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比如橫豎屏切換、相關(guān)游戲、磁力計(jì)姿態(tài)校準(zhǔn))、振動(dòng)識(shí)別相關(guān)功能(比如計(jì)步器、敲擊)等；至于終端還可配置的陀螺儀、氣壓計(jì)、濕度計(jì)、溫度計(jì)、紅外線傳感器等其他傳感器，在此不再贅述。音頻電路406、揚(yáng)聲器，傳聲器可提供用戶與終端之間的音頻接口。音頻電路406可將接收到的音頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換后的電信號(hào)，傳輸?shù)綋P(yáng)聲器，由揚(yáng)聲器轉(zhuǎn)換為聲音信號(hào)輸出；另一方面，傳聲器將收集的聲音信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，由音頻電路406接收后轉(zhuǎn)換為音頻數(shù)據(jù)，再將音頻數(shù)據(jù)輸出處理器408處理后，經(jīng)rf電路401以發(fā)送給比如另一終端，或者將音頻數(shù)據(jù)輸出至存儲(chǔ)器402以便進(jìn)一步處理。音頻電路406還可能包括耳塞插孔，以提供外設(shè)耳機(jī)與終端的通信...

在本發(fā)明實(shí)施例率放大單元的輸入端可以輸入差分信號(hào)input_p，功率放大單元的第二輸入端可以輸入第二差分信號(hào)input_n。功率放大單元可以對(duì)輸入的差分信號(hào)input_p以及第二差分信號(hào)input_n分別進(jìn)行放大處理，功率放大單元的輸出端可以輸出經(jīng)過(guò)放大的差分信號(hào)，功率放大單元的第二輸出端可以輸出經(jīng)過(guò)放大的第二差分信號(hào)。差分信號(hào)input_p以及第二差分信號(hào)input_n的放大倍數(shù)可以由功率放大單元的放大系數(shù)決定，且差分信號(hào)input_p的放大倍數(shù)和對(duì)第二差分信號(hào)input_n的放大倍數(shù)相同。在具體實(shí)施中，差分信號(hào)input_p以及第二差分信號(hào)input_n可以是對(duì)輸入至射頻功率放大器的...

因此在寬帶應(yīng)用中的使用并不。新興GaN技術(shù)的工作電壓為28V至50V，優(yōu)勢(shì)在于更高功率密度及更高截止頻率(CutoffFrequency，輸出訊號(hào)功率超出或低于傳導(dǎo)頻率時(shí)輸出訊號(hào)功率的頻率)，擁有低損耗、高熱傳導(dǎo)基板，開(kāi)啟了一系列全新的可能應(yīng)用，尤其在5G多輸入輸出(MassiveMIMO)應(yīng)用中，可實(shí)現(xiàn)高整合性解決方案。典型的GaN射頻器件的加工工藝，主要包括如下環(huán)節(jié)：外延生長(zhǎng)-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場(chǎng)板制作-襯底減薄-襯底通孔等環(huán)節(jié)。GaN材料已成為基站PA的有力候選技術(shù)。GaN是極穩(wěn)定的化合物，具有強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、在Ⅲ-Ⅴ族化合物中電離度是高...

下面將對(duì)具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本申請(qǐng)的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本申請(qǐng)一實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本申請(qǐng)一實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器中自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的電路原理圖；圖3是本申請(qǐng)一實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器的電路原理圖；圖4是本申請(qǐng)實(shí)施例提供的自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路提供的偏置電壓與輸出功率的曲線示意圖；圖5是現(xiàn)有的射頻高功率放大器與本申請(qǐng)實(shí)施例提供的高線性射頻放大器的imd3曲線圖。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合...

RF)微波和毫米波應(yīng)用，設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)高性能集成電路、模塊和子系統(tǒng)。這些應(yīng)用包括蜂窩、光纖和衛(wèi)星通信，以及醫(yī)學(xué)及科學(xué)成像、工業(yè)儀表、航空航天和防務(wù)電子。憑借近30年的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新實(shí)踐，Hittite在模擬、數(shù)字和混合信號(hào)半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域有著深厚的積淀，從器件級(jí)到完整子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和裝配，覆蓋面十分。HittiteMicrowave于2014年被AnalogDevices,Inc.（ADI）收購(gòu)合并。但筆者還是更喜歡Hittite作為射頻微波器件的名稱，所以暫不更改稱呼^_^。筆者本人并沒(méi)用用過(guò)Hittite的WiFiPA，倒是用過(guò)其他頻段GainBlock和PA，查找其官方網(wǎng)站，似乎也只有一款PA...

氮化鎵集更高功率、更高效率和更寬帶寬的特性于一身，能夠?qū)崿F(xiàn)比GaAsMESFET器件高10倍的功率密度，擊穿電壓達(dá)300伏，可工作在更高的工作電壓，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)寬帶高功率放大器的難度。目前氮化鎵（GaN）HEMT器件的成本是LDMOS的5倍左右，已經(jīng)開(kāi)始普遍應(yīng)用在EMC領(lǐng)域的80MHz到6GHz的功率放大器中。4.射頻微波功率放大器的分類放大器有不同種的分類方法，習(xí)慣上基于放大器件在一個(gè)完整的信號(hào)擺動(dòng)周期中工作的時(shí)間量，也就是導(dǎo)電角的不同進(jìn)行分類，通過(guò)對(duì)放大器件配置不同的偏置條件，就可以使放大器工作在不同的狀態(tài)。在EMC領(lǐng)域，固態(tài)放大器中常用到的偏置方法是A類，AB類和C類。A類放大器A類...

將從2019年開(kāi)始為GaN器件帶來(lái)巨大的市場(chǎng)機(jī)遇。相比現(xiàn)有的硅LDMOS（橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)）和GaAs（砷化鎵）解決方案，GaN器件能夠提供下一代高頻電信網(wǎng)絡(luò)所需要的功率和效能。而且，GaN的寬帶性能也是實(shí)現(xiàn)多頻帶載波聚合等重要新技術(shù)的關(guān)鍵因素之一。GaNHEMT（高電子遷移率場(chǎng)效晶體管）已經(jīng)成為未來(lái)宏基站功率放大器的候選技術(shù)。由于LDMOS無(wú)法再支持更高的頻率，GaAs也不再是高功率應(yīng)用的優(yōu)方案，預(yù)計(jì)未來(lái)大部分6GHz以下宏網(wǎng)絡(luò)單元應(yīng)用都將采用GaN器件。5G網(wǎng)絡(luò)采用的頻段更高，穿透力與覆蓋范圍將比4G更差，因此小基站（smallcell）將在5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)中扮演很重要的角色。不...

RF)微波和毫米波應(yīng)用，設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)高性能集成電路、模塊和子系統(tǒng)。這些應(yīng)用包括蜂窩、光纖和衛(wèi)星通信，以及醫(yī)學(xué)及科學(xué)成像、工業(yè)儀表、航空航天和防務(wù)電子。憑借近30年的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新實(shí)踐，Hittite在模擬、數(shù)字和混合信號(hào)半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域有著深厚的積淀，從器件級(jí)到完整子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和裝配，覆蓋面十分。HittiteMicrowave于2014年被AnalogDevices,Inc.（ADI）收購(gòu)合并。但筆者還是更喜歡Hittite作為射頻微波器件的名稱，所以暫不更改稱呼^_^。筆者本人并沒(méi)用用過(guò)Hittite的WiFiPA，倒是用過(guò)其他頻段GainBlock和PA，查找其官方網(wǎng)站，似乎也只有一款PA...

P/NBANDGainLinearPowerIccVccVerfAP11102685A129431/3219/22145/215A10583423/25300/480APEPM24263323/26335/465EPM24283424/28468/668AP30152920/23280/NA3AP3015P2915/18340/390AP3015M2917/18210/170AP5估計(jì)大部分國(guó)內(nèi)的讀者沒(méi)有用過(guò)RFIC的芯片，筆者也只是看到一些國(guó)外的產(chǎn)品在用。沒(méi)有Datasheet，也沒(méi)有BriefIntroduction，只能從官網(wǎng)上了解到部分?jǐn)?shù)據(jù)，其中EPM2428是**高的型號(hào)，其典...

寬帶pa通常采用cllc、lccl、兩級(jí)或多級(jí)lc匹配。cllc結(jié)構(gòu)，采用串聯(lián)電容到地電感級(jí)聯(lián)串聯(lián)電感到地電容；lccl采用串聯(lián)電感到地電容級(jí)聯(lián)串聯(lián)電容到地電感。這兩種結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，插損較?。蝗秉c(diǎn)是寬帶性能一致性不好，在不同的頻率性能不一致，而且諧波性能差。兩級(jí)或多級(jí)lc結(jié)構(gòu)，采用兩級(jí)或多級(jí)串聯(lián)電感到地電容級(jí)聯(lián)在一起。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)是諧波性能好，可以實(shí)現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換；缺點(diǎn)是寬帶性能一致性和插損之間存在折中，高頻點(diǎn)插損較大。采用普通結(jié)構(gòu)變壓器實(shí)現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa，只采用變壓器及其輸入輸出匹配電容。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，缺點(diǎn)是難以實(shí)現(xiàn)寬帶功率放大器，寬帶性能一致性差...

被公認(rèn)為是很合適的通信用半導(dǎo)體材料。在手機(jī)無(wú)線通信應(yīng)用中，目前射頻功率放大器絕大部分采用GaAs材料。在GSM通信中，國(guó)內(nèi)的紫光展銳和漢天下等芯片設(shè)計(jì)企業(yè)曾憑借RFCMOS制程的高集成度和低成本的優(yōu)勢(shì)，打破了采用國(guó)際廠商采用傳統(tǒng)的GaAs制程完全主導(dǎo)射頻功放的格局。但是到了4G時(shí)代，由于Si材料存在高頻損耗、噪聲大和低輸出功率密度等缺點(diǎn)，RFCMOS已經(jīng)不能滿足要求，手機(jī)射頻功放重新回到GaAs制程完全主導(dǎo)的時(shí)代。與射頻功放器件依賴于GaAs材料不同，90%的射頻開(kāi)關(guān)已經(jīng)從傳統(tǒng)的GaAs工藝轉(zhuǎn)向了SOI（Silicononinsulator）工藝，射頻收發(fā)機(jī)大多數(shù)也已采用RFCMOS制程，從而...

LateralDouble-diffusedMetal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段和高效率等要求。目前針對(duì)3G和LTE基站市場(chǎng)的功率放大器主要有SiLDMOS和GaAs兩種，但LDMOS功率放大器的帶寬會(huì)隨著頻率的增加而大幅減少，在不超過(guò)約，而GaAs功率放大器雖然能滿足高頻通信的需求，但其輸出功率比GaN器件遜色很多。在5G高集成的MassiveMIMO應(yīng)用中，它可實(shí)現(xiàn)高集成化的解決方案，如模塊化射頻前端器件。在毫米波應(yīng)用上，GaN的高功率密度特性在實(shí)現(xiàn)相同覆蓋條件及用戶追蹤功能下，可有效減少收發(fā)通道數(shù)及整體方...

LateralDouble-diffusedMetal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段和高效率等要求。目前針對(duì)3G和LTE基站市場(chǎng)的功率放大器主要有SiLDMOS和GaAs兩種，但LDMOS功率放大器的帶寬會(huì)隨著頻率的增加而大幅減少，在不超過(guò)約，而GaAs功率放大器雖然能滿足高頻通信的需求，但其輸出功率比GaN器件遜色很多。在5G高集成的MassiveMIMO應(yīng)用中，它可實(shí)現(xiàn)高集成化的解決方案，如模塊化射頻前端器件。在毫米波應(yīng)用上，GaN的高功率密度特性在實(shí)現(xiàn)相同覆蓋條件及用戶追蹤功能下，可有效減少收發(fā)通道數(shù)及整體方...

寬帶pa通常采用cllc、lccl、兩級(jí)或多級(jí)lc匹配。cllc結(jié)構(gòu)，采用串聯(lián)電容到地電感級(jí)聯(lián)串聯(lián)電感到地電容；lccl采用串聯(lián)電感到地電容級(jí)聯(lián)串聯(lián)電容到地電感。這兩種結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，插損較?。蝗秉c(diǎn)是寬帶性能一致性不好，在不同的頻率性能不一致，而且諧波性能差。兩級(jí)或多級(jí)lc結(jié)構(gòu)，采用兩級(jí)或多級(jí)串聯(lián)電感到地電容級(jí)聯(lián)在一起。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)是諧波性能好，可以實(shí)現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換；缺點(diǎn)是寬帶性能一致性和插損之間存在折中，高頻點(diǎn)插損較大。采用普通結(jié)構(gòu)變壓器實(shí)現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa，只采用變壓器及其輸入輸出匹配電容。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，缺點(diǎn)是難以實(shí)現(xiàn)寬帶功率放大器，寬帶性能一致性差...

5G時(shí)代，智能手機(jī)將采用2發(fā)射4接收方案，未來(lái)有望演進(jìn)為8接收方案。功率放大器（PA）是一部手機(jī)關(guān)鍵的器件之一，它直接決定了手機(jī)無(wú)線通信的距離、信號(hào)質(zhì)量，甚至待機(jī)時(shí)間，是整個(gè)射頻系統(tǒng)中除基帶外重要的部分。5G將帶動(dòng)智能移動(dòng)終端、基站端及IOT設(shè)備射頻PA穩(wěn)健增長(zhǎng)。功率放大器市場(chǎng)增長(zhǎng)相對(duì)穩(wěn)健，復(fù)合年增長(zhǎng)率為7%，將從2017年的50億美元增長(zhǎng)到2023年的70億美元。LTE功率放大器市場(chǎng)的增長(zhǎng)，尤其是高頻和超高頻，將彌補(bǔ)2G/3G市場(chǎng)的萎縮。15G智能移動(dòng)終端，射頻PA的大機(jī)遇5G推動(dòng)手機(jī)射頻PA量?jī)r(jià)齊升無(wú)論是在基站端還是設(shè)備終端，5G給供應(yīng)商帶來(lái)的挑戰(zhàn)都首先體現(xiàn)在射頻方面，因?yàn)檫@是設(shè)備“上”網(wǎng)...

第二端接地。可選的，所述子濾波電路包括：電容；所述電容的端與所述功率合成變壓器的輸入端以及所述功率放大單元的輸出端耦接，第二端接地?？蛇x的，所述子濾波電路還包括：電感；所述電感串聯(lián)在所述電容的第二端與地之間?？蛇x的，所述第二子濾波電路包括：第二電容；所述第二電容的端與所述功率合成變壓器的第二輸入端以及所述功率放大單元的第二輸出端耦接，第二端接地?？蛇x的，所述第二子濾波電路還包括：第二電感；所述第二電感串聯(lián)在所述第二電容的第二端與地之間?？蛇x的，所述輸入端匹配濾波電路還包括：寄生電容；所述寄生電容耦接在所述功率放大單元的輸出端與所述功率放大單元的第二輸出端之間?？蛇x的，所述輸出端匹配濾波電...

即射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值為射頻功率放大器211的電阻值是r11，射頻功率放大器212、213和214的電阻值仍是r2、r3和r4。計(jì)算射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值，如果射頻功率放大器211的射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值是r11，與配置狀態(tài)電阻值相同，則表示射頻功率放大器211已經(jīng)開(kāi)啟；如果射頻功率放大器211的射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值是r1，與配置狀態(tài)電阻值不相同，則表示射頻功率放大器211未開(kāi)啟，移動(dòng)終端開(kāi)啟射頻功率放大器211。計(jì)算的各個(gè)射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與配置狀態(tài)電阻值均相同時(shí)，則射頻功率放大器已經(jīng)配置完成。其中，頻段切換前，射頻功率放大器的初始狀態(tài)...

以便能保證它工作在一個(gè)線性工作區(qū)，要具有足夠的電壓范圍以便隨著整個(gè)輸入信號(hào)幅度的變化在不被剪裁或壓縮的情況下復(fù)制它。A類放大器的優(yōu)點(diǎn)：A類設(shè)計(jì)相比其他類設(shè)計(jì)要簡(jiǎn)單，輸出部分可以有一個(gè)器件。當(dāng)器件通過(guò)偏置設(shè)置工作在其傳輸特性的線性部分時(shí)，放大器可以非常精確地以更多功率再現(xiàn)輸入信號(hào)，在輸入信號(hào)功率增加1dB時(shí)，輸出功率也增加1dB，因此是線性放大器。當(dāng)工作在線性區(qū)時(shí)，產(chǎn)生的其他頻率分量的能量很小，也就是諧波很小。因?yàn)槠骷ㄟ^(guò)偏置電壓設(shè)置一直處于工作狀態(tài)，不會(huì)被關(guān)閉，所以沒(méi)有“開(kāi)啟”時(shí)間。可以忠實(shí)地再現(xiàn)連續(xù)波和脈沖式的連續(xù)波信號(hào)。A類放大器的缺點(diǎn)：因?yàn)殪o態(tài)工作電流大約是大輸出電流的一半，所以...

即射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值為射頻功率放大器211的電阻值是r11，射頻功率放大器212、213和214的電阻值仍是r2、r3和r4。計(jì)算射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值，如果射頻功率放大器211的射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值是r11，與配置狀態(tài)電阻值相同，則表示射頻功率放大器211已經(jīng)開(kāi)啟；如果射頻功率放大器211的射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值是r1，與配置狀態(tài)電阻值不相同，則表示射頻功率放大器211未開(kāi)啟，移動(dòng)終端開(kāi)啟射頻功率放大器211。計(jì)算的各個(gè)射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與配置狀態(tài)電阻值均相同時(shí)，則射頻功率放大器已經(jīng)配置完成。其中，頻段切換前，射頻功率放大器的初始狀態(tài)...

這個(gè)范圍叫做“放大區(qū)”，集電極電流近似等于基極電流的N倍。雙極性晶體管是一種較為復(fù)雜的非線性器件，如果偏置電壓分配不當(dāng)，將使其輸出信號(hào)失真，即使工作在特定范圍，其電流放大倍數(shù)也受到包括溫度在內(nèi)的因素影響。雙極性晶體管的大集電極耗散功率是器件在一定溫度與散熱條件下能正常工作的大功率，如果實(shí)際功率大于這一數(shù)值，晶體管的溫度將超出大許可值，使器件性能下降，甚至造成物理?yè)p壞?？赏ㄟ^(guò)高達(dá)28伏電源供電工作，工作頻率可達(dá)幾個(gè)GHz。為了防止由于熱擊穿導(dǎo)致的突發(fā)性故障，晶體管的偏置電壓必須要仔細(xì)設(shè)計(jì)，因?yàn)闊釗舸┮坏┍挥|發(fā)，整個(gè)晶體管都將被立即毀壞。因此，采用這種晶體管技術(shù)的放大器必須具有保護(hù)電路以防...

當(dāng)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式時(shí)，可控衰減電路處于無(wú)衰減狀態(tài)，需要減少對(duì)射頻功率傳導(dǎo)的影響，在應(yīng)用中需要將輸入匹配電路和可控衰減電路隔離。當(dāng)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式時(shí)，可控衰減電路處于衰減狀態(tài)，一部分射頻傳導(dǎo)能量進(jìn)入可控衰減電路變成熱能消耗掉，另一部分射頻傳導(dǎo)能量進(jìn)入功率放大器進(jìn)行放大(在加強(qiáng)了負(fù)反饋的電路基礎(chǔ)上，再放大衰減后的射頻信號(hào))。本申請(qǐng)實(shí)施例中的可控衰減電路處于衰減狀態(tài)時(shí)，整個(gè)電路的衰減程度可達(dá)到-10db左右?？梢岳斫鉃?，比原來(lái)從rfin端進(jìn)入電路的輸入信號(hào)，已經(jīng)衰減了10db。從整體電路的增益特性看，若原來(lái)的已經(jīng)加強(qiáng)負(fù)反饋的放大器的增益是0db，那么現(xiàn)在功率...

單位為分貝)，再根據(jù)鏈路預(yù)算lb確定終端的發(fā)射功率(transmittingpower，pt)(單位為分貝瓦或者分貝毫瓦)。終端在與基站通信后，確定天線的發(fā)射功率pt，根據(jù)天線的發(fā)射功率pt和天線的增益確定射頻功率放大器電路的輸出功率，根據(jù)射頻功率放大器電路的輸出功率確定射頻功率放大器電路的輸入功率和增益，通過(guò)微控制器對(duì)射頻功率放大器電路的輸入功率進(jìn)行調(diào)節(jié)，并根據(jù)增益確定射頻功率放大器電路中的模式控制信號(hào)，使其終的輸出功率滿足要求。其中，路徑損耗pl的計(jì)算參見(jiàn)公式(1)：pl＝20log10(f)+20log10(d)–c(1)；其中，f為信號(hào)頻率，單位為mhz；d為基站和終端之間的距...

下面將對(duì)具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本申請(qǐng)的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本申請(qǐng)一實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本申請(qǐng)一實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器中自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的電路原理圖；圖3是本申請(qǐng)一實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器的電路原理圖；圖4是本申請(qǐng)實(shí)施例提供的自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路提供的偏置電壓與輸出功率的曲線示意圖；圖5是現(xiàn)有的射頻高功率放大器與本申請(qǐng)實(shí)施例提供的高線性射頻放大器的imd3曲線圖。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合...

1)中降低增益的設(shè)計(jì)方案一般包括輸入匹配電路101、驅(qū)動(dòng)放大級(jí)電路102、反饋電路103、級(jí)間匹配電路104、功率放大級(jí)電路105和輸出匹配電路106。其中，輸入匹配電路101由l2、c1和r3串聯(lián)組成；驅(qū)動(dòng)放大級(jí)電路102由mosfett2和t3疊加構(gòu)成共源共柵結(jié)構(gòu)，t3的柵極通過(guò)c2射頻接地；反饋電路103由r4和c4串聯(lián)，跨接在t2柵極和t3漏極之間組成；級(jí)間匹配電路104由l3、c7和c8組成；功率放大級(jí)電路105由mosfett4和t5疊加構(gòu)成共源共柵結(jié)構(gòu)，t5的柵極通過(guò)c6射頻接地。輸出匹配電路106由l4、l5、c10和c11組成。注意t2和t4組成電流偏置電路(電流鏡形...

所述不同的匹配電阻的電阻值不相等?？蛇x的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述射頻功率放大器的輸出端連接所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊。相應(yīng)的，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)裝置，包括：預(yù)設(shè)單元，用于預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值；計(jì)算單元，用于計(jì)算所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值；比較單元，用于比較所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值?？蛇x的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述計(jì)算單元包括：計(jì)算電阻，所述計(jì)算電阻一端與所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊連接，所述計(jì)算電阻另一端與電源電壓連接；處理器，所述處理器的引腳與所述計(jì)算電阻、所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊連接。此外...

用于放大所述級(jí)間匹配電路輸出的信號(hào)；所述輸出匹配電路，用于使所述射頻功率放大器電路和后級(jí)電路之間阻抗匹配。本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過(guò)射頻功率放大器電路中的可控衰減電路、反饋電路、驅(qū)動(dòng)放大電路、功率放大電路等電路對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行處理，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路的負(fù)增益模式與非負(fù)增益模式之間的切換，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，能有效的降低硬件成本。附圖說(shuō)明圖1a為本發(fā)明實(shí)施例提供的相關(guān)技術(shù)中射頻功率放大器電路的組成結(jié)構(gòu)示意圖；圖1b為本發(fā)明實(shí)施例提供的相關(guān)技術(shù)中射頻功率放大器電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖2a為本發(fā)明實(shí)施例提供的射頻功率放大器電路的組成結(jié)構(gòu)示意圖；圖2b為本發(fā)明實(shí)施例提供的射頻功率放大器電路的電路結(jié)構(gòu)示意...

下面將對(duì)具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本申請(qǐng)的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本申請(qǐng)一實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本申請(qǐng)一實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器中自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的電路原理圖；圖3是本申請(qǐng)一實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器的電路原理圖；圖4是本申請(qǐng)實(shí)施例提供的自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路提供的偏置電壓與輸出功率的曲線示意圖；圖5是現(xiàn)有的射頻高功率放大器與本申請(qǐng)實(shí)施例提供的高線性射頻放大器的imd3曲線圖。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合...

在本發(fā)明實(shí)施例率放大單元的輸入端可以輸入差分信號(hào)input_p，功率放大單元的第二輸入端可以輸入第二差分信號(hào)input_n。功率放大單元可以對(duì)輸入的差分信號(hào)input_p以及第二差分信號(hào)input_n分別進(jìn)行放大處理，功率放大單元的輸出端可以輸出經(jīng)過(guò)放大的差分信號(hào)，功率放大單元的第二輸出端可以輸出經(jīng)過(guò)放大的第二差分信號(hào)。差分信號(hào)input_p以及第二差分信號(hào)input_n的放大倍數(shù)可以由功率放大單元的放大系數(shù)決定，且差分信號(hào)input_p的放大倍數(shù)和對(duì)第二差分信號(hào)input_n的放大倍數(shù)相同。在具體實(shí)施中，差分信號(hào)input_p以及第二差分信號(hào)input_n可以是對(duì)輸入至射頻功率放大器...

1)中降低增益的設(shè)計(jì)方案一般包括輸入匹配電路101、驅(qū)動(dòng)放大級(jí)電路102、反饋電路103、級(jí)間匹配電路104、功率放大級(jí)電路105和輸出匹配電路106。其中，輸入匹配電路101由l2、c1和r3串聯(lián)組成；驅(qū)動(dòng)放大級(jí)電路102由mosfett2和t3疊加構(gòu)成共源共柵結(jié)構(gòu)，t3的柵極通過(guò)c2射頻接地；反饋電路103由r4和c4串聯(lián)，跨接在t2柵極和t3漏極之間組成；級(jí)間匹配電路104由l3、c7和c8組成；功率放大級(jí)電路105由mosfett4和t5疊加構(gòu)成共源共柵結(jié)構(gòu)，t5的柵極通過(guò)c6射頻接地。輸出匹配電路106由l4、l5、c10和c11組成。注意t2和t4組成電流偏置電路(電流鏡形...

以對(duì)輸入至功率合成變壓器的信號(hào)進(jìn)行對(duì)應(yīng)的匹配濾波處理。在具體實(shí)施中，子濾波電路可以包括電容c1，電容c1的端可以與功率合成變壓器的輸入端以及功率放大單元的輸入端耦接，第二端可以接地。在本發(fā)明實(shí)施例中，為提高諧波濾波性能，子濾波電路還可以包括電感l(wèi)1，電感l(wèi)1可以設(shè)置電容c1的第二端與地之間。參照?qǐng)D2，給出了本發(fā)明實(shí)施例中的另一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。圖2中，子濾波電路包括電感l(wèi)1以及電容c1，電感l(wèi)1串聯(lián)在電容c1的第二端與地之間。在具體實(shí)施中，第二子濾波電路可以包括第二電容c2，第二電容c2的端可以與功率合成變壓器的第二輸入端以及功率放大單元的第二輸入端耦接，第二端可以接地。在...