)處理中，濾波器的使用是常見的信號(hào)處理方式之一。西安芯片EMI分析整改實(shí)驗(yàn)

遮罩是好的解決EMI問題的有效方法。輻射源遮罩能夠極大限度的解決EMI問題。在干擾源和干擾物件之間插入一金屬遮罩物，以阻擋干擾的傳播，可以做好預(yù)留設(shè)計(jì)。電源DC-DC晶片的VIN接腳，合理配置電容，減少輸入電源的EMI；在輸出端合理配置電感或鐵氧體磁珠，這樣電路動(dòng)態(tài)功率將從近端的電容獲取，而不是從遠(yuǎn)端的電源獲取，降低了雜訊干擾。另外，電源平面和地平面盡量完整。EMI又稱電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或電磁場(chǎng)伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會(huì)降低某個(gè)裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的性能，或可能對(duì)生物或物質(zhì)產(chǎn)生不良影響之電磁現(xiàn)象?；蛘f電子設(shè)備都會(huì)產(chǎn)生傳導(dǎo)性電磁噪聲干擾，就像傳染病般地透過電源線傳導(dǎo)電磁干擾也是變頻器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的一個(gè)主要問題。西安芯片EMI分析整改實(shí)驗(yàn)

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