場效應管測放大能力:用感應信號法具體方法:用萬用表電阻的R×100檔,紅表筆接源極S,黑表筆接漏極D,給場效應管加上1.5V的電源電壓,此時表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結型場效應管的柵極G,將人體的感應電壓信號加到柵極上。這樣,由于管的放大作用,漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發(fā)生變化,也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化,由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極表針擺動較小,說明管的放大能力較差;表針擺動較大,表明管的放大能力大;若表針不動,說明管是壞的。結型場效應管可以被用來做恒流集成二極管或者定值電阻。中山場效應管作用
場效應管電阻法測好壞:測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法:首先將萬用表置于R×10或R×100檔,測量源極S與漏極D之間的電阻,通常在幾十歐到幾千歐范圍(在手冊中可知,各種不同型號的管,其電阻值是各不相同的),如果測得阻值大于正常值,可能是由于內(nèi)部接觸不良;如果測得阻值是無窮大,可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于R×10k檔,再測柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值,當測得其各項電阻值均為無窮大,則說明管是正常的;若測得上述各阻值太小或為通路,則說明管是壞的。要注意,若兩個柵極在管內(nèi)斷極,可用元件代換法進行檢測。金華場效應管廠家供應場效應管極間電容場效應管三個電極之間的電容,它的值越小表示管子的性能越好。
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
貼片場效應管:1:場效應管是電壓控制器件,管子的導電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件,管子的導電情況取決于基極電流的大小。 2:場效應管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量,晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量。3:場效應管電流IDS與柵極UGS之間的關系由跨導Gm 決定,晶體管電流Ic與Ib 之間的關系由放大系數(shù)β決定。也就是說,場效應管的放大能力用Gm 衡量,晶體管的放大能力用β衡量。4:場效應管的輸入阻抗很大,輸入電流極小;晶體管輸入阻抗很小,在導電時輸入電流較大。5:一般場效應管功率較小,晶體管功率較大。場效應管高中低頻能量分配適當, 解析力和定位感均有較好表現(xiàn),具有良好的聲場空間描繪能力 。
場效應管的測試判定估測場效應管的放大能力: 將萬用表撥到R×100檔,紅表筆接源極S,黑表筆接漏極D,相當于給場效應管加上1.5V的電源電壓。這時表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G,將人體的感應電壓作為輸入信號加到柵極上。由于管子的放大作用,UDS和ID都將發(fā)生變化,也相當于D-S極間電阻發(fā)生變化,可觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極時表針擺動很小,說明管子的放大能力較弱;若表針不動,說明管子已經(jīng)損壞。場效應管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量,晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量。廣東半導體場效應管原理
場效應管當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型。中山場效應管作用
場效應管MOSFET分類MOSFET分為兩大類:N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,MOSFET起到的作用相當于一個開關。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時,其開關導通。導通時,電流可經(jīng)開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻,稱為導通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端,因此,總 是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空,器件將不能按設計意圖工作,并可能在不恰當?shù)臅r刻導通或關閉,導致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電 壓為零時,開關關閉,而電流停止通過器件。雖然這時器件已經(jīng)關閉,但仍然有微小電流存在,這稱之為漏電流,即IDSS。中山場效應管作用
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