場效應(yīng)管MOSFET分類MOSFET分為兩大類：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET起到的作用相當(dāng)于一個開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS（ON）。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此，總 是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計意圖工作，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時，開關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。上海st場效應(yīng)管用途

場效應(yīng)管介紹：場效應(yīng)晶體管（縮寫FET）簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（10^8~10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS（柵源電壓）來控制ID（漏極電流）；場效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；由于不存在雜亂運(yùn)動的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲相對會比較低。中山全自動場效應(yīng)管現(xiàn)貨場效應(yīng)晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法來區(qū)分。

場效應(yīng)管的應(yīng)用常用的場效應(yīng)晶體管是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 。CMOS (互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝技術(shù)是現(xiàn)代數(shù)字化集成電路的基礎(chǔ)。這種工藝技術(shù)采用一種增強(qiáng)模式設(shè)計，即p溝道MOSFET和n溝道MOSFET串聯(lián)連接，使得當(dāng)一個導(dǎo)通時，另一個閉合。在場效應(yīng)晶體管中，當(dāng)以線性模式工作時，電子可以沿任意方向流過溝道。漏極和源極的命名慣例有些隨意，因為器件通常(但不總是)從源極到漏極對稱構(gòu)建。這使得場效應(yīng)晶體管適合在路徑之間切換模擬信號(多路復(fù)用)。利用這個概念可用于構(gòu)建固態(tài)混合板。

場效應(yīng)管的類型：DEPFET 是在完全耗盡的襯底中形成的場效應(yīng)晶體管，同時充當(dāng)傳感器、放大器和存儲器節(jié)點(diǎn)。它可以用作圖像(光子)傳感器。FREDFET (快速反向或快速恢復(fù)外延二極管場效應(yīng)晶體管)是一種用于提供非常快速的重啟（關(guān)閉）體二極管的特殊的場效應(yīng)晶體管，HIGFET (異質(zhì)結(jié)構(gòu)絕緣柵場效應(yīng)晶體管)現(xiàn)在主要用于研究MODFET(調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管)是使用通過在有源區(qū)分級摻雜形成的量子阱結(jié)構(gòu)的高電子遷移率晶體管。TFET ( 隧道場效應(yīng)晶體管)是以帶對帶隧道基的晶體管IGBT(IGBT高頻爐)是一種功率控制裝置。它與類雙極的主導(dǎo)電溝道的MOSFET的結(jié)構(gòu)，并常用于200-3000伏的漏源電壓工作范圍。功率MOSFET 仍然是1至200 V漏源電壓的器件。HEMT ( 高電子遷移率晶體管)，也稱為HFET(異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)晶體管)，可以在諸如AlGaAs 的三元半導(dǎo)體中使用帶隙工程來制造。完全耗盡的寬帶隙材料形成柵極和主體之間的絕緣。場效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對稱的，可以互換使用。

場效應(yīng)管場效晶體管（場效應(yīng)晶體管、場效應(yīng)管)是一種用電場效應(yīng)來控制電流的電子器件。場效應(yīng)晶體管是一種三極管，包括源極、柵極和漏極。場效應(yīng)晶體管通過向柵極施加電壓來控制電流，這反過來會改變漏極和源極之間的電導(dǎo)率。場效應(yīng)晶體管因其只需要一種載流子起作用，故又稱為單極型晶體管。場效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的結(jié)構(gòu)和工作原理而制成的傳感器。即，場效應(yīng)晶體管以電子或空穴中的一種作為載流子?，F(xiàn)已有許多不同類型的場效應(yīng)晶體管。場效應(yīng)晶體管通常在低頻時顯示非常高的輸入阻抗。場效應(yīng)管是電壓控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低。中山P溝耗盡型場效應(yīng)管特點(diǎn)

場效應(yīng)管在源極金屬與襯底連在一起時，源極和漏極可以互換使用。上海st場效應(yīng)管用途

場效應(yīng)管電極：所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個端，分別大致對應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行；在電路設(shè)計中，很少讓體端發(fā)揮大的作用，但是當(dāng)物理設(shè)計一個集成電路的時候，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長度（length）L，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多。長度1微米的柵極限制較高頻率約為5GHz，0.2微米則是約30GHz。上海st場效應(yīng)管用途

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