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云南國產(chǎn)TmYAP晶體現(xiàn)貨供應(yīng)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-10-09

一輛高級(jí)轎車需要稀土永磁材料約0.5kg-3.5kg,在新能源汽車上這些量更大。每輛混合動(dòng)力車較傳統(tǒng)汽車要多消耗5kg釹鐵硼;純電動(dòng)車中,稀土永磁電機(jī)替代傳統(tǒng)電機(jī)要多使用5-10KG釹鐵硼。稀土VS半導(dǎo)體較近幾年,稀土市場會(huì)拿出來和半導(dǎo)體一起進(jìn)行討論。但值得注意的是,稀土與半導(dǎo)體在產(chǎn)業(yè)規(guī)模上不可相提并論。根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,2018年中國稀土產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)值約900億元人民幣,而2017年,全球的半導(dǎo)體產(chǎn)值為4767億美元,稀土與半導(dǎo)體的產(chǎn)值比起來小太多了,甚至不及半導(dǎo)體一個(gè)零頭。TmYAP晶體具有2微米波長固體激光源的理想介質(zhì)。云南國產(chǎn)TmYAP晶體現(xiàn)貨供應(yīng)

根據(jù)衍射數(shù)據(jù)算得不同濃度Tm:YAP晶體的晶胞參數(shù)示,其晶格常數(shù)a、b、c及晶胞體積分別略小于純YAP相應(yīng)值,并且基本上隨Tm3+摻雜濃度增大而進(jìn)一步減小,但總得說來,基質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)的畸變較小。這主要是因?yàn)門m3+與Y3+同屬于鑭系的三價(jià)稀土離子,Tm3+的半徑0.88 ?略小于Y3+的半徑(0.9 ?),因此Tm3+的摻入使晶胞參數(shù)略微減小而不會(huì)改變YAP基質(zhì)晶體的結(jié)構(gòu)。 1.進(jìn)一步優(yōu)化光腔參數(shù),設(shè)計(jì)合適的光腔結(jié)構(gòu),提高Tm:YAP晶體的激光輸出效率及輸出能量。浙江全固態(tài)TmYAP晶體規(guī)格TmYAP晶體LD泵浦吸收帶寬比TmYAG晶體寬4nm。

YAP晶體屬于什么結(jié)構(gòu)?4at%Tm:YAP激光實(shí)驗(yàn)在同樣條件下進(jìn)行,輸出耦合鏡的透射率為10%,樣品尺寸為3×3×5mm3,垂直c向切割。達(dá)到閾值所需要的泵浦功率約4.4W,當(dāng)泵浦功率為24W時(shí),實(shí)現(xiàn)較大功率8.1W的激光輸出,波長1.935mm,斜效率達(dá)42%,如圖4-24。5at%Tm:YAP晶體在同樣的泵浦功率密度下,晶體端面發(fā)生脆裂,這可能與5at%Tm:YAP晶體局部吸收功率過高以及熱力學(xué)性能較差有關(guān)。 Tm:YAP晶體光譜參數(shù)及能量轉(zhuǎn)移參數(shù)計(jì)算結(jié)果。由以上激光實(shí)驗(yàn)結(jié)果來看,4at% Tm:YAP晶體激光性能比較好,因此我們認(rèn)為在我們所生長的Tm:YAP晶體中,4at%為比較好化的摻雜濃度。

Tm:YAP晶體主要用在哪方面啊?共摻Tm3和Ho3固態(tài)激光器。Ho3的5I7能級(jí)與Tm3的3F4能級(jí)相匹配,很容易實(shí)現(xiàn)它們之間的有效能量傳遞。利用ho3 敏化,高能脈沖激光可以實(shí)現(xiàn)2m焦耳以上的輸出。但是,Tm3和Ho3之間容易發(fā)生上轉(zhuǎn)換發(fā)光和反向能量轉(zhuǎn)移,影響上能級(jí)粒子的聚集,降低激光效率。例如,HO:LULIF4激光器的比較高單脈沖能量可達(dá)1J,而其比較高斜率效率*為16.5%[21]。因此,開發(fā)Tm3和Ho3共摻固體激光器的關(guān)鍵是找到合適的激光基質(zhì)來提高Tm3和Ho3之間的能量轉(zhuǎn)移效率,從而提高激光輸出效率。TmYAP晶體的H6和H4能級(jí)的吸收帶峰值為795nm。

Tm:YAP晶體能量轉(zhuǎn)移參數(shù)計(jì)算結(jié)果如何?由于Tm:YAP的各向異性,對(duì)3F4→3H6躍遷的發(fā)射截面,我們采用F-L公式以及偏振發(fā)射譜進(jìn)行了計(jì)算。F-L公式可表示為:(4-3)式中c為光速,λ為波長,I(λ)為熒光光譜上某一波長λ處的熒光強(qiáng)度,n為折射率,τrad為上能級(jí)輻射壽命。5at%Tm:YAP各偏振方向發(fā)射截面計(jì)算結(jié)果如圖4-19所示,其中E//a方向在1934nm具有比較大發(fā)射截面4.5×10-21cm2,接近于[25]報(bào)道數(shù)據(jù)5.0×10-21cm2。3at%Tm:YAP、4at%Tm:YAP、5at%Tm:YAP晶體E//a發(fā)射截面在1934nm處基本相同。TmYAP晶體能級(jí)結(jié)構(gòu)通過低溫吸收譜和熒光譜,可以比較準(zhǔn)確的確定TmYAP晶體的能級(jí)結(jié)構(gòu)。吉林人工TmYAP晶體加工

TmYAP晶體寬度的吸收峰值也要比TmYAG晶體寬些。云南國產(chǎn)TmYAP晶體現(xiàn)貨供應(yīng)

通過已知的發(fā)射截面和吸收截面,可由下式對(duì)增益截面進(jìn)行估算:(4-4)該公式中,σg(λl)表示在某一激光波長λl處的增益截面,β表示處于激發(fā)態(tài)的粒子占總粒子的分?jǐn)?shù),σem(λl)和σabs(λl)則分別表示激光波長處的發(fā)射截面和吸收截面。5at%Tm:YAP晶體E//a方向增益截面,計(jì)算所得增益截面如圖4-21,可見Tm:YAP晶體E//a方向具有寬且平緩的發(fā)射峰,以β=0.5為例,從1756nm至2150nm范圍內(nèi)增益截面均為正值,這說明Tm:YAP在2mm波段將具有寬調(diào)諧特性。增益截面峰值為1934nm,當(dāng)β=0.5時(shí),該峰值達(dá)到2.08×10-21cm2。 云南國產(chǎn)TmYAP晶體現(xiàn)貨供應(yīng)

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