MLCC是陶瓷電容器的一種，也可稱(chēng)為片式電容器、多層電容器、多層電容器等。MLCC是由印刷電極(內(nèi)電極)交錯(cuò)堆疊的陶瓷介質(zhì)膜，經(jīng)一次高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷電子元件，再在電子元件兩端封上金屬層(外電極)，形成單片結(jié)構(gòu)，故也可稱(chēng)為單片電容器。簡(jiǎn)單平行板電容器的基本結(jié)構(gòu)是由一個(gè)絕緣的中間介質(zhì)層加上兩個(gè)外部導(dǎo)電的金屬電極組成，而MLCC的結(jié)構(gòu)主要包括三部分：陶瓷介質(zhì)、金屬內(nèi)電極和金屬外電極。在結(jié)構(gòu)上，MLCC是一個(gè)多層層壓結(jié)構(gòu)。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是幾個(gè)簡(jiǎn)單平行板電容的平行體。鋁電解電容，常見(jiàn)的電性能測(cè)試包括：電容量，損耗角正切，漏電流，額定工作電壓，阻抗等等。南通片式多層陶瓷電容器規(guī)格

什么是MLCC片式多層陶瓷電容器(Multi-layerCeramicCapacitor簡(jiǎn)稱(chēng)MLCC)是電子整機(jī)中主要的被動(dòng)貼片元件之一，它誕生于上世紀(jì)60年代，較早由美國(guó)公司研制成功，后來(lái)在日本公司(如村田Murata、TDK、太陽(yáng)誘電等)迅速發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化，至今依然在全球MLCC領(lǐng)域保持優(yōu)勢(shì)，主要表現(xiàn)為生產(chǎn)出MLCC具有高可靠、高精度、高集成、高頻率、智能化、低功耗、大容量、小型化和低成本等特點(diǎn)。MLCC—簡(jiǎn)稱(chēng)片式電容器，是由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯(cuò)位的方式疊合起來(lái)，經(jīng)過(guò)一次性高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極），從而形成一個(gè)類(lèi)似獨(dú)石的結(jié)構(gòu)體，故也叫獨(dú)石電容器。南通片式多層陶瓷電容器規(guī)格鋁電解電容是電容中非常常見(jiàn)的一種。

微型電極結(jié)構(gòu)方面，將電極做成立體三維結(jié)構(gòu)可獲得更年夜的概況積，有利于負(fù)載更多的電極活性物質(zhì)以及保證活性物質(zhì)的充實(shí)操作，從而有利于改善電荷存儲(chǔ)機(jī)能。本所庖代的歷次版本發(fā)布情形為：——ｇｂ６跟著材料科學(xué)的發(fā)展，電容器逐漸向高儲(chǔ)能、小型化、輕質(zhì)量、低成本、高靠得住性等標(biāo)的目的成長(zhǎng)，近年來(lái)，跟著情形呵護(hù)的呼聲越來(lái)越高，含鉛材料受到了極年夜的限制，傳統(tǒng)的pzt基壓電陶瓷由于含有年夜量的pb，其制造和使用已經(jīng)被限制，batio３基陶瓷材料再次成為研究的熱點(diǎn)。因?yàn)榻缑嫔洗嬖谖粔?，兩層電荷不能越過(guò)鴻溝彼其中和，從而形成了雙電層電容[５]。１雙電層電容理論１８５３年德國(guó)物理學(xué)家helmhotz首先提出了雙電層電容這一概念[６]。用這種超級(jí)為一部iphone手機(jī)布滿電只只需要５秒鐘。但因?yàn)殡娊橘|(zhì)耐壓低，存在漏電流，儲(chǔ)存能量和連結(jié)時(shí)刻受到限制。但這種電極材料的制備工藝繁復(fù)，耗時(shí)長(zhǎng)，價(jià)錢(qián)昂貴，商品化還有必然距離。

無(wú)極性電容體積小，價(jià)格低，高頻特性好，但它不適合做大容量。像瓷片電容、獨(dú)石電容、聚乙烯(CBB)電容等都是，瓷片電容一般用在高頻濾波、震蕩電路中比較多。磁介電容是以陶瓷材料為介子，并在表面燒上銀層作為電極的電容器。磁介電容器性能穩(wěn)定。損耗，漏電都很小，適合于高頻高壓電路中應(yīng)用。一般而言，電容兩極間的絕緣材料，介電常數(shù)大的(如鐵電陶瓷，電解液)適合于制作大容量小體積的電容，但損耗也大。介電常數(shù)小的(如陶瓷)損耗小，適合于高頻應(yīng)用。軟端電容通過(guò)結(jié)構(gòu)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)機(jī)械可靠性與電氣性能的平衡，其選型需綜合耐壓、容量、尺寸及環(huán)境適應(yīng)性需求?。

一般來(lái)說(shuō)，它是一個(gè)去耦電容?；蛘邤?shù)字電路通斷時(shí)，對(duì)電源影響很大，造成電源波動(dòng)，需要用電容去耦。通常，容量是芯片開(kāi)關(guān)頻率的倒數(shù)。如果頻率為1MHz，選擇1/1M，即1uF。你可以拿一個(gè)大一點(diǎn)的。比較好有芯片和去耦電容，電源處應(yīng)該有，用的量還是蠻大的。在一般設(shè)計(jì)中，提到通常使用0.1uF和10uF、2.2uF和47uF進(jìn)行電源去耦。在實(shí)際應(yīng)用中如何選擇它們？根據(jù)不同的功率輸出或后續(xù)電路？通常并聯(lián)兩個(gè)電容就夠了，但在某些電路中并聯(lián)更多的電容可能會(huì)更好。不同電容值的電容器并聯(lián)可以在很寬的頻率范圍內(nèi)保證較低的交流阻抗。在運(yùn)算放大器的電源抑制(PSR)能力下降的頻率范圍內(nèi)，電源旁路尤為重要。電容可以補(bǔ)償放大器PSR的下降。在很寬的頻率范圍內(nèi)，這種低阻路徑可以保證噪聲不進(jìn)入芯片。陶瓷電容的另外一個(gè)特性是其直流偏壓特性。片式多層陶瓷電容器

MLCC成為使用數(shù)量較多的電容。南通片式多層陶瓷電容器規(guī)格

共燒技術(shù)(陶瓷粉料和金屬電極共燒)，MLCC元件結(jié)構(gòu)很簡(jiǎn)單，由陶瓷介質(zhì)、內(nèi)電極金屬層和外電極三層金屬層構(gòu)成。MLCC是由多層陶瓷介質(zhì)印刷內(nèi)電極漿料，疊合共燒而成。為此，不可避免地要解決不同收縮率的陶瓷介質(zhì)和內(nèi)電極金屬如何在高溫?zé)珊蟛粫?huì)分層、開(kāi)裂，即陶瓷粉料和金屬電極共燒問(wèn)題。共燒技術(shù)就是解決這一難題的關(guān)鍵技術(shù)，掌握好的共燒技術(shù)可以生產(chǎn)出更薄介質(zhì)(2μm以下)、更高層數(shù)(1000層以上)的MLCC。當(dāng)前日本公司在MLCC燒結(jié)設(shè)備技術(shù)方面早于其它各國(guó)，不僅有各式氮?dú)夥崭G爐(鐘罩爐和隧道爐)，而且在設(shè)備自動(dòng)化、精度方面有明顯的優(yōu)勢(shì)。南通片式多層陶瓷電容器規(guī)格