對高頻信號回流的理解不能有一個(gè)思維定勢，認(rèn)為回流必須完全存在于信號走線正下方的參考平面上。事實(shí)上，信號回流的途徑是多方面的：參考平面，相鄰的走線，介質(zhì)，甚至空氣都可能成為它選擇的通道，究竟哪個(gè)占主要地位歸根結(jié)底看它們和信號走線的耦合程度，耦合強(qiáng)的將為信號提供主要的回流途徑。比如在多層PCB設(shè)計(jì)中，參考平面離信號層很近，耦合了絕大部分的電磁場，99%以上的信號能量將集中在近的參考平面回流，由于信號和地回流之間的環(huán)路面積很小，所以產(chǎn)生的EMI也很低。如果兩個(gè)電路的參考電平不一致，就會產(chǎn)生功能問題，如雜訊容限和邏輯開關(guān)門限電平紊亂。北京充電樁EMI分析整改設(shè)備

有效降低電路EMI的技巧：當(dāng)存在一個(gè)磁場時(shí)，一個(gè)由導(dǎo)電材料形成的環(huán)路充當(dāng)了天線，并且把磁場轉(zhuǎn)換為圍繞環(huán)路流動(dòng)的電流。電流的強(qiáng)度與閉合環(huán)路的面積成正比。較小面積環(huán)路中通過的磁通量也少，感應(yīng)出的電流也較小，因此環(huán)路面積必須小。保持訊號路徑和它的地返回線緊靠在一起將有助于小化地線環(huán)路，避免出現(xiàn)潛在的天線環(huán)。每根訊號好能做到與地的回流路徑短，回路面積越小，訊號的抗干擾能力越強(qiáng)，對外的EMI也達(dá)小。敏感訊號用地包住，這樣包地即提供了訊號短回流路徑，也能消除與其他相鄰訊號的干擾。例如時(shí)脈訊號、高頻訊號等，在PCB設(shè)計(jì)時(shí)進(jìn)行包地處理，并打些地孔，可有效降低EMI。成都集成電路EMI分析整改原理EMI 整改：對于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整 X 電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量。

整改一個(gè)二十幾瓦的電源。我就結(jié)合測試的曲線說一下我的整改經(jīng)過吧。先上一個(gè)測試不通過的曲線：空間輻射的H方向的曲線這個(gè)電源是一個(gè)25W左右的開關(guān)電源，電源的電路圖保密原因不方便上傳，但可以跟大家先說明一下，此電路用了一個(gè)0。1uF的X電容和一個(gè)30mH的共模電感。次級輸出加了一個(gè)50uH的工字電感。這個(gè)產(chǎn)品發(fā)現(xiàn)MOS管和雙向二極管所帶的散熱片都是沒有接入熱地的。（也就是電源初級邊的電解電容的負(fù)極。變壓器內(nèi)有一層線圈繞制的屏蔽并接入熱地。

有效降低電路EMI的技巧：出現(xiàn)在板級連接的場合。如智慧機(jī)上盒(STB)產(chǎn)品，在STB主機(jī)板和EOC主機(jī)板或者Wi-Fi模組連接時(shí)，會在GND鏈路形成一個(gè)板級環(huán)路，可以在GND中間串接一個(gè)電感或者鐵氧體磁珠進(jìn)行隔離。透過雙絞線電纜傳輸訊號時(shí)，每對差分發(fā)射/接收都形成一個(gè)環(huán)路，因雙絞線緊密耦合，對于鏈路的電纜部分而言環(huán)路面積很小。需要保持緊密耦合，減少環(huán)路面積。訊號線和接地平面之間存在訊號，輻射可以由訊號走線或者接地平面的中斷所引起，所以要注意訊號走線下方的接地平面是否完整。EMC包括EMI和EMS,也就是電磁干擾和電磁抗干擾。

分析信號回流對EMI的影響，可以看到：信號和回流外部區(qū)域，由于磁場的極性相反，可以相互抵消，而中間部分是加強(qiáng)的，這也是對外輻射的主要來源。很明顯，我們只要縮短信號和回流之間的距離，就可以更好的抵消的電磁場，同時(shí)也能降低中間加強(qiáng)部分的面積，很大壓制EMI。但如果由于相鄰的參考平面上存在縫隙等非理想因素，這就導(dǎo)致了回流的面積增大，低電感的耦合作用減弱，將會有更多的回流通過其它途徑或者直接釋放到空中，這就會導(dǎo)致EMI的很大增加。電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或電磁場伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會降低某個(gè)裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的性能。浙江多媒體EMI分析整改報(bào)告

許多國家，對任何系統(tǒng)可能散發(fā)的電磁干擾有嚴(yán)格的限制。北京充電樁EMI分析整改設(shè)備

從我做EMC的整改經(jīng)驗(yàn)來看我不能認(rèn)同這些朋友的意見。對于EMI實(shí)際測試，整改，有經(jīng)驗(yàn)都可以拿來大家分享，先不管理論對不對，實(shí)際結(jié)果是怎樣就怎樣，繼續(xù)分享我的經(jīng)驗(yàn)如下：+12V田字體輸出線材上繞CoRe（常用規(guī)格為KN-RN250080），對輻射60MHz-70MHz，有改善.在次級整流管上串磁珠（常用規(guī)格為MD-353015，MD-353012），對輻射45MHz75MHz，120MHz-200MHz均有改善.一次側(cè)地對二次側(cè)地跨CY電容（容量范圍470PF-4700PF），此電容好是放在跨主變壓器兩地之間，對輻射30MHz-60MHz，有改善。北京充電樁EMI分析整改設(shè)備

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