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其次是低端智能手機(jī)（35%）和奢華智能手機(jī)（13%）。25G基站，PA數(shù)倍增長(zhǎng)，GaN大有可為5G基站，射頻PA需求大幅增長(zhǎng)5G基站PA數(shù)量有望增長(zhǎng)16倍。4G基站采用4T4R方案，按照三個(gè)扇區(qū)，對(duì)應(yīng)的PA需求量為12個(gè)，5G基站，預(yù)計(jì)64T64R將成為主流方案，對(duì)應(yīng)的PA需求量高達(dá)192個(gè)，PA數(shù)量將大幅增長(zhǎng)。5G基站射頻PA有望量?jī)r(jià)齊升。目前基站用功率放大器主要為基于硅的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體LDMOS技術(shù)，不過(guò)LDMOS技術(shù)適用于低頻段，在高頻應(yīng)用領(lǐng)域存在局限性。對(duì)于5G基站PA的一些要求可能包括3~6GHz和24GHz~40GHz的運(yùn)行頻率，RF功率在，預(yù)計(jì)5G基站GaN射頻PA將逐...

nmos管mn11的漏極連接電容c11，nmos管mn12的漏極連接電容c12。nmos管mn11的漏極和nmos管mn12的漏極為第二主體電路中激勵(lì)放大器的輸出端。變壓器副邊的中端和第二變壓器副邊的中端分別通過(guò)電阻連接偏置電壓，偏置電壓用于為激勵(lì)放大器中的共源放大器提供偏置電壓；激勵(lì)放大器柵放大器的柵極通過(guò)電阻接第二偏置電壓。如圖3所示，變壓器t0副邊的中端通過(guò)電阻r01接偏置電壓vbcs_da，第二變壓器t03副邊的中端通過(guò)電阻r06接偏置電壓vbcs_da，偏置電壓vbcs_da用于為nmos管mn01、nmos管nm02、nmos管mn09、nmos管mn10提供偏置電壓。nm...

驅(qū)動(dòng)放大電路和功率放大電路的電路結(jié)構(gòu)一樣，但二者對(duì)應(yīng)的各個(gè)器件的尺寸差異很大。相比較而言，功率放大電路更加注重輸出放大信號(hào)的效率，驅(qū)動(dòng)放大電路更加注重放大信號(hào)的增益控制。射頻功率放大器電路的高、中、低功率模式下，電路結(jié)構(gòu)和dc偏置都需要進(jìn)行切換，即，通過(guò)改變反饋電路中的開(kāi)關(guān)、電壓偏置電路中的柵極電壓、電流偏置電路中的漏極電流、供電電壓vcc，以及使能可控衰減電路，協(xié)作實(shí)現(xiàn)以上功率模式，以及實(shí)現(xiàn)非負(fù)增益模式和負(fù)增益模式。圖2b是本發(fā)明實(shí)施例提供的射頻功率放大器電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2b所示，應(yīng)用于終端，包括：依次連接的可控衰減電路107、輸入匹配電路101、驅(qū)動(dòng)放大電路102、級(jí)間匹...

LateralDouble-diffusedMetal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段和高效率等要求。目前針對(duì)3G和LTE基站市場(chǎng)的功率放大器主要有SiLDMOS和GaAs兩種，但LDMOS功率放大器的帶寬會(huì)隨著頻率的增加而大幅減少，在不超過(guò)約，而GaAs功率放大器雖然能滿足高頻通信的需求，但其輸出功率比GaN器件遜色很多。在5G高集成的MassiveMIMO應(yīng)用中，它可實(shí)現(xiàn)高集成化的解決方案，如模塊化射頻前端器件。在毫米波應(yīng)用上，GaN的高功率密度特性在實(shí)現(xiàn)相同覆蓋條件及用戶追蹤功能下，可有效減少收發(fā)通道數(shù)及整體方...

執(zhí)行移動(dòng)終端的各種功能和處理數(shù)據(jù)，從而對(duì)手機(jī)進(jìn)行整體監(jiān)控?？蛇x的，處理器408可包括一個(gè)或多個(gè)處理；推薦的，處理器408可集成應(yīng)用處理器和調(diào)制解調(diào)處理器，其中，應(yīng)用處理器主要處理操作系統(tǒng)、用戶界面和應(yīng)用程序等，調(diào)制解調(diào)處理器主要處理無(wú)線通信?？梢岳斫獾氖?，上述調(diào)制解調(diào)處理器也可以不集成到處理器408中。移動(dòng)終端還包括給各個(gè)部件供電的電源409(比如電池)，推薦的，電源可以通過(guò)電源管理系統(tǒng)與處理器408邏輯相連，從而通過(guò)電源管理系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)管理充電、放電、以及功耗管理等功能。電源409還可以包括一個(gè)或一個(gè)以上的直流或交流電源、再充電系統(tǒng)、電源故障檢測(cè)電路、電源轉(zhuǎn)換器或者逆變器、電源狀態(tài)指示器...

對(duì)于各個(gè)電路和具體的增益控制方法的介紹，可參見(jiàn)前面的實(shí)施例的描述，此處不再詳述。應(yīng)理解，說(shuō)明書(shū)通篇中提到的“一個(gè)實(shí)施例”或“一實(shí)施例”意味著與實(shí)施例有關(guān)的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在本申請(qǐng)的至少一個(gè)實(shí)施例中。因此，在整個(gè)說(shuō)明書(shū)各處出現(xiàn)的“在一個(gè)實(shí)施例中”或“在一實(shí)施例中”未必一定指相同的實(shí)施例。此外，這些特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以任意適合的方式結(jié)合在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中。應(yīng)理解，在本申請(qǐng)的各種實(shí)施例中，上述各過(guò)程的序號(hào)的大小并不意味著執(zhí)行順序的先后，各過(guò)程的執(zhí)行順序應(yīng)以其功能和內(nèi)在邏輯確定，而不應(yīng)對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例的實(shí)施過(guò)程構(gòu)成任何限定。上述本申請(qǐng)實(shí)施例序號(hào)為了描述，不實(shí)施例的優(yōu)劣。需要說(shuō)明的...

輸出則是方波信號(hào)，產(chǎn)生的諧波較大，屬于非線性功率放大器，適合放大恒定包絡(luò)的信號(hào)，輸入信號(hào)通常是脈沖串類(lèi)的信號(hào)。C類(lèi)放大器的優(yōu)點(diǎn)與A類(lèi)放大器相比，功率效率提高。與A類(lèi)放大器相比，可以低價(jià)獲得射頻功率。風(fēng)冷即可，他們使用的冷卻器比A類(lèi)更輕。C類(lèi)放大器的缺點(diǎn)脈沖射頻信號(hào)放大。窄帶放大器。通過(guò)以上介紹可以看出，作為射頻微波功率放大器采用的半導(dǎo)體材料，有許多種類(lèi)，每種都有其各自的特點(diǎn)和適用的功率和頻率范圍，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，使得更高頻率和更高功率的功放的實(shí)現(xiàn)成為可能并且越來(lái)越容易實(shí)現(xiàn)。作為EMC領(lǐng)域的常用的射頻微波功率放大器的幾個(gè)類(lèi)別，每種也都有其各自的優(yōu)缺點(diǎn)和適用的場(chǎng)合。在實(shí)際的EMC...

自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸入端通過(guò)匹配網(wǎng)絡(luò)連接射頻輸入端；自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸出端連接功率放大器源放大器的柵極和共柵放大器的柵極。可選的，在自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路中，nmos管的柵極為自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸入端，nmos管的漏極連接pmos管的源極，nmos管的源極接地；第二nmos管的漏極與第二pmos管的漏極連接，第二nmos管的源極接地，第二pmos管的源極接電源電壓，第二nmos管的柵極與第二pmos管的柵極連接后與nmos管的漏極連接；第三nmos管的漏極與第三pmos管的漏極連接，第三nmos管的源極接地，第三pmos管的源極接電源電壓，第三nmos管的柵極與漏極連接，第三pmo...

LateralDouble-diffusedMetal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段和高效率等要求。目前針對(duì)3G和LTE基站市場(chǎng)的功率放大器主要有SiLDMOS和GaAs兩種，但LDMOS功率放大器的帶寬會(huì)隨著頻率的增加而大幅減少，在不超過(guò)約，而GaAs功率放大器雖然能滿足高頻通信的需求，但其輸出功率比GaN器件遜色很多。在5G高集成的MassiveMIMO應(yīng)用中，它可實(shí)現(xiàn)高集成化的解決方案，如模塊化射頻前端器件。在毫米波應(yīng)用上，GaN的高功率密度特性在實(shí)現(xiàn)相同覆蓋條件及用戶追蹤功能下，可有效減少收發(fā)通道數(shù)及整體方...

對(duì)于各個(gè)電路和具體的增益控制方法的介紹，可參見(jiàn)前面的實(shí)施例的描述，此處不再詳述。應(yīng)理解，說(shuō)明書(shū)通篇中提到的“一個(gè)實(shí)施例”或“一實(shí)施例”意味著與實(shí)施例有關(guān)的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在本申請(qǐng)的至少一個(gè)實(shí)施例中。因此，在整個(gè)說(shuō)明書(shū)各處出現(xiàn)的“在一個(gè)實(shí)施例中”或“在一實(shí)施例中”未必一定指相同的實(shí)施例。此外，這些特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以任意適合的方式結(jié)合在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中。應(yīng)理解，在本申請(qǐng)的各種實(shí)施例中，上述各過(guò)程的序號(hào)的大小并不意味著執(zhí)行順序的先后，各過(guò)程的執(zhí)行順序應(yīng)以其功能和內(nèi)在邏輯確定，而不應(yīng)對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例的實(shí)施過(guò)程構(gòu)成任何限定。上述本申請(qǐng)實(shí)施例序號(hào)為了描述，不實(shí)施例的優(yōu)劣。需要說(shuō)明的...

第三變壓器t02、第四變壓器t04和電容c16構(gòu)成一個(gè)匹配網(wǎng)絡(luò)。第三變壓器t02的原邊連接有電容c07，第四變壓器t04的原邊連接有電容c14。第三變壓器t02的副邊連接射頻輸出端rfout，第四變壓器t04的副邊接地。每個(gè)主體電路中的激勵(lì)放大器包括2個(gè)共源共柵放大器。如圖3所示，主體電路的激勵(lì)放大器中，nmos管mn01和nmos管mn03構(gòu)成一個(gè)共源共柵放大器，nmos管mn02和nmos管mn04構(gòu)成一個(gè)共源共柵放大器；第二主體電路的激勵(lì)放大器中，nmos管mn09和nmos管mn11構(gòu)成一個(gè)共源共柵放大器，nmos管mn10和nmos管mn12構(gòu)成一個(gè)共源共柵放大器。在主體電路...

射頻前端集成電路領(lǐng)域，具體涉及一種高線性射頻功率放大器。背景技術(shù)：射頻功率放大器的主要參數(shù)是線性和效率。線性是表示射頻功率放大器能否真實(shí)地放大信號(hào)的參數(shù)。諸如lte和，要求射頻前端模塊具有極高的線性度，射頻功率放大器作為一個(gè)發(fā)射系統(tǒng)中的重要組成部分，對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的線性度起著至關(guān)重要的作用。目前采用cmos器件的射頻功率放大器適用于和其他通信部分電路做片上集成，但是難以嚴(yán)格地滿足線性度需求。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：為了解決相關(guān)技術(shù)中射頻功率放大器的線性度難以滿足需求的問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N高線性射頻功率放大器。技術(shù)方案如下：一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種高線性射頻功率放大器，包括功率放大器、激勵(lì)放大...

由射頻功率放大器的配置狀態(tài)得知射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。其中，頻段與射頻功率放大器的對(duì)應(yīng)情況包括兩種：一個(gè)頻段對(duì)應(yīng)一個(gè)射頻功率放大器或多個(gè)頻段對(duì)應(yīng)一個(gè)射頻功率放大器。移動(dòng)終端在進(jìn)行頻段切換前，移動(dòng)終端的射頻功率放大器的狀態(tài)包括開(kāi)啟狀態(tài)或關(guān)閉狀態(tài)，移動(dòng)終端在進(jìn)行頻段切換時(shí)，需要開(kāi)啟一個(gè)或多個(gè)射頻功率放大器。射頻功率放大器的配置狀態(tài)即移動(dòng)終端在進(jìn)行頻段切換時(shí)，此時(shí)移動(dòng)終端的射頻功率放大器的狀態(tài)。其中，由于射頻功率放大器的開(kāi)啟狀態(tài)與關(guān)閉狀態(tài)所對(duì)應(yīng)的電阻值不同，預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)即預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。因此，射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值包括開(kāi)啟狀態(tài)的電阻值與關(guān)閉...

即射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值為射頻功率放大器211的電阻值是r11，射頻功率放大器212、213和214的電阻值仍是r2、r3和r4。計(jì)算射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值，如果射頻功率放大器211的射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值是r11，與配置狀態(tài)電阻值相同，則表示射頻功率放大器211已經(jīng)開(kāi)啟；如果射頻功率放大器211的射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值是r1，與配置狀態(tài)電阻值不相同，則表示射頻功率放大器211未開(kāi)啟，移動(dòng)終端開(kāi)啟射頻功率放大器211。計(jì)算的各個(gè)射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與配置狀態(tài)電阻值均相同時(shí)，則射頻功率放大器已經(jīng)配置完成。其中，頻段切換前，射頻功率放大器的初始狀態(tài)...

pmos管的漏極通過(guò)電阻接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的第二輸出端，第二輸出端用于為功率放大器柵放大器的柵極提供偏置電壓?？蛇x的，射頻輸入端和射頻輸出端之間設(shè)置有兩個(gè)主體電路，每個(gè)主體電路包括激勵(lì)放大器和功率放大器，激勵(lì)放大器和功率放大器通過(guò)匹配網(wǎng)絡(luò)連接；主體電路中的激勵(lì)放大器與變壓器的副邊連接，第二主體電路中的激勵(lì)放大器與第二變壓器的副邊連接，變壓器的原邊與第二變壓器的原邊連接，變壓器的原邊連接射頻輸入端，第二變壓器的原邊接地；變壓器原邊與第二變壓器原邊的公共端連接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸入端；主體電路中的功率放大器與第三變壓器的原邊連接，第二主體電路中的功率放大器與第四變壓器的原邊連接，第三變...

計(jì)算所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值，比較所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值，所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等，開(kāi)啟所述射頻功率放大器，所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等，所述射頻功率放大器配置完成。本方案在當(dāng)移動(dòng)終端切換射頻頻段啟動(dòng)射頻功率放大器時(shí)，能夠通過(guò)對(duì)射頻功率放大器的狀態(tài)檢測(cè)，快速設(shè)置各個(gè)射頻功率放大器從而提升射頻的頻段切換的速度。附圖說(shuō)明為了更清楚地說(shuō)明本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)講，...

使射頻功率放大器電路的整體增益滿足要求。若需要使射頻功率放大器電路為負(fù)增益模式，需要微控制器控制開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，控制第二開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，控制偏置電路使第二mos管的漏級(jí)電流、第三mos管的柵級(jí)電壓以及漏級(jí)供電電壓vcc均變小，控制第二偏置電路使第四mos管的漏級(jí)電流、第五mos管的柵級(jí)電壓以及漏級(jí)供電電壓vcc均變小。其中，第二開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)，反饋電路的放大系數(shù)af較小，對(duì)輸入信號(hào)的放大作用不明顯，偏置電路和第二偏置電路中漏極電流和門(mén)極電壓較小，對(duì)輸入信號(hào)的放大作用也不明顯，可以認(rèn)為未對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行放大，即增益為0db，此時(shí)，若再控制開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，則可控衰減電路工作，對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行衰減，通過(guò)這樣的控制，可...

輸出則是方波信號(hào)，產(chǎn)生的諧波較大，屬于非線性功率放大器，適合放大恒定包絡(luò)的信號(hào)，輸入信號(hào)通常是脈沖串類(lèi)的信號(hào)。C類(lèi)放大器的優(yōu)點(diǎn)與A類(lèi)放大器相比，功率效率提高。與A類(lèi)放大器相比，可以低價(jià)獲得射頻功率。風(fēng)冷即可，他們使用的冷卻器比A類(lèi)更輕。C類(lèi)放大器的缺點(diǎn)脈沖射頻信號(hào)放大。窄帶放大器。通過(guò)以上介紹可以看出，作為射頻微波功率放大器采用的半導(dǎo)體材料，有許多種類(lèi)，每種都有其各自的特點(diǎn)和適用的功率和頻率范圍，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，使得更高頻率和更高功率的功放的實(shí)現(xiàn)成為可能并且越來(lái)越容易實(shí)現(xiàn)。作為EMC領(lǐng)域的常用的射頻微波功率放大器的幾個(gè)類(lèi)別，每種也都有其各自的優(yōu)缺點(diǎn)和適用的場(chǎng)合。在實(shí)際的EMC...

需要滿足：r20+r30＝r0，x20+x30＝x0，在zin和z30已知的情況下，可以計(jì)算得到r20和x20，進(jìn)一步的，在第二電阻和開(kāi)關(guān)的參數(shù)已知的情況下，可以計(jì)算得到電感的參數(shù)值。因?yàn)榧尤胼斎肫ヅ潆娐泛蟮牡刃ё杩箊20+z30與輸入阻抗zin能實(shí)現(xiàn)較好的匹配，因此，輸入端的回波損耗可滿足要求。其中，因?yàn)殡姼屑捎诠杌酒希?，電感的品質(zhì)因數(shù)一般不大于5。因?yàn)殡姼械钠焚|(zhì)因數(shù)小，因此在非負(fù)增益模式下，可控衰減電路的頻選特性不明顯，頻率響應(yīng)帶寬較寬。在負(fù)增益模式下，回波損耗和頻率響應(yīng)帶寬也能滿足要求。在一個(gè)可能的示例中，驅(qū)動(dòng)放大電路102包括：第二電容c2、第二mos管t2和第三mo...

用于使所述可控衰減電路和所述驅(qū)動(dòng)放大電路之間阻抗匹配；所述驅(qū)動(dòng)放大電路，用于放大所述輸入匹配電路輸出的信號(hào)；所述反饋電路，用于調(diào)節(jié)所述射頻功率放大器電路的增益；所述級(jí)間匹配電路，用于使所述驅(qū)動(dòng)放大電路和所述功率放大電路之間阻抗匹配；所述功率放大電路，用于放大所述級(jí)間匹配電路輸出的信號(hào)；所述輸出匹配電路，用于使所述射頻功率放大器電路和后級(jí)電路之間阻抗匹配。本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種增益控制方法，應(yīng)用于上述的射頻功率放大器電路，所述方法包括：終端中的微控制器通過(guò)通信模組接收到控制信息后，確定所述射頻功率放大器電路的工作模式，并通過(guò)發(fā)送模式控制信號(hào)控制所述射頻功率放大器電路進(jìn)入所述工作模式；所述可...

用于使所述可控衰減電路和所述驅(qū)動(dòng)放大電路之間阻抗匹配；所述驅(qū)動(dòng)放大電路，用于放大所述輸入匹配電路輸出的信號(hào)；所述反饋電路，用于調(diào)節(jié)所述射頻功率放大器電路的增益；所述級(jí)間匹配電路，用于使所述驅(qū)動(dòng)放大電路和所述功率放大電路之間阻抗匹配；所述功率放大電路，用于放大所述級(jí)間匹配電路輸出的信號(hào)；所述輸出匹配電路，用于使所述射頻功率放大器電路和后級(jí)電路之間阻抗匹配。本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種增益控制方法，應(yīng)用于上述的射頻功率放大器電路，所述方法包括：終端中的微控制器通過(guò)通信模組接收到控制信息后，確定所述射頻功率放大器電路的工作模式，并通過(guò)發(fā)送模式控制信號(hào)控制所述射頻功率放大器電路進(jìn)入所述工作模式；所述可...

以對(duì)輸入至功率合成變壓器的信號(hào)進(jìn)行對(duì)應(yīng)的匹配濾波處理。在具體實(shí)施中，子濾波電路可以包括電容c1，電容c1的端可以與功率合成變壓器的輸入端以及功率放大單元的輸入端耦接，第二端可以接地。在本發(fā)明實(shí)施例中，為提高諧波濾波性能，子濾波電路還可以包括電感l(wèi)1，電感l(wèi)1可以設(shè)置電容c1的第二端與地之間。參照?qǐng)D2，給出了本發(fā)明實(shí)施例中的另一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。圖2中，子濾波電路包括電感l(wèi)1以及電容c1，電感l(wèi)1串聯(lián)在電容c1的第二端與地之間。在具體實(shí)施中，第二子濾波電路可以包括第二電容c2，第二電容c2的端可以與功率合成變壓器的第二輸入端以及功率放大單元的第二輸入端耦接，第二端可以接地。在...

LX5535+LX5530出現(xiàn)在AtherosAP96高功率版本參考設(shè)計(jì)中，F(xiàn)EM多次出現(xiàn)在無(wú)線網(wǎng)卡參考設(shè)計(jì)中。LX5518則是近年應(yīng)用較多的一款高功率PA，與后文即將出現(xiàn)的SkyworksSE2576十分接近。毫不夸張地講，MicrosemiLX5518與SkyworksSE2576占據(jù)了。LX5518的強(qiáng)悍性能如下圖所示。RFaxisRFaxis是一家相對(duì)較新的射頻半導(dǎo)體公司，成立于2008年1月，總部設(shè)于美國(guó)加州，專(zhuān)業(yè)從事射頻半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)。憑借其獨(dú)有的技術(shù)，RFaxis公司專(zhuān)為數(shù)十億美元的Bluetooth、WLAN、、ZigBee、AMR/AMI和無(wú)線音頻/視頻市場(chǎng)設(shè)計(jì)的...

射頻功率放大器電路，用于根據(jù)微控制器的控制，對(duì)射頻收發(fā)器的輸出信號(hào)進(jìn)行放大或衰減；天線，用于發(fā)射射頻功率放大器電路的輸出信號(hào)。由于終端(如水電表)分布范圍廣，每個(gè)終端距離基站的距離各不相同，距離基站遠(yuǎn)的終端，其信道衰減量大，因此需要射頻功率放大器電路的輸出功率大；而距離基站近的終端，其信道衰減量小，因此需要射頻功率放大器電路的輸出功率小。微控制器通過(guò)控制射頻功率放大器電路的輸入功率和增益，從而控制其輸出功率，使其輸出功率滿足要求。例如，基站使用預(yù)先確定的通信資源發(fā)送同步信號(hào)(synchronizationchannel，sch)和廣播信號(hào)(broadcastchannel，bch)。然...

nmos管mn07的漏極和nmos管mn08的漏極分別連接第三變壓器t03的原邊。在第二主體電路率放大器中源放大器的柵極與激勵(lì)放大器的輸出端連接，功率放大器柵放大器的漏極連接第四變壓器的原邊。如圖3所示，nmos管mn13的柵極、nmos管mn14的柵極為功率放大器的輸入端，nmos管mn13的柵極、nmos管mn14的柵極與激勵(lì)放大器的輸出端連接。nmos管mn15的漏極和nmos管mn16的漏極分別連接第四變壓器t04的原邊。nmos管mn05的源極、nmos管mn06的源極接地，nmos管mn13的源極、nmos管mn14的源極接地。nmos管mn07的柵極和nmos管mn08的...

當(dāng)?shù)诙訛V波電路包括第二電容c2以及第二電感l(wèi)2時(shí)，第二電容c2與第二電感l(wèi)2的諧振頻率在功率放大單元的二次諧波頻率附近。因此，在具體應(yīng)用中，可以根據(jù)功率放大單元的二次諧波頻率，選擇相應(yīng)電容值的電容c1以及相應(yīng)電感值的電感l(wèi)1，以實(shí)現(xiàn)諧振頻率的匹配；和/或，選擇相應(yīng)電容值的第二電容c2以及相應(yīng)電感值的第二電感l(wèi)2，以實(shí)現(xiàn)諧振頻率的匹配。在具體實(shí)施中，電容c1可以是片上可調(diào)節(jié)的可調(diào)電容，通過(guò)調(diào)節(jié)電容c1的電容值，能夠進(jìn)一步改善射頻功率放大器的寬帶性能。相應(yīng)地，第二電容c2也可以是片上可調(diào)節(jié)的可調(diào)電容，通過(guò)調(diào)節(jié)第二電容c2的電容值，能夠進(jìn)一步改善射頻功率放大器的寬帶性能。在圖1與圖2中，子...

被公認(rèn)為是很合適的通信用半導(dǎo)體材料。在手機(jī)無(wú)線通信應(yīng)用中，目前射頻功率放大器絕大部分采用GaAs材料。在GSM通信中，國(guó)內(nèi)的紫光展銳和漢天下等芯片設(shè)計(jì)企業(yè)曾憑借RFCMOS制程的高集成度和低成本的優(yōu)勢(shì)，打破了采用國(guó)際廠商采用傳統(tǒng)的GaAs制程完全主導(dǎo)射頻功放的格局。但是到了4G時(shí)代，由于Si材料存在高頻損耗、噪聲大和低輸出功率密度等缺點(diǎn)，RFCMOS已經(jīng)不能滿足要求，手機(jī)射頻功放重新回到GaAs制程完全主導(dǎo)的時(shí)代。與射頻功放器件依賴(lài)于GaAs材料不同，90%的射頻開(kāi)關(guān)已經(jīng)從傳統(tǒng)的GaAs工藝轉(zhuǎn)向了SOI（Silicononinsulator）工藝，射頻收發(fā)機(jī)大多數(shù)也已采用RFCMOS制程，從而...

第六電容的第二端連接第二開(kāi)關(guān)的端，第二開(kāi)關(guān)的第二端連接第五電阻的端，第五電阻的第二端連接第五電容的端，第五電容的第二端和第三電容的第二端連接第二電感的第二端；其中，第二開(kāi)關(guān)，用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的第七控制信號(hào)使自身處于關(guān)斷狀態(tài)，以降低反饋深度，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式；還用于響應(yīng)第八控制信號(hào)使自身處于導(dǎo)通狀態(tài)，以增加反饋深度，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式。需要說(shuō)明的是，假設(shè)射頻功率放大器電路在未加入反饋電路時(shí)的放大系數(shù)為a，反饋電路的反饋系數(shù)為f，則加入反饋電路后射頻功率放大器電路100的放大系數(shù)af＝a/(1+af)，隨著反饋電路中等效電阻阻值的降低，反饋系數(shù)f...

第七電感l(wèi)7與第五電容c5組成諧振電路。在具體實(shí)施中，射頻功率放大器還可以包括驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路的輸入端可以接收輸入信號(hào)，驅(qū)動(dòng)電路的輸出端可以輸出差分信號(hào)input_p，驅(qū)動(dòng)電路的第二輸出端可以輸出第二差分信號(hào)input_n。驅(qū)動(dòng)電路可以起到將輸入信號(hào)進(jìn)行差分的操作，并對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，提高輸入信號(hào)的驅(qū)動(dòng)能力。參照?qǐng)D7，給出了本發(fā)明實(shí)施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。在圖7中，增加了驅(qū)動(dòng)電路?？梢岳斫獾氖?，在圖1～圖6中，也可以通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路來(lái)對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行差分處理，得到差分信號(hào)input_p以及第二差分信號(hào)input_n。在具體實(shí)施中，匹配濾波電路還可以包括功率合成變壓器對(duì)應(yīng)...

將導(dǎo)致更復(fù)雜的天線調(diào)諧器和多路復(fù)用器。RF系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）市場(chǎng)可分為一級(jí)和二級(jí)SiP封裝：各種RF器件的一級(jí)封裝，如芯片/晶圓級(jí)濾波器、開(kāi)關(guān)和放大器（包括RDL、RSV和/或凸點(diǎn)步驟）；在表面貼裝（SMT）階段進(jìn)行的二級(jí)SiP封裝，其中各種器件與無(wú)源器件一起組裝在SiP基板上。2018年，射頻前端模組SiP市場(chǎng)（包括一級(jí)和二級(jí)封裝）總規(guī)模為33億美元，預(yù)計(jì)2018~2023年期間的復(fù)合年均增長(zhǎng)率（CAGR）將達(dá)到，市場(chǎng)規(guī)模到2023年將增長(zhǎng)至53億美元。預(yù)測(cè)2023年，PAMiDSiP組裝預(yù)計(jì)將占RFSiP市場(chǎng)總營(yíng)收的39%。2018年，晶圓級(jí)封裝大約占RFSiP組裝市場(chǎng)總量的9%。移動(dòng)領(lǐng)...