場效應(yīng)管注意事項(xiàng):為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當(dāng)然，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵，焊接場效應(yīng)管是比較方便的，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時，好不要不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應(yīng)管時必須注意。場效應(yīng)管具有噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象。東莞金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)管用途

VMOS場效應(yīng)管:VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不光繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動電流小（左右0.1μA左右），還具有耐壓高（較高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導(dǎo)的線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得普遍應(yīng)用。蘇州場效應(yīng)管價格場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

場效應(yīng)管電極：所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個端，分別大致對應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行；在電路設(shè)計(jì)中，很少讓體端發(fā)揮大的作用，但是當(dāng)物理設(shè)計(jì)一個集成電路的時候，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長度（length）L，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多。長度1微米的柵極限制較高頻率約為5GHz，0.2微米則是約30GHz。

場效應(yīng)管場效晶體管（場效應(yīng)晶體管、場效應(yīng)管)是一種用電場效應(yīng)來控制電流的電子器件。場效應(yīng)晶體管是一種三極管，包括源極、柵極和漏極。場效應(yīng)晶體管通過向柵極施加電壓來控制電流，這反過來會改變漏極和源極之間的電導(dǎo)率。場效應(yīng)晶體管因其只需要一種載流子起作用，故又稱為單極型晶體管。場效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的結(jié)構(gòu)和工作原理而制成的傳感器。即，場效應(yīng)晶體管以電子或空穴中的一種作為載流子?，F(xiàn)已有許多不同類型的場效應(yīng)晶體管。場效應(yīng)晶體管通常在低頻時顯示非常高的輸入阻抗。場效應(yīng)管輸入結(jié)電容?。ǚ答侂娙荩?，輸出端負(fù)載的變化對輸入端影響小。

場效應(yīng)管電阻法測好壞:測電阻法是用萬用表測量場效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于R×10或R×100檔，測量源極S與漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于R×10k檔，再測柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當(dāng)測得其各項(xiàng)電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或?yàn)橥罚瑒t說明管是壞的。要注意，若兩個柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進(jìn)行檢測。源極(S)，載流子經(jīng)過源極進(jìn)入溝道。通常，在源極處進(jìn)入通道的電流由IS表示。珠海貼片場效應(yīng)管用途

絕緣柵雙極型晶體管用于切換內(nèi)燃機(jī)點(diǎn)火線圈，因其對快速切換和電壓阻斷能力要求非常高。東莞金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)管用途

場效應(yīng)管的分類:場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）因有兩個PN結(jié)而得名，絕緣柵型場效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應(yīng)管中，應(yīng)用為普遍的是MOS場效應(yīng)管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應(yīng)管，以及近剛問世的πMOS場效應(yīng)管、VMOS功率模塊等?！“礈系腊雽?dǎo)體材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。東莞金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)管用途

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