固態(tài)二極管1874年，德國(guó)物理學(xué)家卡爾·布勞恩發(fā)現(xiàn)了晶體的“單向傳導(dǎo)”的能力，并在1899年將晶體整流器申請(qǐng)了。氧化亞銅和硒整流器則是在1930年代為了供電應(yīng)用而發(fā)明的。印度人賈格迪什·錢(qián)德拉·博斯在1894年成為了個(gè)使用晶體檢測(cè)無(wú)線電波的科學(xué)家。他也在厘米和毫米級(jí)別對(duì)微波進(jìn)行了研究。1903年，格林里夫·惠特勒·皮卡德（Greenleaf Whittier Pickard）發(fā)明了硅晶檢波器，并在1906年11月20日注冊(cè)了。也正是因?yàn)楦窳掷锓?，使得晶體檢波器發(fā)展成了可實(shí)用于無(wú)線電報(bào)的裝置。其他實(shí)驗(yàn)者嘗試了多種其他物質(zhì)，其中普遍使用的是礦物方鉛礦（硫化鉛），因它價(jià)格便宜且容易獲取。在這些早期的晶體收音機(jī)集的晶體檢波器包括一個(gè)可調(diào)節(jié)導(dǎo)線的點(diǎn)接觸設(shè)備（即所謂的“貓須”）?？梢酝ㄟ^(guò)手動(dòng)調(diào)節(jié)晶體表面上的導(dǎo)線，以獲得的信號(hào)。二極管它具有單向?qū)щ娦阅埽?即給二極管陽(yáng)極加上正向電壓時(shí)，二極管導(dǎo)通。發(fā)光二極管供應(yīng)

光電二極管的工作模式可以分為以下兩種:零偏壓下的光電壓模式和反偏壓下的光電導(dǎo)模式。光電壓模式具有較好的精密度和線性度的特點(diǎn)，光導(dǎo)模式能提供較高的速度，適合于檢測(cè)高速光脈沖，但是線性度不佳。在有外加反向偏壓的情況下，光電二極管即使在沒(méi)有光照射下也有少量的電流流過(guò)，這個(gè)電流稱為暗電流。光電壓模式下沒(méi)有暗電流，噪聲主要是并聯(lián)電阻產(chǎn)生的熱噪聲。光電導(dǎo)模式下，噪聲除了熱噪聲外，還有散粒噪聲。光電二極管通常在光電壓模式和光電導(dǎo)模式中選擇較好的設(shè)計(jì)，而不是二者同時(shí)優(yōu)化使用。臺(tái)州旋轉(zhuǎn)二極管現(xiàn)貨二極管可以想象成電路中的單向閥。

穩(wěn)壓二極管在汽車電路上的應(yīng)用：在汽車電路中由于各個(gè)電器總成或元件的工作電流比較大，使汽車電源系統(tǒng)的電壓會(huì)出現(xiàn)波動(dòng)，因此，在一些需要精確電壓值的地方經(jīng)常利用穩(wěn)壓管來(lái)獲取所需電壓。下圖是利用穩(wěn)壓管為汽車儀表提供穩(wěn)定電源的電路，圖中的穩(wěn)壓管與電阻串聯(lián)而與儀表并聯(lián)。當(dāng)電源電壓發(fā)生變化時(shí)，也只是引起不同大小的電流流過(guò)電阻和穩(wěn)壓管，改變電阻上的電壓，而穩(wěn)壓管始終維持一定的電壓，從而起到穩(wěn)壓的作用。）穩(wěn)壓二極管的檢測(cè)穩(wěn)壓二極管的極性和性能好壞的測(cè)量與普通二極管的測(cè)量方法相似，不同之處在于：當(dāng)使用指針式萬(wàn)用表的R×1kΩ擋測(cè)量二極管時(shí)，測(cè)得其反向電阻是很大的，此時(shí)，將萬(wàn)用表轉(zhuǎn)換到R×10kΩ擋，如果出現(xiàn)萬(wàn)用表指針向右偏轉(zhuǎn)較大角度，即反向電阻值減小很多，則該二極管為穩(wěn)壓二極管；如果反向電阻基本不變，說(shuō)明該二極管是普通二極管，而不是穩(wěn)壓二極管。

二極管種類：PIN二極管（P-intrinsic-N Diode）PN之間一層高電阻的半導(dǎo)體層，使少數(shù)載子的積蓄效果增加，逆回復(fù)時(shí)間也較長(zhǎng)。利用順向偏壓時(shí)高頻率訊號(hào)較容易通過(guò)的性質(zhì)，用于天線的頻帶切換以及高頻率開(kāi)關(guān)。耿效應(yīng)二極管應(yīng)用于低功率微波振蕩器。交流二極管（DIAC）、突波保護(hù)二極管、雙向觸發(fā)二極管當(dāng)施加超過(guò)規(guī)定電壓（Break Over電壓，VBO）的電壓會(huì)開(kāi)始導(dǎo)通使得端子之間的電壓降低的雙方向元件。用于電路的突波保護(hù)上。另，雖被稱為二極管，實(shí)際的構(gòu)造、動(dòng)作原理都應(yīng)歸類為閘流管/可控硅整流器的復(fù)雜分類中。二極管P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì)，如硼等。

平面型二極管：在半導(dǎo)體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴(kuò)散P型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上光選擇性地?cái)U(kuò)散一部分而形成的PN結(jié)。因此，不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于半導(dǎo)體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結(jié)合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認(rèn)為是穩(wěn)定性好和壽命長(zhǎng)的類型。較初，對(duì)于被使用的半導(dǎo)體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對(duì)平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號(hào)很少，而作小電流開(kāi)關(guān)用的型號(hào)則很多。二極管由紅外輻射效率高的材料（常用砷化鎵GaAs）制成PN結(jié)。珠海肖特基二極管命名

二極管的導(dǎo)通和截止，則相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的接通與斷開(kāi)。發(fā)光二極管供應(yīng)

面接觸式二極管：面接觸式PN結(jié)二極管是由一塊半導(dǎo)體晶體制成的。不同的摻雜工藝可以使同一個(gè)半導(dǎo)體（如本征硅）的一端成為一個(gè)包含負(fù)極性載流子（電子）的區(qū)域，稱作N型半導(dǎo)體；另一端成為一個(gè)包含正極性載流子（空穴）的區(qū)域，稱作P型半導(dǎo)體。兩種材料在一起時(shí)，電子會(huì)從N型一側(cè)流向P型一側(cè)。這一區(qū)域電子和電洞相互抵銷，造成中間區(qū)域載流子不足，形成“空乏層”。在空乏層內(nèi)部存在“內(nèi)電場(chǎng)”：N型側(cè)帶正電，P型側(cè)帶負(fù)電。兩塊區(qū)域的交界處為PN結(jié)，晶體允許電子（外部來(lái)看）從N型半導(dǎo)體一端，流向P型半導(dǎo)體一端，但是不能反向流動(dòng)。發(fā)光二極管供應(yīng)

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