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上海DDR3測(cè)試故障

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-06-15

重復(fù)步驟6至步驟9,設(shè)置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 模型文件中的Generic器件。

在所要仿真的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個(gè)電阻,其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對(duì)這類模型統(tǒng)一進(jìn)行設(shè)置, 

(12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕,在界面中設(shè)置電阻模型后,單擊OK按鈕賦上電阻模型。

同步驟11、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型。

上拉電源或下拉到地的電壓值可以在菜單中選擇LogicIdentify DC Nets..來(lái)設(shè)置。 如何解決DDR3一致性測(cè)試期間出現(xiàn)的錯(cuò)誤?上海DDR3測(cè)試故障

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還可以給這個(gè)Bus設(shè)置一個(gè)容易區(qū)分的名字,例如把這個(gè)Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關(guān)系設(shè)置好了。

重復(fù)以上操作,依次創(chuàng)建:DQ8?DQ15、DM1信號(hào);DQS1/NDQS1選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第2個(gè)字節(jié)Bytel,包括DQ16?DQ23、DM2信號(hào);DQS2/NDQS2選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第3個(gè)字節(jié)Byte2,包括DQ24?DQ31、DM3信號(hào);DQS3/NDQS3選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第4個(gè)字節(jié)Byte3。

開始創(chuàng)建地址、命令和控制信號(hào),以及時(shí)鐘信號(hào)的時(shí)序關(guān)系。因?yàn)闆](méi)有多個(gè)Rank, 所以本例將把地址命令信號(hào)和控制信號(hào)合并仿真分析。操作和步驟2大同小異,首先新建一 個(gè)Bus,在Signal Names下選中所有的地址、命令和控制信號(hào),在Timing Ref下選中CK/NCK (注意,不要與一列的Clock混淆,Clock列只對(duì)應(yīng)Strobe信號(hào)),在Bus Type下拉框中 選擇AddCmd,在Edge Type下拉框中選擇RiseEdge,將Bus Gro叩的名字改為AddCmdo。 上海DDR3測(cè)試故障DDR3一致性測(cè)試是否適用于工作站和游戲電腦?

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走線阻抗/耦合檢查

走線阻抗/耦合檢查流程在PowerSI和SPEED2000中都有,流程也是一樣的。本例通過(guò) Allegro Sigrity SI 啟動(dòng) Trace Impedance/Coupling Check,自動(dòng)調(diào)用 PowerSI 的流程。下面通過(guò)實(shí)例來(lái)介紹走線阻抗/耦合檢查的方法。

啟動(dòng) Allegro Sigrity SI,打開 DDR_Case_C。單擊菜單 AnalyzeTrace Impedance/Coupling Check,在彈出的 SPDLINK Xnet Selection 窗口 中單擊 OK 按鈕。整個(gè).brd 文件將被轉(zhuǎn)換成.spd文件,并自動(dòng)在PowerSI軟件界面中打開。

DDRhDDRl釆用SSTL_2接口,1/0 口工作電壓為2.5V;時(shí)鐘信號(hào)頻率為100?200MHz; 數(shù)據(jù)信號(hào)速率為200?400 Mbps,通過(guò)單端選通信號(hào)雙邊沿釆樣;地址/命令/控制信號(hào)速率為 100?200Mbps,通過(guò)時(shí)鐘信號(hào)上升沿采樣;信號(hào)走線都使用樹形拓?fù)?,沒(méi)有ODT功能。

DDR2: DDR2釆用SSTL_18接口,I/O 口工作電壓為1.8V;時(shí)鐘信號(hào)頻率為200? 400MHz;數(shù)據(jù)信號(hào)速率為400?800Mbps,在低速率下可選擇使用單端選通信號(hào),但在高速 率時(shí)需使用差分選通信號(hào)以保證釆樣的準(zhǔn)確性;地址/命令/控制信號(hào)在每個(gè)時(shí)鐘上升沿釆樣的 情況下(1T模式)速率為200?400Mbps,在每個(gè)間隔時(shí)鐘上升沿釆樣的情況下(2T模式) 速率減半;信號(hào)走線也都使用樹形拓?fù)?,?shù)據(jù)和選通信號(hào)有ODT功能。 如何進(jìn)行DDR3內(nèi)存模塊的熱插拔一致性測(cè)試?

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每個(gè) DDR 芯片獨(dú)享 DQS,DM 信號(hào);四片 DDR 芯片共享 RAS#,CAS#,CS#,WE#控制信號(hào)。·DDR 工作頻率為 133MHz。·DDR 控制器選用 Xilinx 公司的 FPGA,型號(hào)為 XC2VP30_6FF1152C。得到這個(gè)設(shè)計(jì)需求之后,我們首先要進(jìn)行器件選型,然后根據(jù)所選的器件,準(zhǔn)備相關(guān)的設(shè)計(jì)資料。一般來(lái)講,對(duì)于經(jīng)過(guò)選型的器件,為了使用這個(gè)器件進(jìn)行相關(guān)設(shè)計(jì),需要有如下資料。

· 器件數(shù)據(jù)手冊(cè) Datasheet:這個(gè)是必須要有的。如果沒(méi)有器件手冊(cè),是沒(méi)有辦法進(jìn)行設(shè)計(jì)的(一般經(jīng)過(guò)選型的器件,設(shè)計(jì)工程師一定會(huì)有數(shù)據(jù)手冊(cè))。 DDR3一致性測(cè)試是否可以修復(fù)一致性問(wèn)題?上海DDR3測(cè)試故障

是否可以使用多個(gè)軟件工具來(lái)執(zhí)行DDR3一致性測(cè)試?上海DDR3測(cè)試故障

DDR3: DDR3釆用SSTL_15接口,I/O 口工作電壓為1.5V;時(shí)鐘信號(hào)頻率為400? 800MHz;數(shù)據(jù)信號(hào)速率為800?1600Mbps,通過(guò)差分選通信號(hào)雙沿釆樣;地址/命令/控制信 號(hào)在1T模式下速率為400?800Mbps,在2T模式下速率為200?400Mbps;數(shù)據(jù)和選通信號(hào) 仍然使用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或樹形拓?fù)洌瑫r(shí)鐘/地址/命令/控制信號(hào)則改用Fly-by的拓?fù)洳季€;數(shù)據(jù)和選 通信號(hào)有動(dòng)態(tài)ODT功能;使用Write Leveling功能調(diào)整時(shí)鐘和選通信號(hào)間因不同拓?fù)湟鸬?延時(shí)偏移,以滿足時(shí)序要求。上海DDR3測(cè)試故障