在PID預(yù)防及恢復(fù)的實際應(yīng)用場合中，晶體硅光伏組件的PID現(xiàn)象已經(jīng)被觀察到，基于其電池結(jié)構(gòu)和其他構(gòu)成組件的材料以及設(shè)計形式的不同，PID現(xiàn)象可能是在其電路與金屬接地邊框成正向電壓偏置的條件下發(fā)生，也可能是成反向偏置的條件下發(fā)生。光伏組件在實際的應(yīng)用條件下，早晨太陽初升后的一段時間內(nèi)，是PID效應(yīng)相對強烈的時段，其原因是晶體硅光伏組件在經(jīng)歷了一個不發(fā)電的夜晚以后，由于晝夜溫差，空氣中的水蒸氣會冷凝在其表面會有凝露現(xiàn)象發(fā)生（特別是夏、秋季節(jié)的露水），會造成光伏系統(tǒng)在早晨太陽初升后的一段時間內(nèi)，在其表面較為潮濕的情況下，承受前面提及的系統(tǒng)偏置電壓。在PID預(yù)防及恢復(fù)裝置中，開關(guān)電源的輸出端負極接大地。上海antipidPID預(yù)防及恢復(fù)PV Booster

在PID預(yù)防及恢復(fù)中，PID效應(yīng)顧名思義就應(yīng)該和電壓有關(guān)。經(jīng)研究表明，導(dǎo)致組件PID的漏電流會隨著系統(tǒng)電壓的增加而增大，因而PID的風(fēng)險也就越大。選取相同批次、相同材料的3塊組件（X、Y、Z），組件玻璃面無銅箔覆蓋，組件在60℃/85%RH環(huán)境中分別施加500V、1000V、1500V的偏壓1.5小時后測試組件功率，在500V和1000V負偏壓下未發(fā)生PID效應(yīng)的組件，其同款在1500V負偏壓下產(chǎn)生了PID效應(yīng)。如果進一步分析每塊組件的漏電流可以發(fā)現(xiàn)，1500V系統(tǒng)電壓下的漏電流較大，其次是1000V，再次是500V，從根本上來說，電池片發(fā)生PID是由于漏電流造成的電池片極化效應(yīng)，漏電流越大，極化的影響也就越大。沒有銅箔覆蓋時，漏電流從電池片到封裝膠膜，到玻璃表面，再通過玻璃表面到達鋁邊框，然后通過鋁邊框的接地孔流出。光伏組件PID預(yù)防及恢復(fù)可靠性在PID預(yù)防及恢復(fù)中，ANTIPID可將電壓加到PV-和大地之間。

為了做好PID預(yù)防及恢復(fù)，就要清楚影響光伏電站輸出功率因素，包括太陽輻射量，電池組件的傾斜角度，灰塵和陰影阻擋，組件的溫度特性等。因系統(tǒng)配置安裝不當造成系統(tǒng)功率偏小。另外，在夏季要記得時常記得維護電站，給電站降降溫擦擦土。只有認真的維護，光伏電站才會經(jīng)久耐用，源源不斷的提供清潔的電流。組串功率優(yōu)化器（S-MPPT）產(chǎn)品是用于電池串較大功率點跟蹤（MPPT）的設(shè)備，可安裝在電池串與逆變器之間。一方面，可調(diào)整電池串電壓和電流，使電池串在較大功率點工作，另一方面，控制輸出端的電壓在同一水平，消除不同電池串電壓失配的影響，提升太陽能電廠的發(fā)電量。

在PID預(yù)防及恢復(fù)中，電源部分中的一個模塊是400-1000V可調(diào)直流升壓電源電路，該部分的電壓輸出模式、時間、大小受控制單元控制，它為光伏組件提供400V-1000V直流偏壓。雖然目前國內(nèi)外的電池組件生產(chǎn)廠家、科研機構(gòu)、各大光伏實驗室和測試機構(gòu)都沒與找出造成PID效應(yīng)的真正原因。但是，要想徹底解決PID效應(yīng)，業(yè)內(nèi)公認的研究方向是EVA、玻璃、背板材料、封裝材料的重新組合。光伏組件PID測試是指在高溫高濕環(huán)境下（85°C和85%RH）給組件內(nèi)部帶電體與邊框之間施加等于組件較大系統(tǒng)額定電壓（±1000V或±1500V）的電壓偏差，當內(nèi)部光伏電路相對于地面為負偏壓時，框架和電池之間的電壓可導(dǎo)致玻璃中的鈉離子向電池表面漂移，電池表面通常具有氮化硅（SiN）抗反射涂層，如果這個涂層上的縫隙足夠大，允許鈉離子進入電池或電荷流向玻璃，形成的漏電流就會通過邊框或安裝支架流入大地，從而出現(xiàn)PID效應(yīng)。在PID預(yù)防及恢復(fù)中，PID測試有兩種加速老化的方式。

在PID預(yù)防及恢復(fù)中，漏電流對于PID效應(yīng)的驗證，由于銅箔的存在，玻璃表面的絕緣性能被銅箔破壞，覆蓋到銅箔的玻璃區(qū)域，漏電流直接通過銅箔到達鋁邊框并流出，相當于該區(qū)域的玻璃（或該區(qū)域玻璃下面的電池片）被短路了，漏電流因而較大增加，造成了電池片的PID效應(yīng)。不管是不是漏電流，所有電流的大小都與該回路的電壓、電阻有關(guān)：電壓越大，漏電流越大；電阻越大，漏電流越小。因此，除了增加系統(tǒng)電壓（從500V到1000V再到1500V）會增加漏電流外，回路上的電阻也會影響漏電流的大小。影響回路電阻的因素包括封裝材料的體積電阻、玻璃的Na+離子含量、環(huán)境濕度、玻璃表面電阻、邊框密封膠的電阻、鋁邊框的體積電阻和表面電阻等。在PID預(yù)防及恢復(fù)中，隨著微逆變器的使用，系統(tǒng)電壓降低，產(chǎn)生的PID效應(yīng)也許可以忽略不計。質(zhì)衛(wèi)PID預(yù)防及恢復(fù)解決方案

從組件側(cè)考慮進行PID預(yù)防及恢復(fù)處理，可以采用非Na、Ca玻璃提高玻璃的體電阻。上海antipidPID預(yù)防及恢復(fù)PV Booster

對于PID預(yù)防及恢復(fù)，可以從三個方面進行預(yù)防，分別是系統(tǒng)、組件和電池。可以采用串聯(lián)組件的負極接地或是在晚間對組件和大地之間施加正電壓。另一個可能的情況是，隨著微逆變器的使用，系統(tǒng)電壓降低，產(chǎn)生的PID效應(yīng)也許可以忽略不計。由于濕度是PID現(xiàn)象產(chǎn)生的因素之一，所以封裝的方式也非常關(guān)鍵。優(yōu)化EVA生產(chǎn)工藝、篩選原料和優(yōu)化原料的配比，可以提高EVA膠膜對組件抗PID的效果。電池本身毋庸置疑是比較重要的抵抗PID的關(guān)鍵因素，可以考慮改變發(fā)射極和SiN減反層，但兩個改進都帶來發(fā)電效率的變化和額外設(shè)備的增加。上海antipidPID預(yù)防及恢復(fù)PV Booster

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