相干光通信系統(tǒng)的基本結構如下圖所示。在發(fā)送端，采用外調(diào)制方式將信號調(diào)制到光載波上進行傳輸。當信號光傳輸?shù)竭_接收端時，首先與一本振光信號進行相干耦合，然后由平衡接收機進行探測。相干光通信根據(jù)本振光頻率與信號光頻率不等或相等，可分為外差檢測和零差檢測。前者光信號經(jīng)光電轉(zhuǎn)換后獲得的是中頻信號，還需二次解調(diào)才能被轉(zhuǎn)換成基帶信號。后者光信號經(jīng)光電轉(zhuǎn)換后被直接轉(zhuǎn)換成基帶信號，不用二次解調(diào)，但它要求本振光頻率與信號光頻率嚴格匹配，并且要求本振光與信號光的相位鎖定。光子型探測器是有選擇性響應波長的探測器件。低失真光電探測器交易價格

相干光通信的理論和實驗始于80年代。由于相干光通信系統(tǒng)被公認為具有靈敏度高的優(yōu)勢，各國在相干光傳輸技術上做了大量研究工作。經(jīng)過十年的研究，相干光通信進入實用階段。英美日等國相繼進行了一系列相干光通信實驗。AT&T及Bell公司于1989和1990年在賓州的羅靈—克里克地面站與森伯里樞紐站間先后進行了1.3μm和1.55μm波長的1.7Gbit/sFSK現(xiàn)場無中繼相干傳輸實驗，相距35公里，接收靈敏度達到-41.5dBm。NTT公司于1990年在瀨戶內(nèi)陸海的大分—尹予和吳站之間進行了2.5Gbit/sCPFSK相干傳輸實驗，總長431公里。直到19世紀80年代末，EDFA和WDM技術的發(fā)展，使得相干光通信技術的發(fā)展緩慢下來。在這段時期，靈敏度和每個通道的信息容量已經(jīng)不再備受關注。然而，直接檢測的WDM系統(tǒng)經(jīng)過二十年的發(fā)展和廣泛應用后，新的征兆開始出現(xiàn)，標志著相干光傳輸技術的應用將再次受到重視。在數(shù)字通信方面，擴大C波段放大器的容量，克服光纖色散效應的惡化，以及增加自由空間傳輸?shù)娜萘亢头秶殉蔀橹匾目紤]因素。在模擬通信方面，靈敏度和動態(tài)范圍成為系統(tǒng)的關鍵參數(shù)，而他們都能通過相關光通信技術得到很大改善。深圳高靈敏度光電探測器訂制價格光電探測器能把光信號轉(zhuǎn)換為電信號。

光電探測器的基本工作機理包括三個過程：(1)光生載流子在光照下產(chǎn)生;(2)載流子擴散或漂移形成電流;(3)光電流在放大電路中放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號。當探測器表面有光照射時，如果材料禁帶寬度小于入射光光子的能量即Eg<hv，則價帶電子可以躍遷到導帶形成光電流。當光在半導體中傳輸時，光波的能量隨著傳播會逐漸衰減，其原因是光子在半導體中產(chǎn)生了吸收。半導體對光子的吸收主要的吸收為本征吸收，本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷。通過測試半導體的本征吸收光譜除了可以得到半導體的禁帶寬度等信息外，還可以用來分辨直接帶隙半導體和間接帶隙半導體。本征吸收導致材料的吸收系數(shù)通常比較高，由于半導體的能帶結構所以半導體具有連續(xù)的吸收譜。從吸收譜可以看出，當本征吸收開始時，半導體的吸收譜有一明顯的吸收邊。但是對于硅材料，由于其是間接帶隙材料，與三五族材料相比躍遷幾率較低，因而只有非常小的吸收系數(shù)，同時導致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。

光電探測器的原理是由輻射引起被照射材料電導率發(fā)生改變。光電探測器在國民經(jīng)濟的各個領域有較廣的用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測、工業(yè)自動控制、光度計量等；在紅外波段主要用于導彈制導、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導體的另一應用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴散引起圖像模糊，連續(xù)薄膜靶面都用高阻多晶材料，如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個靶面由約10萬個單獨探測器組成。光電探測器的電路模型中包含的電阻為其熱噪聲的主要來源。

光電探測器在光通信系統(tǒng)中實現(xiàn)將光轉(zhuǎn)變成電的作用，這主要是基于半導體材料的光生伏特的效應，所謂的光生伏特X應是指光照使不均勻半導體或半導體與金屬結合的不同部位之間產(chǎn)生電位差的現(xiàn)象。(光電導效應是指在光線作用下，電子吸收光子能量從鍵合狀態(tài)過度到自由狀態(tài)，而引起材料電導率的變化的象。即當光照射到光電導體上時，若這個光電導體為本征半導體材料，且光輻射能量又足夠強，光電材料價帶上的電子將被激發(fā)到導帶上去，使光導體的電導率變大是指由輻射引起被照射材料電導率改變的一種物理現(xiàn)象，光子作用于光電導材料，形成本征吸收或雜質(zhì)吸收，產(chǎn)生附加的光生載流子，從而使半導體的電導率發(fā)生變化，產(chǎn)生光電導效應。)APD雪崩二極管在很多地方使用于雷達、通信、遙控、遙測、儀器儀表中。低失真光電探測器交易價格

當光線照在物體上，使物體的電導率發(fā)生變化，或產(chǎn)生光生電動勢的現(xiàn)象叫內(nèi)光電效應。低失真光電探測器交易價格

光子型探測器是有選擇性響應波長的探測器件。只有當入射光子能量大于光敏材料中的電子激發(fā)能E時，光子型探測器才有響應。對于外光電效應器件，如光電管和光電倍增管，E等于電子逸出光電陰極時所要作的功，此數(shù)值一般略大于1電子伏。因此，這類探測器只能用于探測近紅外輻射或可見光。對于內(nèi)光電效應器件，如光伏型探測器和本征光導型探測器，E等于半導體的禁帶寬度；對于非本征光導型探測器，E等于雜質(zhì)電離能。由于禁帶寬度和雜質(zhì)電離能這兩個參數(shù)都有較大的選擇余地，因此，半導體光子型探測器的響應波長可以在較大范圍內(nèi)進行調(diào)節(jié)。例如，用本征鍺做成的光導型探測器，對近紅外輻射敏感；而用摻雜質(zhì)的鍺做成的光導型探測器，既能對中紅外輻射敏感（如鍺摻汞探測器），也能對遠紅外輻射敏感（如鍺摻鎵探測器）。低失真光電探測器交易價格

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