場效應管的歷史:場效應晶體管的點項由朱利葉斯·埃德加·利林費爾德于1926年以及奧斯卡·海爾于1934年分別提出。在此17年的權(quán)限期結(jié)束后不久，威廉姆·肖克利的團隊于1947年在貝爾實驗室觀察到晶體管效應并闡釋了機理。隨后，在20世紀80年代，半導體器件(即結(jié)型場效應晶體管)才逐漸發(fā)展起來。1950年，日本工程師西澤潤一和渡邊發(fā)明了點種結(jié)型場效應管——靜電感應晶體管 (SIT)。靜電感應晶體管是一種短溝道結(jié)型場效應管。1959年，由圣虎達溫·卡恩和馬丁·阿塔拉發(fā)明的金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)在很大程度上取代了結(jié)型場效應管，并對數(shù)字電子發(fā)展產(chǎn)生了深遠的影響。結(jié)型場效應管也具有三個電極，它們是：柵極；漏極；源極。廣州MOS場效應管分類

場效應管場效晶體管（場效應晶體管、場效應管)是一種用電場效應來控制電流的電子器件。場效應晶體管是一種三極管，包括源極、柵極和漏極。場效應晶體管通過向柵極施加電壓來控制電流，這反過來會改變漏極和源極之間的電導率。場效應晶體管因其只需要一種載流子起作用，故又稱為單極型晶體管。場效應晶體管(MOSFET) 的結(jié)構(gòu)和工作原理而制成的傳感器。即，場效應晶體管以電子或空穴中的一種作為載流子?，F(xiàn)已有許多不同類型的場效應晶體管。場效應晶體管通常在低頻時顯示非常高的輸入阻抗。金華場效應管型號場效應管具有噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象。

場效應管屬于電壓控制元件，這一點類似于電子管的三極管，但它的構(gòu)造與工作原理和電子管是截然不同的，與雙極型晶體管相比，場效應晶體管具有如下特點：（1）場效應管是電壓控制器件，它通過UGS來控制ID；（2）場效應管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。（3）它是利用多數(shù)載流子導電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；（5）場效應管的抗輻射能力強；（6）由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。

場效應管MOSFET運用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅(qū)動場效應管應用電路電路比較簡單。MOSFET需要的驅(qū)動電流比 BJT則小得多，而且通?？梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開路TTL驅(qū)動電路驅(qū)動；其次MOSFET的開關(guān)速度比較迅速，能夠以較高的速度工作，因為沒有電荷存儲效應；另外MOSFET沒有二次擊穿失效機理，它在溫度越高時往往耐力越強，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低，還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性 能。MOSFET已經(jīng)得到了大量應用，在消費電子、工業(yè)產(chǎn)品、機電設備、智能手機以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見。場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

場效應管使用時應注意:（1）器件出廠時通常裝在黑色的導電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細銅線把各個引腳連接在一起，或用錫紙包裝。（2）取出的器件不能在塑料板上滑動，應用金屬盤來盛放待用器件。（3）焊接用的電烙鐵必須良好接地。（4）在焊接前應把電路板的電源線與地線短接，再MOS器件焊接完成后在分開。（5）器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機時順序相反。（6）電路板在裝機之前，要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子，再把電路板接上去。（7）場效應晶體管的柵極在允許條件下，比較好接入保護二極管。在檢修電路時應注意查證原有的保護二極管是否損壞。場效應管極間電容場效應管三個電極之間的電容，它的值越小表示管子的性能越好。紹興場效應管命名

場效應晶體管以電子或空穴中的一種作為載流子。廣州MOS場效應管分類

場效應管的參數(shù):場效應管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時關(guān)注以下主要參數(shù)：1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓U GS=0時的漏源電流?！?、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓?！?、UT — 開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。4、gM — 跨導。是表示柵源電壓U GS — 對漏極電流I D的控制能力，即漏極電流I D變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM 是衡量場效應管放大能力的重要參數(shù)。廣州MOS場效應管分類

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