場效應管輸入電阻基本是無窮大，但是GS之間存在一個電容，而且場效應管能承受電流越大，Cgs一般也越大，在高速開關時，MOS會在突然導通與突然關斷之間切換，那么前級的推動電路就需要對MOS的輸入電容進行充放電，如果不要驅動電路，推動電路加在MOS上的電壓上升速度或下降速度就可能不能滿足要求（推動輸出電阻越大，MOS的Vgs上升或下降越慢），這樣就使得MOS在相當一部分時間內工作在線性區(qū)域，從而導致開關效率降低！例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）（4）檢查跨導將萬用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。場效應管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。東莞J型場效應管命名

場效應管的主要參數：① 開啟電壓VGS（th） （或VT）開啟電壓是MOS增強型管的參數，柵源電壓小于開啟電壓的好不要值，場效應管不能導通。② 夾斷電壓VGS（off） （或VP）夾斷電壓是耗盡型FET的參數，當VGS=VGS（off） 時，漏極電流為零。③ 飽和漏極電流IDSS耗盡型場效應三極管，當VGS=0時所對應的漏極電流。④ 輸入電阻RGS場效應三極管的柵源輸入電阻的典型值，對于結型場效應三極管，反偏時RGS約大于107Ω，對于絕緣柵場型效應三極管，RGS約是109～1015Ω。臺州金屬氧化半導體場效應管漏極(D)，載流子通過漏極離開溝道。通常，在漏極處進入通道的電流由ID表示。

MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對于P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上。場效應管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應管的原因。

場效應管的電極柵極可以被認為是控制一個物理柵的開關。這個柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道，從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個加上的電壓影響，電子流將從源極流向漏極。體很簡單的就是指柵、漏、源極所在的半導體的塊體。通常體端和一個電路中較高或較低的電壓相連，根據類型不同而不同。體端和源極有時連在一起，因為有時源也連在電路中較高或較低的電壓上。當然有時一些電路中FET并沒有這樣的結構，比如級聯傳輸電路和串疊式電路。柵極(G)，調制溝道電導率的電極。通過向柵極施加電壓，可以控制ID。

場效應管使用時應注意:（1）器件出廠時通常裝在黑色的導電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細銅線把各個引腳連接在一起，或用錫紙包裝。（2）取出的器件不能在塑料板上滑動，應用金屬盤來盛放待用器件。（3）焊接用的電烙鐵必須良好接地。（4）在焊接前應把電路板的電源線與地線短接，再MOS器件焊接完成后在分開。（5）器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機時順序相反。（6）電路板在裝機之前，要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子，再把電路板接上去。（7）場效應晶體管的柵極在允許條件下，比較好接入保護二極管。在檢修電路時應注意查證原有的保護二極管是否損壞。場效應管布局走線合理，整機穩(wěn)定性高，信噪比佳，音樂細節(jié)有很好表現 。杭州P溝耗盡型場效應管作用

1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導體場效應晶體管。東莞J型場效應管命名

場效應管注意事項:為了防止場效應管柵極感應擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時，應以適當的方式確保人體接地如采用接地環(huán)等；當然，如果能采用先進的氣熱型電烙鐵，焊接場效應管是比較方便的，并且確保安全；在未關斷電源時，好不要不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應管時必須注意。東莞J型場效應管命名

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