半導體集成電路
? 應用場景:
? 晶圓制造:正性膠為主(如ArF/EUV膠),實現(xiàn)20nm以下線寬,用于晶體管柵極、接觸孔等精細結(jié)構(gòu);
? 封裝工藝:負性膠用于凸點(Bump)制造,厚膠(5-50μm)耐電鍍?nèi)芤焊g。
? 關(guān)鍵要求:高分辨率、低缺陷率、耐極端工藝(如150℃以上高溫、等離子體轟擊)。
印刷電路板(PCB)
? 應用場景:
? 線路成像:負性膠(如環(huán)化橡膠膠)用于雙面板/多層板外層線路,線寬≥50μm,耐堿性蝕刻液(如氯化銅);
? 阻焊層:厚負性膠(50-100μm)覆蓋非焊盤區(qū)域,耐260℃焊接溫度和助焊劑腐蝕;
? 撓性PCB(FPC):正性膠用于精細線路(線寬≤20μm),需耐彎曲應力。
? 優(yōu)勢:工藝簡單、成本低,適合大面積基板(如1.2m×1.0m的PCB基板)。
平板顯示
? 應用場景:
? 彩色濾光片:正性膠制作黑矩陣(BM)和RGB色阻間隔層,耐UV固化和濕法蝕刻(如HF溶液);
? OLED像素定義:負性膠形成像素開口(孔徑5-50μm),耐有機溶劑(如OLED蒸鍍前的清洗液);
? 觸控面板:正性膠制作透明電極(如ITO線路),線寬≤10μm,需透光率>90%。
? 關(guān)鍵參數(shù):高透光性、低收縮率(避免圖案變形)。
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國家戰(zhàn)略支持
《國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期規(guī)劃》將光刻膠列為重點投資領(lǐng)域,計劃投入超500億元支持研發(fā)。工信部對通過驗證的企業(yè)給予稅收減免和設(shè)備采購補貼,單家企業(yè)比較高補貼可達研發(fā)投入的30%。
地方產(chǎn)業(yè)協(xié)同
濟南設(shè)立寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)專項基金,深圳國際半導體光刻膠產(chǎn)業(yè)展覽會(2025年4月)吸引全球300余家企業(yè)參展,推動技術(shù)交流。
資本助力產(chǎn)能擴張
恒坤新材通過科創(chuàng)板IPO募資15億元,擴大KrF光刻膠產(chǎn)能并布局集成電路前驅(qū)體項目。彤程新材半導體光刻膠業(yè)務(wù)2024年上半年營收增長54.43%,ArF光刻膠開始形成銷售。
天津3微米光刻膠納米級圖案化的主要工具。
全品類覆蓋與定制化能力
吉田半導體的光刻膠產(chǎn)品覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠等全品類,適用于半導體、顯示面板、MEMS等多個領(lǐng)域。例如,其LCD正性光刻膠YK-200和水油光刻膠JT-2001可滿足0.45μm及以上線寬需求,支持客戶定制化工藝參數(shù),尤其在柔性顯示(OLED)和Mini/Micro LED等新興領(lǐng)域表現(xiàn)突出。
技術(shù)亮點:通過自主研發(fā)的樹脂配方和光敏劑體系,實現(xiàn)了高分辨率(120nm)和高抗蝕性的平衡,部分指標(如線寬粗糙度LWR<3nm)接近國際主流產(chǎn)品水平。
國產(chǎn)化材料與工藝適配
公司采用進口原材料+本地化生產(chǎn)模式,關(guān)鍵樹脂單體、光敏劑等主要成分通過德國默克、日本信越等供應商采購,同時建立了超純提純工藝(雜質(zhì)含量<1ppm),確保產(chǎn)品穩(wěn)定性。此外,其光刻膠與國內(nèi)主流光刻機(如上海微電子SSA800)、勻膠顯影機(如盛美上海)的兼容性已通過驗證,縮短客戶工藝調(diào)試周期。
人才與生態(tài):跨學科團隊的“青黃不接”
前段人才的結(jié)構(gòu)性短缺
光刻膠研發(fā)需材料化學、半導體工藝、分析檢測等多領(lǐng)域。國內(nèi)高校相關(guān)專業(yè)畢業(yè)生30%進入光刻膠行業(yè),且缺乏具有10年以上經(jīng)驗的工程師。日本企業(yè)通過“技術(shù)導師制”培養(yǎng)人才,而國內(nèi)企業(yè)多依賴“挖角”,導致技術(shù)傳承斷裂。
產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同的“孤島效應”
光刻膠研發(fā)需與晶圓廠、設(shè)備商、檢測機構(gòu)深度協(xié)同。國內(nèi)企業(yè)因信息不對稱,常出現(xiàn)“材料性能與工藝需求不匹配”問題。例如,某國產(chǎn)KrF光刻膠因未考慮客戶產(chǎn)線的顯影液參數(shù),導致良率損失20%。
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憑借綠色產(chǎn)品與可持續(xù)生產(chǎn)模式,吉田半導體的材料遠銷全球,并與多家跨國企業(yè)建立長期合作。其環(huán)保焊片與靶材被廣泛應用于光伏、儲能等清潔能源領(lǐng)域,助力客戶實現(xiàn)產(chǎn)品全生命周期的環(huán)境友好。公司通過導入國際標準認證(如 ISO14001 環(huán)境管理體系),進一步強化了在環(huán)保領(lǐng)域的競爭力。
未來,廣東吉田半導體材料有限公司將繼續(xù)以技術(shù)創(chuàng)新為驅(qū)動,深化綠色制造戰(zhàn)略,為半導體產(chǎn)業(yè)的低碳化、可持續(xù)發(fā)展貢獻力量。以品質(zhì)為依托,深化全球化布局,為半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入持續(xù)動力。
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工藝流程
? 目的:去除基板表面油污、顆粒,增強感光膠附著力。
? 方法:
? 化學清洗(硫酸/雙氧水、去離子水);
? 表面處理(硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化,PCB基板用粗化處理)。
涂布(Coating)
? 方式:
? 旋涂:半導體/顯示領(lǐng)域,厚度控制精確(納米至微米級),轉(zhuǎn)速500-5000rpm;
? 噴涂/輥涂:PCB/MEMS領(lǐng)域,適合大面積或厚膠(微米至百微米級,如負性膠可達100μm)。
? 關(guān)鍵參數(shù):膠液黏度、涂布速度、基板溫度(影響厚度均勻性)。
前烘(Soft Bake)
? 目的:揮發(fā)溶劑,固化膠膜,增強附著力和穩(wěn)定性。
? 條件:
? 溫度:60-120℃(正性膠通常更低,如90℃;負性膠可至100℃以上);
? 時間:5-30分鐘(根據(jù)膠厚調(diào)整,厚膠需更長時間)。
曝光(Exposure)
? 光源:
? 紫外光(UV):G線(436nm)、I線(365nm)用于傳統(tǒng)光刻(分辨率≥1μm);
? 深紫外(DUV):248nm(KrF)、193nm(ArF)用于半導體先進制程(分辨率至20nm);
? 極紫外(EUV):13.5nm,用于7nm以下制程(只能正性膠適用)。
? 曝光方式:
? 接觸式/接近式:掩膜版與膠膜直接接觸(PCB、MEMS,低成本但精度低);
? 投影式:通過物鏡聚焦(半導體,分辨率高,如ArF光刻機精度達22nm)。
內(nèi)蒙古高溫光刻膠生產(chǎn)廠家
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