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場(chǎng)效應(yīng)管電極：所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個(gè)第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行；在電路設(shè)計(jì)中，很少讓體端發(fā)揮大的作用，但是當(dāng)物理設(shè)計(jì)一個(gè)集成電路的時(shí)候，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長(zhǎng)度（length）L，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長(zhǎng)度大得多。長(zhǎng)度1微米的柵極限制較...

用感應(yīng)信號(hào)輸人法估測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力具體方法：用萬(wàn)用表電阻的R×100檔，紅表筆接源極Ｓ，黑表筆接漏極Ｄ，給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5Ｖ的電源電壓，此時(shí)表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極Ｇ，將人體的感應(yīng)電壓信號(hào)加到柵極上。這樣，由于管的放大作用，漏源電壓VDS和漏極電流Iｂ都要發(fā)生變化，也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極表針擺動(dòng)較小，說(shuō)明管的放大能力較差；表針擺動(dòng)較大，表明管的放大能力大；若表針不動(dòng)，說(shuō)明管是壞的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常比雙極結(jié)型晶體管 (BJT)產(chǎn)生更少的噪聲，因此可應(yīng)用于噪聲敏感電子器件。湖州N溝耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)...

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):用25W電烙鐵焊接時(shí)應(yīng)迅速，若用45～75W電烙鐵焊接，應(yīng)用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管可用表電阻檔定性地檢查管子的質(zhì)量（檢查各PN結(jié)的正反向電阻及漏源之間的電阻值），而絕緣柵場(chǎng)效管不能用萬(wàn)用表檢查，必須用測(cè)試儀，而且要在接入測(cè)試儀后才能去掉各電極短路線。取下時(shí)，則應(yīng)先短路再取下，關(guān)鍵在于避免柵極懸空。在要求輸入阻抗較高的場(chǎng)合使用時(shí)，必須采取防潮措施，以免由于溫度影響使場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻降低。如果用四引線的場(chǎng)效應(yīng)管，其襯底引線應(yīng)接地。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性，應(yīng)注意避光使用。場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)。佛山P溝道場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)：① 開(kāi)啟電壓VGS（t...

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)管，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過(guò)管的耗散功率，較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值。各類型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中，要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝道管柵極不能加正偏壓；P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等。MOS場(chǎng)效應(yīng)管由于輸入阻抗極高，所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場(chǎng)效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi)，保存時(shí)比較好放在金屬盒內(nèi)，同時(shí)也要注意管的防潮。場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管更好的熱穩(wěn)定性，抗輻射性和較低噪聲 。單級(jí)場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管...

場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話說(shuō)，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制”。更正確地說(shuō)，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過(guò)渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽?，根?jù)漏極-源極間所加VDS的電場(chǎng)，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動(dòng)。從門極向漏極擴(kuò)展的過(guò)度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過(guò)渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。場(chǎng)效應(yīng)管高中低頻能量分配適當(dāng)， 解析力和定位感均有較好表現(xiàn)，具有良好的聲場(chǎng)空間描繪能力 。東莞場(chǎng)效應(yīng)...

場(chǎng)效應(yīng)管在過(guò)渡層由于沒(méi)有電子、空穴的自由移動(dòng)，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動(dòng)。但是此時(shí)漏極-源極間的電場(chǎng)，實(shí)際上是兩個(gè)過(guò)渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場(chǎng)拉去的高速電子通過(guò)過(guò)渡層。因漂移電場(chǎng)的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次，VGS向負(fù)的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時(shí)過(guò)渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場(chǎng)大部分加到過(guò)渡層上，將電子拉向漂移方向的電場(chǎng)，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。場(chǎng)效應(yīng)管輸入結(jié)電容小（反饋電容），輸出端負(fù)載的變化對(duì)輸入端影響小。佛山場(chǎng)效應(yīng)管市場(chǎng)報(bào)價(jià)場(chǎng)效應(yīng)管以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個(gè)高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N...

場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是既有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電，被稱之為雙極型器件。有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比三極管好。場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低。P溝耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)場(chǎng)效應(yīng)管...

場(chǎng)效應(yīng)管輸入電阻基本是無(wú)窮大，但是GS之間存在一個(gè)電容，而且場(chǎng)效應(yīng)管能承受電流越大，Cgs一般也越大，在高速開(kāi)關(guān)時(shí)，MOS會(huì)在突然導(dǎo)通與突然關(guān)斷之間切換，那么前級(jí)的推動(dòng)電路就需要對(duì)MOS的輸入電容進(jìn)行充放電，如果不要驅(qū)動(dòng)電路，推動(dòng)電路加在MOS上的電壓上升速度或下降速度就可能不能滿足要求（推動(dòng)輸出電阻越大，MOS的Vgs上升或下降越慢），這樣就使得MOS在相當(dāng)一部分時(shí)間內(nèi)工作在線性區(qū)域，從而導(dǎo)致開(kāi)關(guān)效率降低！例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測(cè)一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）（4）檢查跨導(dǎo)將萬(wàn)用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極，黑表筆...

場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET運(yùn)用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于：首先驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡(jiǎn)單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小得多，而且通?？梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開(kāi)路TTL驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)；其次MOSFET的開(kāi)關(guān)速度比較迅速，能夠以較高的速度工作，因?yàn)闆](méi)有電荷存儲(chǔ)效應(yīng)；另外MOSFET沒(méi)有二次擊穿失效機(jī)理，它在溫度越高時(shí)往往耐力越強(qiáng)，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低，還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性 能。MOSFET已經(jīng)得到了大量應(yīng)用，在消費(fèi)電子、工業(yè)產(chǎn)品、機(jī)電設(shè)備、智能手機(jī)以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見(jiàn)。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(...

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例)，N溝道結(jié)構(gòu)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故PN基本上是不導(dǎo)電的，形成了所謂耗盡區(qū)，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí)，如果柵極電壓越負(fù)，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄，漏極電流ID就愈??；反之，如果柵極電壓沒(méi)有那么負(fù)，則溝道變寬，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說(shuō)，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件。不同場(chǎng)效應(yīng)管其關(guān)斷電壓略有不同。也正因?yàn)槿绱?，使得該電路不?huì)因?yàn)閮晒芡瑫r(shí)導(dǎo)通而造成電源短路。場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲放大電路的輸入級(jí)及要求信噪比較高的電路中要選用場(chǎng)效應(yīng)管。無(wú)錫...

場(chǎng)效應(yīng)管的類型：DEPFET 是在完全耗盡的襯底中形成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，同時(shí)充當(dāng)傳感器、放大器和存儲(chǔ)器節(jié)點(diǎn)。它可以用作圖像(光子)傳感器。FREDFET (快速反向或快速恢復(fù)外延二極管場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種用于提供非?？焖俚闹貑ⅲP(guān)閉）體二極管的特殊的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，HIGFET (異質(zhì)結(jié)構(gòu)絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)現(xiàn)在主要用于研究MODFET(調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是使用通過(guò)在有源區(qū)分級(jí)摻雜形成的量子阱結(jié)構(gòu)的高電子遷移率晶體管。TFET ( 隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是以帶對(duì)帶隧道基的晶體管IGBT(IGBT高頻爐)是一種功率控制裝置。它與類雙極的主導(dǎo)電溝道的MOSFET的結(jié)構(gòu)，并常用于200-3000伏的漏源...

場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù):場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數(shù)：1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓U GS=0時(shí)的漏源電流?！?、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓?！?、UT — 開(kāi)啟電壓。是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。4、gM — 跨導(dǎo)。是表示柵源電壓U GS — 對(duì)漏極電流I D的控制能力，即漏極電流I D變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM 是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管以電子或空穴中的一種作為載流子。廣州N溝增強(qiáng)型場(chǎng)效...

場(chǎng)效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號(hào)源額定電流極小的情況，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。場(chǎng)效應(yīng)管是多子導(dǎo)電，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電。由于少子的濃度對(duì)溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對(duì)于環(huán)境變化較大的場(chǎng)合，采用場(chǎng)效應(yīng)管比較合適。場(chǎng)效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開(kāi)關(guān)外，還可作壓控可變線性電阻使用。場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對(duì)稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù)。因此，使用場(chǎng)效應(yīng)管比晶體管靈活。場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。廣州加強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管命名場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試判定:柵極用萬(wàn)用表黑表...

場(chǎng)效應(yīng)管的歷史:場(chǎng)效應(yīng)晶體管的點(diǎn)項(xiàng)由朱利葉斯·埃德加·利林費(fèi)爾德于1926年以及奧斯卡·海爾于1934年分別提出。在此17年的權(quán)限期結(jié)束后不久，威廉姆·肖克利的團(tuán)隊(duì)于1947年在貝爾實(shí)驗(yàn)室觀察到晶體管效應(yīng)并闡釋了機(jī)理。隨后，在20世紀(jì)80年代，半導(dǎo)體器件(即結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管)才逐漸發(fā)展起來(lái)。1950年，日本工程師西澤潤(rùn)一和渡邊發(fā)明了點(diǎn)種結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管——靜電感應(yīng)晶體管 (SIT)。靜電感應(yīng)晶體管是一種短溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。1959年，由圣虎達(dá)溫·卡恩和馬丁·阿塔拉發(fā)明的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)在很大程度上取代了結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，并對(duì)數(shù)字電子發(fā)展產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。場(chǎng)效應(yīng)管它靠半導(dǎo)體...

場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制元件，這一點(diǎn)類似于電子管的三極管，但它的構(gòu)造與工作原理和電子管是截然不同的，與雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有如下特點(diǎn)：（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過(guò)UGS來(lái)控制ID；（2）場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；（5）場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)；（6）由于不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。場(chǎng)效應(yīng)管輸入結(jié)電容?。ǚ答侂娙荩?，輸出端負(fù)載的變化對(duì)輸入端影響小。珠海N型場(chǎng)效應(yīng)管特點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)：① 開(kāi)啟電壓VGS（t...

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。HIGFET (異質(zhì)結(jié)構(gòu)絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)現(xiàn)在主要用于研究。寧波MOS場(chǎng)效應(yīng)管作用場(chǎng)效應(yīng)管的電...

場(chǎng)效應(yīng)管的歷史:場(chǎng)效應(yīng)晶體管的點(diǎn)項(xiàng)由朱利葉斯·埃德加·利林費(fèi)爾德于1926年以及奧斯卡·海爾于1934年分別提出。在此17年的權(quán)限期結(jié)束后不久，威廉姆·肖克利的團(tuán)隊(duì)于1947年在貝爾實(shí)驗(yàn)室觀察到晶體管效應(yīng)并闡釋了機(jī)理。隨后，在20世紀(jì)80年代，半導(dǎo)體器件(即結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管)才逐漸發(fā)展起來(lái)。1950年，日本工程師西澤潤(rùn)一和渡邊發(fā)明了點(diǎn)種結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管——靜電感應(yīng)晶體管 (SIT)。靜電感應(yīng)晶體管是一種短溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。1959年，由圣虎達(dá)溫·卡恩和馬丁·阿塔拉發(fā)明的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)在很大程度上取代了結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，并對(duì)數(shù)字電子發(fā)展產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。場(chǎng)效應(yīng)管它是利用多...

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它的柵極到主電流電阻高（≥100 MΩ），從而使控制和流動(dòng)彼此。因?yàn)榛鶚O電流噪聲將隨著整形時(shí)間而增加，場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常比雙極結(jié)型晶體管 (BJT)產(chǎn)生更少的噪聲，因此可應(yīng)用于噪聲敏感電子器件，例如調(diào)諧器和用于甚高頻和衛(wèi)星接收機(jī)的低噪聲放大器。場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)輻射相對(duì)免疫。它在零漏極電流下不顯示失調(diào)電壓，因此是一款出色的信號(hào)斬波器。場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常比雙極結(jié)型晶體管具有更好的熱穩(wěn)定性。因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)晶體管是由柵極電荷控制的，所以在某下?tīng)顟B(tài)下一旦柵極閉合或打開(kāi)，就不會(huì)像使用雙極結(jié)晶體管或者是非閉鎖的繼電器一樣有額外的功率損耗。這允許極低功率開(kāi)關(guān)，這反過(guò)來(lái)又允許電路更小型化，因?yàn)榕c其...

場(chǎng)效應(yīng)管判定柵極:用萬(wàn)用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測(cè)出的阻值都很大，說(shuō)明均是反向電阻，該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。注意不能用此法判定絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測(cè)量時(shí)只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。臺(tái)州isc場(chǎng)效應(yīng)管命名場(chǎng)效應(yīng)管電極：所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三...

C-MOS場(chǎng)效應(yīng)管（增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管）電路將一個(gè)增強(qiáng)型P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管和一個(gè)增強(qiáng)型N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管組合在一起使用。當(dāng)輸入端為低電平時(shí)，P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源正極接通。當(dāng)輸入端為高電平時(shí)，N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源地接通。在該電路中，P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管和N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管總是在相反的狀態(tài)下工作，其相位輸入端和輸出端相反。通過(guò)這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時(shí)由于漏電流的影響，使得柵壓在還沒(méi)有到0V，通常在柵極電壓小于1到2V時(shí)，MOS場(chǎng)效應(yīng)管既被關(guān)斷。場(chǎng)效應(yīng)管它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）。杭州st場(chǎng)效應(yīng)管生...

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時(shí)，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當(dāng)然，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵，焊接場(chǎng)效應(yīng)管是比較方便的，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時(shí)，好不要不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)必須注意。場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。寧波N溝耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管分類場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)：① 開(kāi)啟電壓VGS（t...

場(chǎng)效應(yīng)管使用時(shí)應(yīng)注意:（1）器件出廠時(shí)通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個(gè)塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個(gè)引腳連接在一起，或用錫紙包裝。（2）取出的器件不能在塑料板上滑動(dòng)，應(yīng)用金屬盤(pán)來(lái)盛放待用器件。（3）焊接用的電烙鐵必須良好接地。（4）在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接，再M(fèi)OS器件焊接完成后在分開(kāi)。（5）器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機(jī)時(shí)順序相反。（6）電路板在裝機(jī)之前，要用接地的線夾子去碰一下機(jī)器的各接線端子，再把電路板接上去。（7）場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極在允許條件下，比較好接入保護(hù)二極管。在檢修電路時(shí)應(yīng)注意查證原有的保護(hù)二極管是否損壞。場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)...

場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以由各種半導(dǎo)體制成，其中硅是目前常見(jiàn)的。大多數(shù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用傳統(tǒng)的批量半導(dǎo)體加工技術(shù)并由單晶半導(dǎo)體晶片作為有源區(qū)或溝道制造而成。特殊的基體材料包括非晶硅、多晶硅、其他非晶半導(dǎo)體以及薄膜晶體管、有機(jī)半導(dǎo)體基有機(jī)晶體管(OFET)。有機(jī)晶體管的柵極絕緣體和電極通常是由有機(jī)材料制成。這種特殊的場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用各種材料制造，例如碳化硅(SiC)、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)和砷化銦鎵(InGaAs)。2011年6月，IBM宣布已成功地將石墨烯基場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用于集成電路中。這些晶體管的頻率上限約為2.23 GHz，比標(biāo)準(zhǔn)硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管高得多。HIGFET (異質(zhì)結(jié)構(gòu)絕緣柵場(chǎng)...

場(chǎng)效應(yīng)管電極：所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個(gè)第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行；在電路設(shè)計(jì)中，很少讓體端發(fā)揮大的作用，但是當(dāng)物理設(shè)計(jì)一個(gè)集成電路的時(shí)候，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長(zhǎng)度（length）L，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長(zhǎng)度大得多。長(zhǎng)度1微米的柵極限制較...

場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET分類MOSFET分為兩大類：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET起到的作用相當(dāng)于一個(gè)開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS（ON）。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端，因此，總 是要在柵極加上一個(gè)電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時(shí)，開(kāi)關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過(guò)器件。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。場(chǎng)效應(yīng)管它靠半導(dǎo)體中的...

場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用常用的場(chǎng)效應(yīng)晶體管是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 。CMOS (互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝技術(shù)是現(xiàn)代數(shù)字化集成電路的基礎(chǔ)。這種工藝技術(shù)采用一種增強(qiáng)模式設(shè)計(jì)，即p溝道MOSFET和n溝道MOSFET串聯(lián)連接，使得當(dāng)一個(gè)導(dǎo)通時(shí)，另一個(gè)閉合。在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，當(dāng)以線性模式工作時(shí)，電子可以沿任意方向流過(guò)溝道。漏極和源極的命名慣例有些隨意，因?yàn)槠骷ǔ?但不總是)從源極到漏極對(duì)稱構(gòu)建。這使得場(chǎng)效應(yīng)晶體管適合在路徑之間切換模擬信號(hào)(多路復(fù)用)。利用這個(gè)概念可用于構(gòu)建固態(tài)混合板。場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管廠家供應(yīng)...

用測(cè)電阻法判別無(wú)標(biāo)志的場(chǎng)效應(yīng)管：首先用測(cè)量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個(gè)腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測(cè)的源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻值記下來(lái)，對(duì)調(diào)表筆再測(cè)量一次，把其測(cè)得電阻值記下來(lái)，兩次測(cè)得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極Ｄ；紅表筆所接的為源極Ｓ。用這種方法判別出來(lái)的Ｓ、Ｄ極，還可以用估測(cè)其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ極；紅表筆所接地是８極，兩種方法檢測(cè)結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極Ｄ、源極Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的對(duì)應(yīng)位置裝人電路，一般G1、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置，這就確定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置，從而就確定了Ｄ、S、G1...

場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效晶體管（場(chǎng)效應(yīng)晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管)是一種用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的電子器件。場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種三極管，包括源極、柵極和漏極。場(chǎng)效應(yīng)晶體管通過(guò)向柵極施加電壓來(lái)控制電流，這反過(guò)來(lái)會(huì)改變漏極和源極之間的電導(dǎo)率。場(chǎng)效應(yīng)晶體管因其只需要一種載流子起作用，故又稱為單極型晶體管。場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的結(jié)構(gòu)和工作原理而制成的傳感器。即，場(chǎng)效應(yīng)晶體管以電子或空穴中的一種作為載流子。現(xiàn)已有許多不同類型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常在低頻時(shí)顯示非常高的輸入阻抗。場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲放大電路的輸入級(jí)及要求信噪比較高的電路中要選用場(chǎng)效應(yīng)管。珠海N溝道場(chǎng)效應(yīng)管作用場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):為了安全使...

場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) :Idss — 飽和漏源電流.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,柵極電壓UGS=0時(shí)的漏源電流.Up — 夾斷電壓.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓.　Ut — 開(kāi)啟電壓.是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中,使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓.gM — 跨導(dǎo).是表示柵源電壓UGS — 對(duì)漏極電流ID的控制能力,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值.gM 是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù).BVDS — 漏源擊穿電壓.是指柵源電壓UGS一定時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的較大漏源電壓.這是一項(xiàng)極限參數(shù),加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BVDS.PDSM — ...

場(chǎng)效應(yīng)管的歷史:場(chǎng)效應(yīng)晶體管的點(diǎn)項(xiàng)由朱利葉斯·埃德加·利林費(fèi)爾德于1926年以及奧斯卡·海爾于1934年分別提出。在此17年的權(quán)限期結(jié)束后不久，威廉姆·肖克利的團(tuán)隊(duì)于1947年在貝爾實(shí)驗(yàn)室觀察到晶體管效應(yīng)并闡釋了機(jī)理。隨后，在20世紀(jì)80年代，半導(dǎo)體器件(即結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管)才逐漸發(fā)展起來(lái)。1950年，日本工程師西澤潤(rùn)一和渡邊發(fā)明了點(diǎn)種結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管——靜電感應(yīng)晶體管 (SIT)。靜電感應(yīng)晶體管是一種短溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。1959年，由圣虎達(dá)溫·卡恩和馬丁·阿塔拉發(fā)明的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)在很大程度上取代了結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，并對(duì)數(shù)字電子發(fā)展產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常比...