Windows怎樣知道安裝的是什么設(shè)備，以及要拷貝哪些文件。答案在于.inf文件。.inf是從Windows 95時***始引入的一種描述設(shè)備安裝信息的文件，它用特定語法的文字來說明要安裝的設(shè)備類型、生產(chǎn)廠商、型號、要拷貝的文件、拷貝到的目標(biāo)路徑，以及要添加到注冊表中的信息。通過讀取和解釋這些文字，Windows便知道應(yīng)該如何安裝驅(qū)動程序。幾乎所有硬件廠商提供的用于Windows 9x下的驅(qū)動程序都帶有安裝信息文件。事實上，.inf文件不僅可用于安裝驅(qū)動程序，還能用來安裝與硬件并沒有什么關(guān)系的軟件，例如Windows 98支持“Windows更新”功能，更新時下載的系統(tǒng)部件就是利用.inf文件來說明如何安裝該部件的。也可以將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，以控制數(shù)碼管等顯示設(shè)備。普陀區(qū)優(yōu)勢驅(qū)動電路售價

IGBT 的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容、CCE 是集電極-發(fā)射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計算IGBT 驅(qū)動器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 的值，在實際電路應(yīng)用中不是一個特別有用的參數(shù)，因為它是通過電橋測得的，在測量電路中，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V)，在這種測量條件下，所測得的結(jié)電容要比VCE=600V 時要大一些(如圖2)。青浦區(qū)制造驅(qū)動電路服務(wù)熱線驅(qū)動電路的設(shè)計通常需要考慮負(fù)載的電流、電壓要求，以及控制信號的特性。

led驅(qū)動電路是一種用于可控硅調(diào)光器的電路，分為兩類AC/ DC轉(zhuǎn)換和DC/ DC轉(zhuǎn)換兩類，又根據(jù)驅(qū)動原理的不同，可以分為線性驅(qū)動電路和開關(guān)驅(qū)動電路。LED在具體的使用時，要注意驅(qū)動電路的選用。LED 驅(qū)動電路除了要滿足安全要求外，另外的基本功能應(yīng)有兩個方面：根據(jù)能量來源的不同，LED驅(qū)動電路總體上可分為兩類，一是AC/ DC轉(zhuǎn)換，能量來自交流電，二是DC/ DC轉(zhuǎn)換，能量來自干電池、可充電電池、蓄電池等。根據(jù)LED驅(qū)動原理的不同，又可以分為線性驅(qū)動電路和開關(guān)驅(qū)動電路。

表1 IGBT門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動電路的變化而變化，因而驅(qū)動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅(qū)動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍?。并且在IGBT導(dǎo)通后。柵極驅(qū)動電路提供給IGBT的驅(qū)動電壓和電流要有足夠的幅度，使IGBT的功率輸出級總處于飽和狀態(tài)。瞬時過載時，柵極驅(qū)動電路提供的驅(qū)動功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)。IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān)，在漏源電流一定的情況下，VGE越高，VDS值就越低，器件的導(dǎo)通損耗就越小，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允許超過20 V，原因是一旦發(fā)生過流或短路，柵壓越高，則電流幅值越高，IGBT損壞的可能性就越大。通常，綜合考慮取+15 V為宜。通過控制電機的電流和電壓，可以實現(xiàn)電機的轉(zhuǎn)動、速度控制、方向控制等。

優(yōu)良的驅(qū)動電路對變換器性能的影響驅(qū)動電路1.提高系統(tǒng)可靠性2.提高變換效率(開關(guān)器件開關(guān)、導(dǎo)通損耗)3.減小開關(guān)器件應(yīng)力(開/關(guān)過程中)4.降低EMI/EMC驅(qū)動電路為什么要采取隔離措施安規(guī)問題，驅(qū)動電路副邊與主電路有耦合關(guān)系，而驅(qū)動原邊是與控制電路連在一起， 主電路是一次電路，控制電路是ELV電路， 一次電路和ELV電路之間要做加強絕緣，實現(xiàn)絕緣要求一般就采取變壓器光耦等隔離措施。驅(qū)動電路采取隔離措施的條件需要隔離控制參考地與驅(qū)動信號參考地（e極） 同—驅(qū)動電路無需隔離；無需隔離控制參考地與驅(qū)動信號參考地（e極）不同—驅(qū)動電路應(yīng)隔離。繼電器驅(qū)動電路：通過控制繼電器的開關(guān)來驅(qū)動高功率負(fù)載，適用于需要隔離控制信號和負(fù)載的場合。寶山區(qū)挑選驅(qū)動電路哪家好

當(dāng)柵極電壓低于閾值時，MOS管會關(guān)斷。驅(qū)動電路正是通過調(diào)整柵極電壓來控制MOS管的開通和關(guān)斷狀態(tài)。普陀區(qū)優(yōu)勢驅(qū)動電路售價

如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認(rèn)為Cin=2.2Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊中找到）如果IGBT數(shù)據(jù)手冊中已經(jīng)給出了正象限的門極電荷曲線，那么只用Cies 近似計算負(fù)象限的門極電荷會更接近實際值：門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2普陀區(qū)優(yōu)勢驅(qū)動電路售價

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