納米銀膏是一種高導(dǎo)熱導(dǎo)電材料，導(dǎo)熱率是傳統(tǒng)軟釬焊料的數(shù)倍，它通過獨(dú)特的納米技術(shù)將銀顆粒細(xì)化到納米級(jí)別，燒結(jié)后器件表面形成納米銀層，能夠迅速將器件產(chǎn)生的熱量傳遞到基板/散熱器，有效降低器件的工作溫度。 此外，納米銀膏還具有高粘接強(qiáng)度和高可靠性，能夠與Ag、Au、Cu基材牢固結(jié)合，不易脫落或剝落。它還具有抗氧化、抗腐蝕和等特性，能夠保護(hù)器件免受外界環(huán)境的影響，延長器件的使用壽命。 總之，納米銀膏作為一種高導(dǎo)熱導(dǎo)電、高可靠性封裝材料，能夠有效解決器件散熱問題，提高設(shè)備的穩(wěn)定性和使用壽命。它的應(yīng)用前景廣闊，在電子、通信、汽車等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。納米銀膏可以更有效的提高大功率硅基IGBT模塊的工作環(huán)境溫度及使用壽命。湖南低溫固化納米銀膏生產(chǎn)廠家

納米銀膏是一種低溫?zé)Y(jié)、高溫服役、高導(dǎo)熱導(dǎo)電封裝用材料。它由納米級(jí)的銀顆粒組成，具有優(yōu)異的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性和高可靠性。納米銀膏在功率半導(dǎo)體制造過程中發(fā)揮著重要的作用。 首先，納米銀膏可以用于半導(dǎo)體器件的電極連接。由于其優(yōu)異的導(dǎo)電性能，納米銀膏能夠提供穩(wěn)定的電流傳輸，確保半導(dǎo)體器件的正常工作。 其次，納米銀膏還可以用于半導(dǎo)體芯片的散熱。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，芯片的功率密度不斷增加，導(dǎo)致散熱問題日益突出。納米銀膏具有良好的導(dǎo)熱性能，能夠迅速將熱量傳導(dǎo)到散熱器上，有效降低芯片的溫度，提高其穩(wěn)定性和壽命。 總之，納米銀膏作為一種重要的散熱材料在功率半導(dǎo)體行業(yè)中得到比較廣應(yīng)用。它的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性和高可靠性提高了器件的性能和壽命。未來，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，納米銀膏的應(yīng)用前景將更加廣闊。高導(dǎo)熱納米銀膏哪家好納米銀膏焊接原理是銀離子擴(kuò)散融合和界面形成冶金鏈接，因此需要焊接面鍍金/鍍銀/鍍銅。

納米銀膏在大功率LED封裝上的應(yīng)用優(yōu)勢 納米銀膏是一種先進(jìn)的高導(dǎo)熱導(dǎo)電材料，具有許多獨(dú)特的特點(diǎn)和優(yōu)勢，為大功率LED封裝提供了的性能和可靠性。 首先，納米銀膏具有優(yōu)異的導(dǎo)電性能。其納米級(jí)別的銀顆粒能夠形成高度連接的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，提供出色的電流傳輸能力。這使得大功率LED能夠更高效地發(fā)光，并提高整體亮度和光效。 其次，納米銀膏具有良好的熱導(dǎo)性能。大功率LED在使用過程中會(huì)產(chǎn)生大量的熱量，如果不能及時(shí)散熱，會(huì)導(dǎo)致芯片溫度升高，影響LED的性能和壽命。而納米銀膏的高熱導(dǎo)率能夠迅速將熱量傳導(dǎo)到散熱器或散熱體上，有效降低芯片溫度，延長LED的使用壽命。 此外，納米銀膏還具有高粘接強(qiáng)度和高可靠性，確保LED封裝的穩(wěn)定性和可靠性。同時(shí)，納米銀膏具有良好的耐腐蝕性和抗老化性，能夠在長時(shí)間運(yùn)行中保持穩(wěn)定的性能。 ，納米銀膏還具有環(huán)保特性。與傳統(tǒng)的含鉛焊料相比，納米銀膏不含鉛，對環(huán)境友好。這符合環(huán)保要求。

納米銀膏：是一款高導(dǎo)熱導(dǎo)電，高粘接強(qiáng)度，環(huán)境友好型電子封裝材料 隨著航空航天和雷達(dá)的微波射頻器件、通信網(wǎng)絡(luò)基站、大型服務(wù)器以及新能源汽車電源模塊為的半導(dǎo)體器件功率密度逐步增大，從而引起器件工作時(shí)的熱通量也越來越大。若高熱量無法快速排出，會(huì)造成功率半導(dǎo)體器件性能下降、連接可靠性下降的風(fēng)險(xiǎn)。 因此半導(dǎo)體器件連接對釬料的導(dǎo)熱性能和可靠性提出了更高的要求。為了滿足這一需求，我們推出了全新的納米銀膏。 納米銀膏的主要成分是納米級(jí)的銀顆粒，這些顆粒經(jīng)過特殊工藝處理后，具有極高的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性。這使得納米銀膏在SiC、GaN 三代半導(dǎo)體功率器件，大功率激光器、MOSFET 及 IGBT 器件，電網(wǎng)的逆變轉(zhuǎn)換器，新能源汽車電源模塊，半導(dǎo)體集成電路，光電 器件以及其它需要高導(dǎo)熱、高導(dǎo)電的領(lǐng)域具有比較廣的應(yīng)用前景納米銀膏具有良好潤濕性，能夠有效地提高焊接質(zhì)量。

納米銀膏在封裝行業(yè)的應(yīng)用非常比較廣，尤其是在功率半導(dǎo)體器件的封裝中。納米銀膏兼容錫膏的點(diǎn)膠、印刷工藝和設(shè)備，其工藝溫度低，連接強(qiáng)度高，燒結(jié)后為100%Ag，理論熔點(diǎn)達(dá)到961℃。因此，它可替代現(xiàn)有的高鉛焊料應(yīng)用，且導(dǎo)熱性能優(yōu)異，適用于SIC、IGBT、LED、射頻等功率元器件的封接。 在功率半導(dǎo)體器件封裝中，納米銀膏由于其低溫?zé)Y(jié)、高溫服役、高導(dǎo)熱、導(dǎo)電性，高粘接強(qiáng)度及高可靠性的優(yōu)勢，使得它在功率電子器件封裝領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。納米銀膏因其低電阻和高穩(wěn)定性，長期服役不會(huì)導(dǎo)致電阻明顯升高。陜西車規(guī)級(jí)納米銀膏價(jià)格

納米銀膏的熱導(dǎo)率比傳統(tǒng)軟釬焊料高出約5倍，可以更有效地降低有源區(qū)溫度，提高器件的穩(wěn)定性和使用壽命。湖南低溫固化納米銀膏生產(chǎn)廠家

納米銀膏在SIC/GaN功率器件上應(yīng)用背景 功率器件發(fā)展迅速并被比較廣運(yùn)用，其設(shè)計(jì)與制造朝著高頻開關(guān)速率、高功率密度、高結(jié)溫等方向發(fā)展，尤其是第三代半導(dǎo)體SiC/GaN材料的出現(xiàn)，相對于傳統(tǒng)的Si基材料，第三代半導(dǎo)體有著高結(jié)溫 、低導(dǎo)通電阻、高臨界擊穿場強(qiáng)、高開關(guān)頻率等性能優(yōu)勢。在常規(guī)封裝的功率開關(guān)器件中，芯片底部的互連一般采用釬焊工藝，考慮到無鉛化的要求，所選擇的焊料熔點(diǎn)都低于250 ℃，如常用的 SnAgCu 系和 SnSb 系焊料等，因此不能充分發(fā)揮SiC/GaN芯片的高耐溫性能。此外，焊料在界面處極易產(chǎn)生脆硬的金屬間化合物，給產(chǎn)品的可靠性帶來了新的挑戰(zhàn)。目前，納米銀燒結(jié)技術(shù)是一種有效解決方案，銀因其熔點(diǎn)高達(dá)961 ℃，將其作為連接材料能極大提高器件封裝結(jié)構(gòu)的溫度耐受性，且納米銀的燒結(jié)溫度卻低于250℃，使用遠(yuǎn)低于熔點(diǎn)的燒結(jié)溫度就能得到較為致密的組織結(jié)構(gòu)，燒結(jié)后的銀層耐熱溫度高，連接強(qiáng)度高，導(dǎo)熱、導(dǎo)電性能良好湖南低溫固化納米銀膏生產(chǎn)廠家