用測電阻法判別結(jié)型場效應(yīng)管的電極根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結(jié)型場效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極Ｇ。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極，測其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是ＰＮ結(jié)的反向，即都是反向電阻，可以判定是Ｎ溝道場效應(yīng)管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測出的電阻值均很小，說明是正向ＰＮ結(jié)，即是正向電阻，判定為Ｐ溝道場效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況，可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進行測試，直到判別出柵極為止。場效應(yīng)管因而被普遍用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。徐州場效應(yīng)管廠家供應(yīng)

與雙極型晶體管相比，場效應(yīng)管具有如下特點。（1）場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）；（2）場效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；（5）場效應(yīng)管的抗輻射能力強；（6）由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。徐州場效應(yīng)管廠家供應(yīng)場效應(yīng)晶體管的溝道是摻雜n型半導(dǎo)體或p型半導(dǎo)體的結(jié)果。

場效應(yīng)管的主要參數(shù) :Idss — 飽和漏源電流.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,柵極電壓UGS=0時的漏源電流.Up — 夾斷電壓.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓.　Ut — 開啟電壓.是指增強型絕緣柵場效管中,使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓.gM — 跨導(dǎo).是表示柵源電壓UGS — 對漏極電流ID的控制能力,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值.gM 是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù).BVDS — 漏源擊穿電壓.是指柵源電壓UGS一定時,場效應(yīng)管正常工作所能承受的較大漏源電壓.這是一項極限參數(shù),加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BVDS.PDSM — 較大耗散功率,也是一項極限參數(shù),是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的較大漏源耗散功率.使用時,場效應(yīng)管實際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量.IDSM — 較大漏源電流.是一項極限參數(shù),是指場效應(yīng)管正常工作時,漏源間所允許通過的較大電流.場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過IDSM

場效應(yīng)管的檢測方法：（1）判定柵極G將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，并且交換表筆后仍為無窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。（2）判定源極S、漏極D在源-漏之間有一個PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。（3）測量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。由于測試條件不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。場效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。

場效應(yīng)晶體管的一個優(yōu)點是它的柵極到主電流電阻高（≥100 MΩ），從而使控制和流動彼此。因為基極電流噪聲將隨著整形時間而增加，場效應(yīng)晶體管通常比雙極結(jié)型晶體管 (BJT)產(chǎn)生更少的噪聲，因此可應(yīng)用于噪聲敏感電子器件，例如調(diào)諧器和用于甚高頻和衛(wèi)星接收機的低噪聲放大器。場效應(yīng)晶體管對輻射相對免疫。它在零漏極電流下不顯示失調(diào)電壓，因此是一款出色的信號斬波器。場效應(yīng)晶體管通常比雙極結(jié)型晶體管具有更好的熱穩(wěn)定性。因為場效應(yīng)晶體管是由柵極電荷控制的，所以在某下狀態(tài)下一旦柵極閉合或打開，就不會像使用雙極結(jié)晶體管或者是非閉鎖的繼電器一樣有額外的功率損耗。這允許極低功率開關(guān)，這反過來又允許電路更小型化，因為與其他類型的開關(guān)相比，散熱需求減少了。場效應(yīng)管可以用作可變電阻。廣東N型場效應(yīng)管命名

場效應(yīng)晶體管的一個常見用途是用作放大器。徐州場效應(yīng)管廠家供應(yīng)

場效應(yīng)晶體管的溝道是摻雜n型半導(dǎo)體或p型半導(dǎo)體的結(jié)果。在增強型場效應(yīng)晶體管中，漏極和源極可以摻雜與溝道相反的類型，或者摻雜與耗盡型場效應(yīng)晶體管類似的類型。場效應(yīng)晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法來區(qū)分。場效應(yīng)晶體管的類型包括:結(jié)型場效應(yīng)管(結(jié)型場效應(yīng)晶體管)使用反向偏置的pn結(jié)將柵極與主體電極分開MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)將絕緣體(通常SiO2)置于漏極和主體電極之間。MNOS 金屬-氮化物-氧化物-半導(dǎo)體晶體管將氮化物-氧化物層絕緣體置于柵極和主體電極之間。DGMOSFET ( 雙柵極MOSFET )，一種具有兩個絕緣柵極的場效應(yīng)晶體管。徐州場效應(yīng)管廠家供應(yīng)

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