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上海LCD光刻膠價格

來源: 發(fā)布時間:2025-06-01

以 15% 年研發(fā)投入為驅(qū)動,吉田半導體加速 EUV 光刻膠與木基材料研發(fā),搶占行業(yè)制高點。布局下一代光刻技術(shù)。
面對極紫外光刻技術(shù)挑戰(zhàn),吉田半導體與中科院合作開發(fā)化學放大型 EUV 光刻膠,在感光效率(<10mJ/cm2)和耐蝕性(>80%)指標上取得階段性進展。同時,公司前瞻性布局木基光刻膠研發(fā),對標日本王子控股技術(shù),探索生物基材料在半導體封裝中的應用。這些技術(shù)儲備為 7nm 及以下制程提供支撐,助力中國在下一代光刻技術(shù)中占據(jù)重要地位。松山湖半導體材料廠家吉田,全系列產(chǎn)品支持小批量試產(chǎn)!上海LCD光刻膠價格

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廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,各有特性與優(yōu)勢,適用于不同領(lǐng)域。

厚板光刻膠 JT - 3001:具有優(yōu)異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好。符合歐盟 ROHS 標準,保質(zhì)期 1 年,適用于對光刻精度和抗蝕刻要求較高的厚板加工場景,如一些特殊的電路板制造。

SU - 3 負性光刻膠:分辨率優(yōu)異,對比度良好,曝光靈敏度高,光源適應。重量為 100g,常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領(lǐng)域。

液晶平板顯示器負性光刻膠 JT - 1000:有 1L 和 100g 兩種規(guī)格,具有優(yōu)異的分辨率,準確性和穩(wěn)定性好。主要應用于液晶平板顯示器的制造,能滿足其對光刻膠高精度和穩(wěn)定性的需求。

JT - 2000 UV 納米壓印光刻膠:耐強酸強堿,耐高溫達 250°C,長期可靠性高,粘接強度高。重量 100g,適用于需要在特殊化學和高溫環(huán)境下進行納米壓印光刻的工藝,如一些半導體器件的制造。 山西油性光刻膠感光膠吉田半導體材料的綠色環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展。

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LCD顯示

? 彩色濾光片(CF):

? 黑色矩陣(BM)光刻膠:隔離像素,線寬精度±2μm,透光率<0.1%。

? RGB色阻光刻膠:形成紅/綠/藍像素,需高色純度(NTSC≥95%)和耐光性。

? 陣列基板(Array):

? 柵極絕緣層光刻膠:用于TFT-LCD的柵極圖案化,分辨率≤3μm。

 OLED顯示(柔性/剛性)

? 像素定義層(PDL)光刻膠:在基板上形成有機發(fā)光材料的 confinement 結(jié)構(gòu),線寬精度±1μm,需耐溶劑侵蝕(適應蒸鍍工藝)。

? 觸控電極(如ITO/PET):通過光刻膠圖形化實現(xiàn)透明導電線路,線寬≤5μm。

 Mini/Micro LED

? 巨量轉(zhuǎn)移前的芯片制備:使用高分辨率光刻膠(分辨率≤5μm)定義微米級LED陣列,良率要求>99.99%。

作為東莞松山湖的企業(yè),吉田半導體深耕光刻膠領(lǐng)域 23 年,成功研發(fā)出 YK-300 半導體正性光刻膠與 JT-2000 納米壓印光刻膠。YK-300 適用于 45nm 及以上制程,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,良率達 98% 以上,已通過中芯國際等晶圓廠驗證;JT-2000 突破耐高溫極限,在 250℃復雜環(huán)境下仍保持圖形穩(wěn)定性,適用于 EUV 光刻前道工藝。依托進口原材料與全自動化生產(chǎn)工藝,產(chǎn)品通過 ISO9001 認證及歐盟 RoHS 標準,遠銷全球并與跨國企業(yè)建立長期合作,加速國產(chǎn)替代進程。LCD 光刻膠供應商哪家好?吉田半導體高分辨率 +低 VOC 配方!

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納米電子器件制造

? 半導體芯片:在22nm以下制程中,EUV光刻膠(分辨率≤10nm)用于制備晶體管柵極、納米導線等關(guān)鍵結(jié)構(gòu),實現(xiàn)芯片集成度提升(如3nm制程的FinFET/GAA晶體管)。

? 二維材料器件:在石墨烯、二硫化鉬等二維材料表面,通過電子束光刻膠定義納米電極陣列,構(gòu)建單原子層晶體管或傳感器。

 納米光子學與超材料

? 光子晶體與波導:利用光刻膠制備亞波長周期結(jié)構(gòu)(如光子晶體光纖、納米級波導彎頭),調(diào)控光的傳播路徑,用于集成光路或量子光學器件。

? 超材料設(shè)計:在金屬/介質(zhì)基底上刻蝕納米級“魚網(wǎng)狀”“蝴蝶結(jié)”等圖案(如太赫茲超材料),實現(xiàn)對電磁波的超常調(diào)控(吸收、偏振轉(zhuǎn)換)。
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吉田公司以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝打造光刻膠。上海LCD光刻膠價格

關(guān)鍵工藝流程

 涂布:

? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠,厚度控制在0.1-5μm(依制程精度調(diào)整),需均勻無氣泡(旋涂轉(zhuǎn)速500-5000rpm)。

 前烘(Soft Bake):

? 加熱(80-120℃)去除溶劑,固化膠膜,增強附著力(避免顯影時邊緣剝離)。

 曝光:

? 光源匹配:

? G/I線膠:汞燈(適用于≥1μm線寬,如PCB、LCD)。

? DUV膠(248nm/193nm):KrF/ArF準分子激光(用于28nm-14nm制程,如存儲芯片)。

? EUV膠(13.5nm):極紫外光源(用于7nm以下制程,需控制納米級缺陷)。

? 曝光能量:需精確控制(如ArF膠約50mJ/cm2),避免過曝或欠曝導致圖案失真。

 顯影:

? 采用堿性溶液(如0.262N四甲基氫氧化銨,TMAH),曝光區(qū)域膠膜溶解,未曝光區(qū)域保留,形成三維立體圖案。

 后烘(Post-Exposure Bake, PEB):

? 化學增幅型膠需此步驟,通過加熱(90-130℃)激發(fā)光酸催化反應,提高分辨率和耐蝕刻性。
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標簽: 光刻膠 錫片