對(duì)于該類探測(cè)器,基底由Si變?yōu)镚e時(shí),其探測(cè)波段可從IR延伸到THz,在這里姑且將Si基與Ge基兩類放在一起加以闡述?傳統(tǒng)的非本征探測(cè)器是基于被摻雜的Ge或Si作為吸收材料制作而成的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的PC探測(cè)器,主要有Ge:X[X=Hg?Ga?鈹(Be)?鋅(Zn)]?Si:Y[Y=Ga?砷(As)?銦(In)]等類型?這類探測(cè)器的響應(yīng)范圍取決于雜質(zhì)元素在基底里的離化能量,一般可覆蓋LWIR?VLWIR乃至THz波段,但需要在低溫(<10K)下工作?由于響應(yīng)波段很寬,非本征探測(cè)器被應(yīng)用到了航天領(lǐng)域,然而困境也隨之出現(xiàn):在太空中核輻射對(duì)探測(cè)器響應(yīng)的影響較大,需要減薄探測(cè)器吸收層來(lái)降低影響,但這樣也會(huì)使量子效率降低在電力行業(yè)，很早就將紅外熱像儀運(yùn)用于設(shè)備的安全檢。德國(guó)testo紅外熱像儀產(chǎn)品介紹

晶格失配度比較低時(shí)，紅外熱像儀InGaAs探測(cè)器的截止波長(zhǎng)約為1.7μm，此時(shí)探測(cè)器所能達(dá)到的探測(cè)率是比較高的，接近于理論極限。由于在NIR波段表現(xiàn)出的優(yōu)異性能，InGaAs探測(cè)器受到了來(lái)自包括美、法、德、日等多個(gè)國(guó)家的眾多制造商的矚目與重視，其中以美國(guó)TJT(Telddyne Judson Technologies)的成就**為突出。InGaAs探測(cè)器的響應(yīng)波段剛好覆蓋了夜空輝光的光譜帶，有利于夜間觀測(cè)目標(biāo)物體的發(fā)射，因此在高空偵察方面有重要的應(yīng)用價(jià)值，如美國(guó)U-2偵察機(jī)就裝備了以InGaAs FPA探測(cè)器為**技術(shù)的SYERS Ⅱ照相機(jī)。電力測(cè)溫**紅外熱像儀樣品通俗地講熱像儀就是將物體發(fā)出的不可見(jiàn)紅外能量轉(zhuǎn)變?yōu)榭梢?jiàn)的熱圖像。

由于大尺寸HgCdTe FPA探測(cè)器的制作成本居高不下,QWIP FPA探測(cè)器被寄予厚望,因而發(fā)展迅速?在LWIR波段,目前QWIP FPA探測(cè)器的性能足以與**的HgCdTe相媲美?QWIP也存在一些缺點(diǎn):因存在與子帶間躍遷相關(guān)的基本限制,QWIP需要的工作溫度較低(一般低于液氮溫度)，QWIP的量子效率普遍很低?一般而言,PC探測(cè)器的響應(yīng)速度比PV慢,但QWIP PC探測(cè)器的響應(yīng)速度與其它PV紅外熱像儀相當(dāng),所以大規(guī)模QWIP FPA探測(cè)器也被研制了出來(lái)?與HgCdTe—樣,QWIP FPA探測(cè)器也是第三代IR成像系統(tǒng)的重要成員,這類探測(cè)器在民用與天文等領(lǐng)域都有著大量的使用案例?

一般而言,所謂的T2SLS探測(cè)器都是基于砷化銦(InAs)/銻化鎵(GaSb)材料制作的?InAs/GaSb T2SLS是一個(gè)由InAs和GaSb薄層交替構(gòu)筑的多量子阱交互作用體系,該結(jié)構(gòu)中InAs與GaAs的能帶以II類方式對(duì)準(zhǔn)?這種能帶續(xù)接方式可引發(fā)強(qiáng)有力的載流子隧穿現(xiàn)象,使該結(jié)構(gòu)適用于MIR和LWIR探測(cè)?理論預(yù)言在LWIR波段的性能T2SLS探測(cè)器的性能有望超過(guò)QWIP和HgCdTe探測(cè)器,然而在實(shí)驗(yàn)中,T2SLS探測(cè)器的暗電流仍處于較高的水平,遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到預(yù)期目**24x1024規(guī)模的T2SLS FPA探測(cè)器已研制成功,彰顯了這種探測(cè)器的巨大潛力?與前面幾種探測(cè)器一樣,T2SLS FPA探測(cè)器也是第三代紅外熱像儀系統(tǒng)的成員之一電力行業(yè)采用紅外熱像儀對(duì)輸電線路和變電站進(jìn)行定期巡檢，預(yù)防電氣故障。

紅外熱像儀的測(cè)量精度取決于多個(gè)因素，包括設(shè)備的技術(shù)規(guī)格、傳感器的質(zhì)量、環(huán)境條件等。一般來(lái)說(shuō)，紅外熱像儀的測(cè)量精度可以達(dá)到±2°C或更高的精度。然而，需要注意的是，紅外熱像儀的測(cè)量精度可能會(huì)受到一些因素的影響，例如：距離因素：紅外熱像儀的測(cè)量精度通常是在一定的測(cè)量距離范圍內(nèi)進(jìn)行評(píng)估的。如果距離目標(biāo)過(guò)遠(yuǎn)或過(guò)近，可能會(huì)影響測(cè)量的準(zhǔn)確性。溫度范圍：不同型號(hào)的紅外熱像儀具有不同的測(cè)量溫度范圍。在設(shè)備的工作溫度范圍之外進(jìn)行測(cè)量可能會(huì)導(dǎo)致測(cè)量誤差增加。環(huán)境條件：紅外熱像儀的測(cè)量精度可能會(huì)受到環(huán)境溫度、濕度、大氣條件等因素的影響。在極端的環(huán)境條件下，測(cè)量精度可能會(huì)有所降低。目標(biāo)表面特性：不同材料的表面反射率和輻射率不同，這可能會(huì)影響紅外熱像儀的測(cè)量精度。對(duì)于具有低輻射率的目標(biāo)，可能需要進(jìn)行校正或使用特殊的測(cè)量方法。紅外熱成像儀能夠接收紅外線，生成紅外圖像或熱輻射圖像，并且能夠提供精確的非接觸式溫度測(cè)量功能。福祿克紅外熱像儀代理商

工業(yè)中紅外熱像技術(shù)的另一用途是精確檢測(cè)運(yùn)行中機(jī)器，使機(jī)器保持持安全運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)。德國(guó)testo紅外熱像儀產(chǎn)品介紹

截止目前,紅外熱像儀HgCdTe材料依舊是制作高性能IR光子探測(cè)器的比較好的材料?與InGaAs類似,HgCdTe也是一種三元系半導(dǎo)體化合物,其帶隙也會(huì)隨組分的改變而改變,借此HgCdTe探測(cè)器可覆蓋1-22μm的超寬波段?HgCdTe探測(cè)器在NIR?MIR和LWIR三個(gè)波段都能表現(xiàn)出十分優(yōu)異的性能,所以它問(wèn)世不久便成為了IR探測(cè)器大家族中的霸主?然而,隨著近些年InGaAs探測(cè)器的興起,HgCdTe探測(cè)器在NIR波段的地位日趨下降;在MIR波段,雖然InSb探測(cè)器的探測(cè)率不如HgCdTe探測(cè)器,但由于InSb的材料生長(zhǎng)技術(shù)比HgCdTe成熟,HgCdTe探測(cè)器在該波段已達(dá)不到一家獨(dú)大的地步;對(duì)于LWIR波段,HgCdTe探測(cè)器仍具有很強(qiáng)的統(tǒng)治地位?德國(guó)testo紅外熱像儀產(chǎn)品介紹