三極管有90×&TImes;系列，包括低頻小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪聲管9014（NPN），高頻小功率管9018（NPN）等。它們的型號一般都標在塑殼上，而樣子都一樣，都是TO-92標準封裝。在老式的電子產(chǎn)品中還能見到3DG6（低頻小功率硅管）、3AX31（低頻小功率鍺管）等，它們的型號也都印在金屬的外殼上。我國生產(chǎn)的晶體管有一套命名規(guī)則，電子工程技術(shù)人員和電子愛好者應(yīng)該了解三極管符號的含義。符號的一部分“3”表示三極管。符號的二部分表示器件的材料和結(jié)構(gòu)：A——PNP型鍺材料；B——NPN型鍺材料；C——PNP型硅材料；D——NPN型硅材料。符號的三部分表示功能：U——光電管；K——開關(guān)管；X——低頻小功率管；G——高頻小功率管；D——低頻大功率管；A——高頻大功率管。另外，3DJ型為場效應(yīng)管，BT打頭的表示半導(dǎo)體特殊元件。三級管硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類型。杭州特快恢復(fù)三極管命名

三極管基本的作用是放大作用，它可以把微弱的電信號變成一定強度的信號，當(dāng)然這種轉(zhuǎn)換仍然遵循能量守恒，它只是把電源的能量轉(zhuǎn)換成信號的能量罷了。三極管有一個重要參數(shù)就是電流放大系數(shù)β。當(dāng)三極管的基極上加一個微小的電流時，在集電極上可以得到一個是注入電流β倍的電流，即集電極電流。集電極電流隨基極電流的變化而變化，并且基極電流很小的變化可以引起集電極電流很大的變化，這就是三極管的放大作用。 三極管還可以作電子開關(guān)，配合其它元件還可以構(gòu)成振蕩器。 半導(dǎo)體三極管除了構(gòu)成放大器和作開關(guān)元件使用外，還能夠做成一些可單獨使用的兩端或三端器件。寧波晶體三極管作用三極管從三個區(qū)引出相應(yīng)的電極，分別為基極b發(fā)射極e和集電極c。

電子制作中常用的三極管有9 0× ×系列，包括低頻小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪聲管9014（NPN），高頻小功率管9018（NPN）等。它們的型號一般都標在塑殼上，而樣子都一樣，都是TO-92標準封裝。在老式的電子產(chǎn)品中還能見到3DG6（低頻小功率硅管）、3AX31 （低頻小功率鍺管） 等，它們的型號也都印在金屬的外殼上。一部分的3表示為三極管。 二部分表示器件的材料和結(jié)構(gòu)，A： PNP型鍺材料 B： NPN型鍺材料 C： PNP型硅材料 D： NPN型硅材料 三部分表示功能，U：光電管 K：開關(guān)管 X：低頻小功率管 G：高頻小功率管 D：低頻大功率管 A：高頻大功率管。另外，3DJ型為場效應(yīng)管，BT打頭的表示半導(dǎo)體特殊元件。

三極管飽和區(qū)的特點是，三級管的電流與IB和VCE有關(guān)，但是與VCE相關(guān)程度更大，因為可以看到當(dāng)VCE固定時，不同的IB變化引起的IC變化不大；但是反過來，IB固定，VCE變化一點點就會引起IC劇烈變化，換句話說三極管已經(jīng)飽和了，已經(jīng)不受控于IB而受控于VCE了。飽和的意思就是滿了，我們可以用向水杯子倒水的模型來理解這個過程，IB就是倒水的水流，IC就是水面的高度，VCE就是指水面的高度。飽和就是指水滿了，飽和時狀態(tài)所示，此時水面高度IC已經(jīng)滿了（已經(jīng)飽和）不受控于IB了，而受控于水杯的高度VCE，如果想要進一步增加IC，就需要增加水杯高度VCE，這樣理解飽和這個概念就更形象易懂了。三極管的封裝形式有金屬封裝和塑料封裝兩大類。

三極管是一種控制元件，主要用來控制電流的大小，以共發(fā)射極接法為例（信號從基極輸入，從集電極輸出，發(fā)射極接地），當(dāng)基極電壓UB有一個微小的變化時，基極電流IB也會隨之有一小的變化，受基極電流IB的控制，集電極電流IC會有一個很大的變化，基極電流IB越大，集電極電流IC也越大，反之，基極電流越小，集電極電流也越小，即基極電流控制集電極電流的變化。但是集電極電流的變化比基極電流的變化大得多，這就是三極管的放大作用。IC 的變化量與IB變化量之比叫做三極管的放大倍數(shù)β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示變化量），三極管的放大倍數(shù)β一般在幾十到幾百倍。三極管產(chǎn)品參數(shù)VCEO集電極發(fā)射極反向擊穿電壓，表示臨界飽和時的飽和電壓。中山電子三極管參數(shù)

三極管而P是正極的意思（Positive）是加入硼取代硅。杭州特快恢復(fù)三極管命名

發(fā)射結(jié)加正偏時，從發(fā)射區(qū)將有大量的電子向基區(qū)擴散，形成的電流為IEN。與PN結(jié)中的情況相同。從基區(qū)向發(fā)射區(qū)也有空穴的擴散運動，但其數(shù)量小，形成的電流為IEP。這是因為發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠大于基區(qū)的摻雜濃度。 進入基區(qū)的電子流因基區(qū)的空穴濃度低，被復(fù)合的機會較少。又因基區(qū)很薄，在集電結(jié)反偏電壓的作用下，電子在基區(qū)停留的時間很短，很快就運動到了集電結(jié)的邊上，進入集電結(jié)的結(jié)電場區(qū)域，被集電極所收集，形成集電極電流ICN。在基區(qū)被復(fù)合的電子形成的電流是 IBN。 另外，因集電結(jié)反偏，使集電結(jié)區(qū)的少子形成漂移電流ICBO。杭州特快恢復(fù)三極管命名

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