場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。場(chǎng)效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。雙極場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)

場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效晶體管（場(chǎng)效應(yīng)晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管)是一種用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的電子器件。場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種三極管，包括源極、柵極和漏極。場(chǎng)效應(yīng)晶體管通過(guò)向柵極施加電壓來(lái)控制電流，這反過(guò)來(lái)會(huì)改變漏極和源極之間的電導(dǎo)率。場(chǎng)效應(yīng)晶體管因其只需要一種載流子起作用，故又稱(chēng)為單極型晶體管。場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的結(jié)構(gòu)和工作原理而制成的傳感器。即，場(chǎng)效應(yīng)晶體管以電子或空穴中的一種作為載流子?，F(xiàn)已有許多不同類(lèi)型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常在低頻時(shí)顯示非常高的輸入阻抗。中山V型槽場(chǎng)效應(yīng)管作用增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管特點(diǎn):當(dāng)Vgs=0時(shí)Id(漏極電流)=0。

用測(cè)電阻法判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法：將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上，任選兩個(gè)電極，分別測(cè)出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時(shí)，則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極Ｇ。也可以將萬(wàn)用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個(gè)電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電極，測(cè)其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測(cè)得的電阻值近似相等時(shí)，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測(cè)出的電阻值均很大，說(shuō)明是ＰＮ結(jié)的反向，即都是反向電阻，可以判定是Ｎ溝道場(chǎng)效應(yīng)管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測(cè)出的電阻值均很小，說(shuō)明是正向ＰＮ結(jié)，即是正向電阻，判定為Ｐ溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況，可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進(jìn)行測(cè)試，直到判別出柵極為止。

場(chǎng)效應(yīng)管大功率電路：(1)為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)管,在線路的設(shè)計(jì)中不能超過(guò)管的耗散功率,較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值.(2)各類(lèi)型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí),都要嚴(yán)格按要求的偏置接人電路中,要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性.如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié),N溝道管柵極不能加正偏壓;P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓。(3)MOS場(chǎng)效應(yīng)管由于輸人阻抗極高,所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路,要用金屬屏蔽包裝,以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿.尤其要注意,不能將MOS場(chǎng)效應(yīng)管放人塑料盒子內(nèi),保存時(shí)比較好放在金屬盒內(nèi),同時(shí)也要注意管的防潮.場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一個(gè)常見(jiàn)用途是用作放大器。

場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)放大能力:用感應(yīng)信號(hào)法具體方法：用萬(wàn)用表電阻的R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓，此時(shí)表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極G，將人體的感應(yīng)電壓信號(hào)加到柵極上。這樣，由于管的放大作用，漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發(fā)生變化，也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極表針擺動(dòng)較小，說(shuō)明管的放大能力較差；表針擺動(dòng)較大，表明管的放大能力大；若表針不動(dòng)，說(shuō)明管是壞的。源極(S)，載流子經(jīng)過(guò)源極進(jìn)入溝道。通常，在源極處進(jìn)入通道的電流由IS表示。廣東絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管作用

場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常比雙極結(jié)型晶體管 (BJT)產(chǎn)生更少的噪聲，因此可應(yīng)用于噪聲敏感電子器件。雙極場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)

場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試判定估測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力:　將萬(wàn)用表?yè)艿絉×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發(fā)生變化，也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極時(shí)表針擺動(dòng)很小，說(shuō)明管子的放大能力較弱；若表針不動(dòng)，說(shuō)明管子已經(jīng)損壞。雙極場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)

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