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微納加工中，材料濕法腐蝕是一個(gè)常用的工藝方法。材料的濕法化學(xué)刻蝕，包括刻蝕劑到達(dá)材料表面和反應(yīng)產(chǎn)物離開(kāi)表面的傳輸過(guò)程，也包括表面本身的反應(yīng)。半導(dǎo)體技術(shù)中的許多刻蝕工藝是在相當(dāng)緩慢并受速率控制的情況下進(jìn)行的，這是因?yàn)楦采w在表面上有一污染層。污染層厚度常有幾微米，如果化學(xué)反應(yīng)有氣體逸出，則此層就可能破裂。濕法刻蝕工藝常常有反應(yīng)物產(chǎn)生，這種產(chǎn)物受溶液的溶解速率的限制。為了使刻蝕速率提高，常常使溶液攪動(dòng)，因?yàn)閿噭?dòng)增強(qiáng)了外擴(kuò)散效應(yīng)。多晶和非晶材料的刻蝕是各向異性的。然而，結(jié)晶材料的刻蝕可能是各向同性，也可能是各向異性的，它取決于反應(yīng)動(dòng)力學(xué)的性質(zhì)。晶體材料的各向同性刻蝕常被稱作拋光刻蝕，因?yàn)樗鼈儺a(chǎn)生平滑的...

微納加工當(dāng)中，GaN材料的刻蝕一般采用光刻膠來(lái)做掩膜，但是刻蝕GaN和光刻膠，選擇比接近1:1，如果需要刻蝕深度超過(guò)3微米以上就需要采用厚膠來(lái)做掩膜。對(duì)于刻蝕更深的GaN,那就需要采用氧化硅來(lái)做刻蝕的掩模，刻蝕GaN的氣體對(duì)于刻蝕氧化硅刻蝕比例可以達(dá)到8:1。應(yīng)用于MEMS制作的襯底可以說(shuō)是各種各樣的，如硅晶圓、玻璃晶圓、塑料、還其他的材料。硅晶圓包括氧化硅片、SOI硅片、高阻硅片等，硅片晶圓包括單晶石英玻璃、高硼硅玻璃、光學(xué)玻璃、光敏玻璃等。塑料材料包括PMMA、PS、光學(xué)樹(shù)脂等材料。其他材料包括陶瓷、AlN材料、金屬等材料。微納制造技術(shù)是由零件構(gòu)成的部件或系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、加工、組裝、集成與應(yīng)用...

高精度的微細(xì)結(jié)構(gòu)可以通過(guò)電子束直寫(xiě)或激光直寫(xiě)制作，這類光刻技術(shù)，像“寫(xiě)字”一樣，通過(guò)控制聚焦電子束（光束）移動(dòng)書(shū)寫(xiě)圖案進(jìn)行曝光，具有很高的曝光精度，但這兩種方法制作效率極低，尤其在大面積制作方面捉襟見(jiàn)肘，目前直寫(xiě)光刻技術(shù)適用于小面積的微納結(jié)構(gòu)制作。近年來(lái)，三維浮雕微納結(jié)構(gòu)的需求越來(lái)越大，如閃耀光柵、菲涅爾透鏡、多臺(tái)階微光學(xué)元件等。據(jù)悉，蘋(píng)果公司新上市的手機(jī)產(chǎn)品中人臉識(shí)別模塊就采用了多臺(tái)階微光學(xué)元件，以及當(dāng)下如火如荼的無(wú)人駕駛技術(shù)中激光雷達(dá)光學(xué)系統(tǒng)也用到了復(fù)雜的微光學(xué)元件。這類精密的微納結(jié)構(gòu)光學(xué)元件需采用灰度光刻技術(shù)進(jìn)行制作。直寫(xiě)技術(shù)，通過(guò)在光束移動(dòng)過(guò)程中進(jìn)行相應(yīng)的曝光能量調(diào)節(jié)，可以實(shí)現(xiàn)良好的灰...

研究應(yīng)著眼于開(kāi)發(fā)一種新型的可配置、可升級(jí)的微納制造平臺(tái)和系統(tǒng)，以降低大批量或是小規(guī)模定制產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。新一代微納制造系統(tǒng)應(yīng)滿足下述要求：（1）能生產(chǎn)多種多樣高度復(fù)雜的微納產(chǎn)品；（2）具有微納特性的組件的小型化連續(xù)生產(chǎn)；（3）為了掌握基于整個(gè)生產(chǎn)加工鏈制造的知識(shí)，新設(shè)計(jì)和仿真系統(tǒng)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程的全部跨學(xué)科知識(shí)進(jìn)行條理化和儲(chǔ)存；（4）為了保證生產(chǎn)的靈活性和適應(yīng)性，應(yīng)確保在分布式制造中各企業(yè)的有效合作，以支撐通過(guò)新型商業(yè)生產(chǎn)、管理和物流方法來(lái)實(shí)現(xiàn)的中小型企業(yè)在綜合制造網(wǎng)絡(luò)中的有效整合；（5）是一個(gè)擁有更高級(jí)的智能和可靠性、可根據(jù)相應(yīng)環(huán)境自行調(diào)整設(shè)置及生產(chǎn)加工參數(shù)的、可嵌入整個(gè)生產(chǎn)制造行業(yè)的制造系統(tǒng)...

皮秒激光精密微孔加工應(yīng)用作為一種激光精密加工技術(shù)，皮秒激光在對(duì)高硬度金屬微孔加工方面的應(yīng)用早在20世紀(jì)90年代初就有報(bào)道。1996年德國(guó)學(xué)者Chichkov等研究了納秒、皮秒以及飛秒激光與材料的作用機(jī)理，并在真空靶室中對(duì)厚度100μm的不銹鋼進(jìn)行了打孔實(shí)驗(yàn)，建立了激光微納加工的理論模型，為后續(xù)的激光微納加工實(shí)驗(yàn)研究奠定了堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ)。1998年Jandeleit等對(duì)厚度為250nm的銅膜進(jìn)行了精密制孔實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)指出使用同一脈寬的皮秒激光器對(duì)厚度較薄的金屬材料制孔時(shí)，采用高峰值功率更有可能獲得高質(zhì)量的的制孔效果。然而，優(yōu)異的加工效果不僅取決于脈沖寬度以及峰值功率，制孔方式也是一個(gè)至關(guān)重要的因素...

微納加工設(shè)備主要有：光刻、刻蝕、鍍膜、濕法腐蝕、絕緣層鍍膜等。微納檢測(cè)主要是表征檢測(cè)：原子力顯微鏡、掃描電鏡、掃描顯微鏡、XRD、臺(tái)階儀等。每一個(gè)設(shè)備都包含比較多具體的分類。光刻機(jī)，也被稱為曝光機(jī)，三大類:步進(jìn)式光刻機(jī)，接觸接近式光刻，電子束曝光。微納制造技術(shù)是指尺度為毫米、微米和納米量級(jí)的零件，以及由這些零件構(gòu)成的部件或系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、加工、組裝、集成與應(yīng)用技術(shù)。傳統(tǒng)“宏”機(jī)械制造技術(shù)已不能滿足這些“微”機(jī)械和“微”系統(tǒng)的高精度制造和裝配加工要求，必須研究和應(yīng)用微納制造的技術(shù)與方法。微納制造技術(shù)是微傳感器、微執(zhí)行器、微結(jié)構(gòu)和功能微納系統(tǒng)制造的基本手段和重要基礎(chǔ)。機(jī)械微加工是微納制造中較方便，也較...

無(wú)論是大批量還是小規(guī)模生產(chǎn)定制產(chǎn)品，都需要開(kāi)發(fā)新一代的模塊化、知識(shí)密集的、可升級(jí)的和可快速配置的生產(chǎn)系統(tǒng)。而這將用到那些新近涌現(xiàn)出來(lái)的微納技術(shù)研究成果以及新的工業(yè)生產(chǎn)理論體系。給出了微納制造系統(tǒng)與平臺(tái)的發(fā)展前景。未來(lái)幾年微納制造系統(tǒng)和平臺(tái)的發(fā)展前景包括以下幾個(gè)方面：（1）微納制造系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、建模和仿真；（2）智能的、可升級(jí)的和適應(yīng)性強(qiáng)的微納制造系統(tǒng)（工藝、設(shè)備和工具集成）；（3）新型靈活的、模塊化的和網(wǎng)絡(luò)化的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，以構(gòu)筑基于制造的知識(shí)。我造技術(shù)的研究從其誕生之初就一直牢據(jù)行國(guó)的微納制造技術(shù)的研究與世界先進(jìn)水平業(yè)的杰出位置。深圳微納加工價(jià)目基于光刻工藝的微納加工技術(shù)主要包含以下過(guò)程：掩模（m...

微納測(cè)試與表征技術(shù)是微納加工技術(shù)的基礎(chǔ)與前提，它包括在微納器件的設(shè)計(jì)、制造和系統(tǒng)集成過(guò)程中，對(duì)各種參量進(jìn)行微米/納米檢測(cè)的技術(shù)。微米測(cè)量主要服務(wù)于精密制造和微加工技術(shù)，目標(biāo)是獲得微米級(jí)測(cè)量精度，或表征微結(jié)構(gòu)的幾何、機(jī)械及力學(xué)特性；納米測(cè)量則主要服務(wù)于材料工程和納米科學(xué)，特別是納米材料，目標(biāo)是獲得材料的結(jié)構(gòu)、地貌和成分的信息。在半導(dǎo)體領(lǐng)域人們所關(guān)心的與尺寸測(cè)量有關(guān)的參數(shù)主要包括：特征尺寸或線寬、重合度、薄膜的厚度和表面的糙度等等。未來(lái)，微納測(cè)試與表征技術(shù)正朝著從二維到三維、從表面到內(nèi)部、從靜態(tài)到動(dòng)態(tài)、從單參量到多參量耦合、從封裝前到封裝后的方向發(fā)展。探索新的測(cè)量原理、測(cè)試方法和表征技...

濺射鍍膜有兩種方式：一種稱為離子束濺射，指真空狀態(tài)下用離子束轟擊靶表面，使濺射出的粒子在基體表面成膜，該工藝較為昂貴，主要用于制取特殊的薄膜；另一種稱為陰極濺射，主要利用低壓氣體放電現(xiàn)象，使處于等離子狀態(tài)下的離子轟擊靶面，濺射出的粒子沉積在基體上。它采用平行板電極結(jié)構(gòu)，膜料物質(zhì)做成的大面積靶為陰極，支持基體的基板為陽(yáng)極，安裝于鐘罩式真空容器內(nèi)。為減少污染，先將鐘罩內(nèi)的壓強(qiáng)抽到小于10-3~10-4Pa，然后充入Ar氣，使壓強(qiáng)維持在1~10Pa。在兩極之間加數(shù)千伏的電壓進(jìn)行濺射鍍膜。與蒸發(fā)鍍膜相比，濺射鍍膜時(shí)靶材（膜料）無(wú)相變，化合物成分穩(wěn)定，合金不易分餾，因此適合制備的膜材非常廣。...

在微電子與光電子集成中，薄膜的形成方法主要有兩大類，及沉積和外延生長(zhǎng)。沉積技術(shù)分為物理沉積、化學(xué)沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法；化學(xué)氣相沉積是典型的化學(xué)方法；等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積是物理與化學(xué)方法相結(jié)合的混合方法。薄膜沉積過(guò)程，通常生成的是非晶膜和多晶膜，沉積部位和晶態(tài)結(jié)構(gòu)都是隨機(jī)的，而沒(méi)有固定的晶態(tài)結(jié)構(gòu)。外延生長(zhǎng)實(shí)質(zhì)上是材料科學(xué)的薄膜加工方法，其含義是：在一個(gè)單晶的襯底上，定向地生長(zhǎng)出與基底晶態(tài)結(jié)構(gòu)相同或相似的晶態(tài)薄層。其他薄膜成膜方法，如電化學(xué)沉積、脈沖激光沉積法、溶膠凝膠法、自組裝法等，也都廣用于微納制作工藝中。不同的表面微納結(jié)構(gòu)可以呈現(xiàn)出...

微納加工MEMS器件設(shè)計(jì)：根據(jù)客戶需求，初步確定材料、工藝、和技術(shù)路線，并出具示意圖。版圖設(shè)計(jì)：在器件設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上，將客戶需求細(xì)化，并轉(zhuǎn)化成版圖設(shè)計(jì)。工藝設(shè)計(jì)：設(shè)計(jì)具體的工藝路線和實(shí)現(xiàn)路徑，生產(chǎn)工藝流程圖等技術(shù)要求。工藝流片：根據(jù)工藝設(shè)計(jì)和版圖設(shè)計(jì)，小批量試樣驗(yàn)證。批量生產(chǎn)：在工藝流片的基礎(chǔ)上，進(jìn)行批量驗(yàn)證生產(chǎn)。MEMS微型傳感器及微機(jī)械結(jié)構(gòu)圖：微納加工技術(shù)是先進(jìn)制造的重要組成部分，是衡量國(guó)家高質(zhì)量的制造業(yè)水平的標(biāo)志之一，具有多學(xué)科交叉性和制造要素極端性的特點(diǎn)，在推動(dòng)科技進(jìn)步、促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展、拉動(dòng)科技進(jìn)步、保障**安全等方面都發(fā)揮著關(guān)鍵作用。微納加工技術(shù)的基本手段包括微納加工方法與材料科學(xué)方法兩...

微納制造技術(shù)的發(fā)展，同樣涉及到科研體系問(wèn)題。嚴(yán)格意義上來(lái)說(shuō)，科研分為三個(gè)領(lǐng)域，一個(gè)是基礎(chǔ)研究領(lǐng)域，一個(gè)是工程化應(yīng)用領(lǐng)域，一個(gè)是市場(chǎng)推廣領(lǐng)域。在發(fā)達(dá)國(guó)家的科研機(jī)制中。幾乎所有的基礎(chǔ)研究領(lǐng)域都是由國(guó)家或機(jī)構(gòu)直接或間接支持的。這種基礎(chǔ)研究較看重的是對(duì)于國(guó)家、民生或**的長(zhǎng)遠(yuǎn)意義．而不是短期內(nèi)的投入與產(chǎn)出。因而致力于基礎(chǔ)研究的機(jī)構(gòu)或者人員。根本不用考慮研究的所謂“市場(chǎng)化”問(wèn)題。而只是進(jìn)行基礎(chǔ)、理論的研究。另一方面。工程化應(yīng)用領(lǐng)域由專門(mén)的機(jī)構(gòu)或職能部門(mén)負(fù)責(zé)，這些部門(mén)從應(yīng)用領(lǐng)域、生產(chǎn)領(lǐng)域、制造領(lǐng)域抽調(diào)**、學(xué)者及相關(guān)專業(yè)人員，對(duì)基礎(chǔ)研究的市場(chǎng)應(yīng)用前景進(jìn)行分析，并提出可行性建議，末尾由市場(chǎng)或企業(yè)來(lái)進(jìn)行工程化...

在微電子與光電子集成中，薄膜的形成方法主要有兩大類，及沉積和外延生長(zhǎng)。沉積技術(shù)分為物理沉積、化學(xué)沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法；化學(xué)氣相沉積是典型的化學(xué)方法；等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積是物理與化學(xué)方法相結(jié)合的混合方法。薄膜沉積過(guò)程，通常生成的是非晶膜和多晶膜，沉積部位和晶態(tài)結(jié)構(gòu)都是隨機(jī)的，而沒(méi)有固定的晶態(tài)結(jié)構(gòu)。外延生長(zhǎng)實(shí)質(zhì)上是材料科學(xué)的薄膜加工方法，其含義是：在一個(gè)單晶的襯底上，定向地生長(zhǎng)出與基底晶態(tài)結(jié)構(gòu)相同或相似的晶態(tài)薄層。其他薄膜成膜方法，如電化學(xué)沉積、脈沖激光沉積法、溶膠凝膠法、自組裝法等，也都廣用于微納制作工藝中。微納加工技術(shù)的特點(diǎn)：微型化。...

微納加工技術(shù)是先進(jìn)制造的重要組成部分，是衡量國(guó)家高級(jí)制造業(yè)水平的標(biāo)志之一，具有多學(xué)科交叉性和制造要素極端性的特點(diǎn)，在推動(dòng)科技進(jìn)步、促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展、拉動(dòng)科技進(jìn)步、保障**安全等方面都發(fā)揮著關(guān)鍵作用。微納加工技術(shù)的基本手段包括微納加工方法與材料科學(xué)方法兩種。比較顯然，微納加工技術(shù)與微電子工藝技術(shù)有密切關(guān)系。微納加工大致可以分為“自上而下”和“自下而上”兩類?！白陨隙隆笔菑暮暧^對(duì)象出發(fā)，以光刻工藝為基礎(chǔ)，對(duì)材料或原料進(jìn)行加工，較小結(jié)果尺寸和精度通常由光刻或刻蝕環(huán)節(jié)的分辨力決定。“自下而上”技術(shù)則是從微觀世界出發(fā)，通過(guò)控制原子、分子和其他納米對(duì)象的相互作用力將各種單元構(gòu)建在一起，形成微納結(jié)構(gòu)與器件。在...

在微納加工過(guò)程中，薄膜的形成方法主要為物理沉積、化學(xué)沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質(zhì)薄膜、合金薄膜、化合物等。熱蒸發(fā)是在高真空下，利用電阻加熱至材料的熔化溫度，使其蒸發(fā)至基底表面形成薄膜，而電子束蒸發(fā)為使用電子束加熱；磁控濺射在高真空，在電場(chǎng)的作用下，Ar氣被電離為Ar離子高能量轟擊靶材，使靶材發(fā)生濺射并沉積于基底；磁控濺射方法沉積的薄膜純度高、致密性好，熱蒸發(fā)主要用于沉積低熔點(diǎn)金屬薄膜或者厚膜；化學(xué)氣相沉積（CVD）是典型的化學(xué)方法而等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）是物理與化學(xué)相結(jié)合的混合方法，CVD和PECVD主要用于...

微流控芯片是在普通毛細(xì)管電泳的基本原理和技術(shù)的基礎(chǔ)上，利用微加工技術(shù)在硅、石英、玻璃或高分子聚合物基質(zhì)材料上加工出各種微細(xì)結(jié)構(gòu)，如管道、反應(yīng)池、電極之類的功能單元，完成生物和化學(xué)等領(lǐng)域中所涉及的樣品制備、生化反應(yīng)、處理（混合、過(guò)濾、稀釋）、分離檢測(cè)等一系列任務(wù)，具有快速、高效、低耗、分析過(guò)程自動(dòng)化和應(yīng)用范圍廣等特點(diǎn)的微型分析實(shí)驗(yàn)裝置。目前已成為微全分析系統(tǒng)（micrototalanalysissystems,μ-TAS）和芯片實(shí)驗(yàn)室（labonachip）的發(fā)展重點(diǎn)和前沿領(lǐng)域。為常見(jiàn)的聚合物微流控芯片形式。近年來(lái)，由于生化分析的復(fù)雜性和多樣性需求，微流控芯片技術(shù)的發(fā)展愈發(fā)趨于組合化和集成化，在...

微納測(cè)試與表征技術(shù)是微納加工技術(shù)的基礎(chǔ)與前提，它包括在微納器件的設(shè)計(jì)、制造和系統(tǒng)集成過(guò)程中，對(duì)各種參量進(jìn)行微米/納米檢測(cè)的技術(shù)。微米測(cè)量主要服務(wù)于精密制造和微加工技術(shù)，目標(biāo)是獲得微米級(jí)測(cè)量精度，或表征微結(jié)構(gòu)的幾何、機(jī)械及力學(xué)特性；納米測(cè)量則主要服務(wù)于材料工程和納米科學(xué)，特別是納米材料，目標(biāo)是獲得材料的結(jié)構(gòu)、地貌和成分的信息。在半導(dǎo)體領(lǐng)域人們所關(guān)心的與尺寸測(cè)量有關(guān)的參數(shù)主要包括：特征尺寸或線寬、重合度、薄膜的厚度和表面的糙度等等。未來(lái)，微納測(cè)試與表征技術(shù)正朝著從二維到三維、從表面到內(nèi)部、從靜態(tài)到動(dòng)態(tài)、從單參量到多參量耦合、從封裝前到封裝后的方向發(fā)展。探索新的測(cè)量原理、測(cè)試方法和表征技...

獲得或保持率先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的優(yōu)勢(shì)將維持強(qiáng)勁的經(jīng)濟(jì)、提供動(dòng)力以滿足社會(huì)需求，而微納制造技術(shù)能力正在成為這其中的關(guān)鍵使能因素。微納制造技術(shù)可以幫助企業(yè)、產(chǎn)業(yè)形成競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。得益于私營(yíng)部門(mén)和公共部門(mén)之間的合作，它們的快速發(fā)展提升了許多不同應(yīng)用領(lǐng)域的歐洲公司的市場(chǎng)份額，促進(jìn)了協(xié)作研究。需要強(qiáng)調(diào)的，產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界的合作在增加公司的市場(chǎng)實(shí)力上發(fā)揮了重要作用；這種合作使得那些阻礙創(chuàng)新、新技術(shù)與高水平的教育需求等進(jìn)展的問(wèn)題的解決變得更為容易。未來(lái)幾年微納制造系統(tǒng)和平臺(tái)的發(fā)展前景包括的方面：智能的、可升級(jí)的和適應(yīng)性強(qiáng)的微納制造系統(tǒng)。常州全套微納加工光刻是半導(dǎo)體制造中常用的技術(shù)之一，是現(xiàn)代光電子器件制造的基礎(chǔ)。然而，深...

皮秒激光精密微孔加工應(yīng)用作為一種激光精密加工技術(shù)，皮秒激光在對(duì)高硬度金屬微孔加工方面的應(yīng)用早在20世紀(jì)90年代初就有報(bào)道。1996年德國(guó)學(xué)者Chichkov等研究了納秒、皮秒以及飛秒激光與材料的作用機(jī)理，并在真空靶室中對(duì)厚度100μm的不銹鋼進(jìn)行了打孔實(shí)驗(yàn)，建立了激光微納加工的理論模型，為后續(xù)的激光微納加工實(shí)驗(yàn)研究奠定了堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ)。1998年Jandeleit等對(duì)厚度為250nm的銅膜進(jìn)行了精密制孔實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)指出使用同一脈寬的皮秒激光器對(duì)厚度較薄的金屬材料制孔時(shí)，采用高峰值功率更有可能獲得高質(zhì)量的的制孔效果。然而，優(yōu)異的加工效果不僅取決于脈沖寬度以及峰值功率，制孔方式也是一個(gè)至關(guān)重要的因素...

微納測(cè)試與表征技術(shù)是微納加工技術(shù)的基礎(chǔ)與前提，它包括在微納器件的設(shè)計(jì)、制造和系統(tǒng)集成過(guò)程中，對(duì)各種參量進(jìn)行微米/納米檢測(cè)的技術(shù)。微米測(cè)量主要服務(wù)于精密制造和微加工技術(shù)，目標(biāo)是獲得微米級(jí)測(cè)量精度，或表征微結(jié)構(gòu)的幾何、機(jī)械及力學(xué)特性；納米測(cè)量則主要服務(wù)于材料工程和納米科學(xué)，特別是納米材料，目標(biāo)是獲得材料的結(jié)構(gòu)、地貌和成分的信息。在半導(dǎo)體領(lǐng)域人們所關(guān)心的與尺寸測(cè)量有關(guān)的參數(shù)主要包括：特征尺寸或線寬、重合度、薄膜的厚度和表面的糙度等等。未來(lái)，微納測(cè)試與表征技術(shù)正朝著從二維到三維、從表面到內(nèi)部、從靜態(tài)到動(dòng)態(tài)、從單參量到多參量耦合、從封裝前到封裝后的方向發(fā)展。探索新的測(cè)量原理、測(cè)試方法和表征技術(shù)，發(fā)展微納...

ICP（感應(yīng)耦合等離子）刻蝕GaN是物料濺射和化學(xué)反應(yīng)相結(jié)合的復(fù)雜過(guò)程?？涛gGaN主要使用到氯氣和三氯化硼，刻蝕過(guò)程中材料表面表面的Ga-N鍵在離子轟擊下破裂，此為物理濺射，產(chǎn)生活性的Ga和N原子，氮原子相互結(jié)合容易析出氮?dú)?，Ga原子和Cl離子生成容易揮發(fā)的GaCl2或者GaCl3。光刻（Photolithography)是一種圖形轉(zhuǎn)移的方法，在微納加工當(dāng)中不可或缺的技術(shù)。光刻是一個(gè)比較大的概念，其實(shí)它是有多步工序所組成的。1.清洗：清洗襯底表面的有機(jī)物。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對(duì)準(zhǔn)，在紫外光下曝光一定的時(shí)間。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時(shí)間，...

微納加工技術(shù)的特點(diǎn)：（1）微電子化：采用MEMS工藝，可以把不同功能、不同敏感方向或致動(dòng)方向的多個(gè)傳感器或執(zhí)行器集成于一體，或形成微傳感陣列、微執(zhí)行器陣列甚至把多種功能的器件集成在一起，形成復(fù)雜的微系統(tǒng)。微傳感器、微執(zhí)行器和微電子器件的集成可制造出可靠性、穩(wěn)定性比較高的微電子機(jī)械系統(tǒng)。（2）MEMS技術(shù)適合批量生產(chǎn)：用硅微加工工藝在同一硅片上同時(shí)可制造出成百上千微型機(jī)電裝置或完整的MEMS，批量生產(chǎn)可較大降低生產(chǎn)成本。（3）多學(xué)科交叉：MEMS涉及電子、機(jī)械、材料、制造、信息與自動(dòng)控制、物理、化學(xué)和生物等多學(xué)科，并集約當(dāng)今科學(xué)發(fā)展的許多成果。微納加工技術(shù)的特點(diǎn)：多樣化。南昌量子微納加工研究應(yīng)著...

近年來(lái)，激光技術(shù)的飛速發(fā)展使的激光蝕刻技術(shù)孕育而生，類似于激光直寫(xiě)技術(shù)，激光蝕刻技術(shù)通過(guò)控制聚焦的高能短波/脈沖激光束直接在基材上燒蝕材料并“雕刻”出微細(xì)結(jié)構(gòu)。它不但能夠?qū)崿F(xiàn)傳統(tǒng)意義的薄膜蝕刻，而且可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)三維的微結(jié)構(gòu)制作。飛秒高峰值功率激光于有機(jī)聚合物的介質(zhì)的作用具有比較多科學(xué)上比較吸引人注目的特點(diǎn)，其中，雙光子作用下的聚合作用已被成功運(yùn)用于三維納米結(jié)構(gòu)制作，可以制作出非常復(fù)雜、特殊的三維微細(xì)結(jié)構(gòu)。光刻膠是微納加工中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一。臨沂微納加工技術(shù)隨著聚合物精密擠出成型技術(shù)和現(xiàn)代納米技術(shù)的發(fā)展，聚合物制品逐漸向微型化發(fā)展，傳統(tǒng)擠出成型也朝著微型化發(fā)展，出現(xiàn)了微擠出成型技術(shù)。如...

選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快多少，它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比?；緝?nèi)容：高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。一個(gè)高選擇比的刻蝕工藝不刻蝕下面一層材料（刻蝕到恰當(dāng)?shù)纳疃葧r(shí)停止）并且保護(hù)的光刻膠也未被刻蝕。圖形幾何尺寸的縮小要求減薄光刻膠厚度。高選擇比在較先進(jìn)的工藝中為了確保關(guān)鍵尺寸和剖面控制是必需的。特別是關(guān)鍵尺寸越小，選擇比要求越高。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。微納制造的加工材料多種多樣。濱州微納加工技術(shù)基于掩模板圖形傳遞的光刻工藝可制作宏觀尺寸的微細(xì)結(jié)構(gòu)，受光學(xué)衍射的極限，適用于微米以上尺度的微細(xì)結(jié)構(gòu)制作，部分優(yōu)化的光刻工藝可...

隨著電子束光刻技術(shù)和電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術(shù)的出現(xiàn)，平面微納加工工藝正在推動(dòng)以單電子器件與自旋電子器件為代標(biāo)的新一代納米電子學(xué)的發(fā)展.當(dāng)微納加工技術(shù)應(yīng)用到光電子領(lǐng)域，就形成了新興的納米光電子技術(shù)，主要研究納米結(jié)構(gòu)中光與電子相互作用及其能量互換的技術(shù).納米光電子技術(shù)在過(guò)去的十多年里，一方面，以低維結(jié)構(gòu)材料生長(zhǎng)和能帶工程為基礎(chǔ)的納米制造技術(shù)有了長(zhǎng)足的發(fā)展，包括分子束外延(MBE)、金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積(MOCVD)和化學(xué)束外延(CBE)，使得在晶片表面外延生長(zhǎng)方向(直方向)的外延層精度控制到單個(gè)原子層，從而獲得了具有量子尺寸效應(yīng)的半導(dǎo)體材料;另一方面，平面納米加工工藝實(shí)現(xiàn)了納...

電子束的能量越高，束斑的直徑就越小，比如10keV的電子束斑直徑為4nm，20keV時(shí)就減小到2nm。電子束的掃描步長(zhǎng)由束斑直徑所限制。步長(zhǎng)過(guò)大，不能實(shí)現(xiàn)緊密地平面束掃描;步長(zhǎng)過(guò)小，電子束掃描區(qū)域會(huì)受到過(guò)多的電子散射作用。電子束流劑量由電子束電流強(qiáng)度和駐留時(shí)間所決定。電子束流劑量過(guò)小，抗蝕劑不能完全感光;電子束流劑量過(guò)大，圖形邊緣的抗蝕劑會(huì)受到過(guò)多的電子散射作用。由于高能量的電子波長(zhǎng)要比光波長(zhǎng)短成百上千倍，因此限制分辨率的不是電子的衍射，而是各種電子像散和電子在抗蝕劑中的散射。電子散射會(huì)使圖形邊緣內(nèi)側(cè)的電子能量和劑量降低，產(chǎn)生內(nèi)鄰近效應(yīng);同時(shí)散射的電子會(huì)使圖形邊緣外側(cè)的抗蝕劑感光，產(chǎn)生外鄰近效...

微納加工MEMS器件設(shè)計(jì)：根據(jù)客戶需求，初步確定材料、工藝、和技術(shù)路線，并出具示意圖。版圖設(shè)計(jì)：在器件設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上，將客戶需求細(xì)化，并轉(zhuǎn)化成版圖設(shè)計(jì)。工藝設(shè)計(jì)：設(shè)計(jì)具體的工藝路線和實(shí)現(xiàn)路徑，生產(chǎn)工藝流程圖等技術(shù)要求。工藝流片：根據(jù)工藝設(shè)計(jì)和版圖設(shè)計(jì)，小批量試樣驗(yàn)證。批量生產(chǎn)：在工藝流片的基礎(chǔ)上，進(jìn)行批量驗(yàn)證生產(chǎn)。MEMS微型傳感器及微機(jī)械結(jié)構(gòu)圖：微納加工技術(shù)是先進(jìn)制造的重要組成部分，是衡量國(guó)家高質(zhì)量的制造業(yè)水平的標(biāo)志之一，具有多學(xué)科交叉性和制造要素極端性的特點(diǎn)，在推動(dòng)科技進(jìn)步、促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展、拉動(dòng)科技進(jìn)步、保障**安全等方面都發(fā)揮著關(guān)鍵作用。微納加工技術(shù)的基本手段包括微納加工方法與材料科學(xué)方法兩...

微納加工工藝基本分為表面加工體加工兩大塊，基本流程如下：表面加工基本流程如下：首先：沉積系繩層材料；第二步：光刻定義系繩層圖形；第三步：刻蝕完成系繩層圖形轉(zhuǎn)移；第四步：沉積結(jié)構(gòu)材料；第五步：光刻定義結(jié)構(gòu)層圖形；第六步：刻蝕完成結(jié)構(gòu)層圖形轉(zhuǎn)移；第七步：釋放去除系繩層，保留結(jié)構(gòu)層，完成微結(jié)構(gòu)制作；體加工基本流程如下：首先：沉積保護(hù)層材料；第二步：光刻定義保護(hù)圖形；第三步：刻蝕完成保護(hù)層圖形轉(zhuǎn)移；第四步：腐蝕硅襯底，在制作三維立體腔結(jié)構(gòu)；第五步：去除保護(hù)層材料。機(jī)械微加工是微納制造中較方便，也較接近傳統(tǒng)材料加工方式的微成型技術(shù)。孝感微納加工技術(shù)微納制造技術(shù)不只是加工方法米），到納米級(jí)（千分之一微米）...

在微電子與光電子集成中，薄膜的形成方法主要有兩大類，及沉積和外延生長(zhǎng)。沉積技術(shù)分為物理沉積、化學(xué)沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法；化學(xué)氣相沉積是典型的化學(xué)方法；等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積是物理與化學(xué)方法相結(jié)合的混合方法。薄膜沉積過(guò)程，通常生成的是非晶膜和多晶膜，沉積部位和晶態(tài)結(jié)構(gòu)都是隨機(jī)的，而沒(méi)有固定的晶態(tài)結(jié)構(gòu)。外延生長(zhǎng)實(shí)質(zhì)上是材料科學(xué)的薄膜加工方法，其含義是：在一個(gè)單晶的襯底上，定向地生長(zhǎng)出與基底晶態(tài)結(jié)構(gòu)相同或相似的晶態(tài)薄層。其他薄膜成膜方法，如電化學(xué)沉積、脈沖激光沉積法、溶膠凝膠法、自組裝法等，也都普遍用于微納制作工藝中。高精度的微細(xì)結(jié)構(gòu)可以通過(guò)電...

微流控芯片是在普通毛細(xì)管電泳的基本原理和技術(shù)的基礎(chǔ)上，利用微加工技術(shù)在硅、石英、玻璃或高分子聚合物基質(zhì)材料上加工出各種微細(xì)結(jié)構(gòu)，如管道、反應(yīng)池、電極之類的功能單元，完成生物和化學(xué)等領(lǐng)域中所涉及的樣品制備、生化反應(yīng)、處理（混合、過(guò)濾、稀釋）、分離檢測(cè)等一系列任務(wù)，具有快速、高效、低耗、分析過(guò)程自動(dòng)化和應(yīng)用范圍廣等特點(diǎn)的微型分析實(shí)驗(yàn)裝置。目前已成為微全分析系統(tǒng)（micrototalanalysissystems,μ-TAS）和芯片實(shí)驗(yàn)室（labonachip）的發(fā)展重點(diǎn)和前沿領(lǐng)域。為常見(jiàn)的聚合物微流控芯片形式。近年來(lái)，由于生化分析的復(fù)雜性和多樣性需求，微流控芯片技術(shù)的發(fā)展愈發(fā)趨于組合化和集成化，在...