場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET運(yùn)用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于：首先驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡(jiǎn)單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集電極開(kāi)路TTL驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)；其次MOSFET的開(kāi)關(guān)速度比較迅速，能夠以較高的速度工作，因?yàn)闆](méi)有電荷存儲(chǔ)效應(yīng)；另外MOSFET沒(méi)有二次擊穿失效機(jī)理，它在溫度越高時(shí)往往耐力越強(qiáng)，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低，還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性 能。MOSFET已經(jīng)得到了大量應(yīng)用，在消費(fèi)電子、工業(yè)產(chǎn)品、機(jī)電設(shè)備、智能手機(jī)以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見(jiàn)。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管)使用反向偏置的pn結(jié)將柵極與主體電極分開(kāi)。上海J型場(chǎng)效應(yīng)管作用

場(chǎng)效應(yīng)管的類型：DEPFET 是在完全耗盡的襯底中形成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，同時(shí)充當(dāng)傳感器、放大器和存儲(chǔ)器節(jié)點(diǎn)。它可以用作圖像(光子)傳感器。FREDFET (快速反向或快速恢復(fù)外延二極管場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種用于提供非常快速的重啟（關(guān)閉）體二極管的特殊的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，HIGFET (異質(zhì)結(jié)構(gòu)絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)現(xiàn)在主要用于研究MODFET(調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是使用通過(guò)在有源區(qū)分級(jí)摻雜形成的量子阱結(jié)構(gòu)的高電子遷移率晶體管。TFET ( 隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是以帶對(duì)帶隧道基的晶體管IGBT(IGBT高頻爐)是一種功率控制裝置。它與類雙極的主導(dǎo)電溝道的MOSFET的結(jié)構(gòu)，并常用于200-3000伏的漏源電壓工作范圍。功率MOSFET 仍然是1至200 V漏源電壓的器件。HEMT ( 高電子遷移率晶體管)，也稱為HFET(異質(zhì)結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)晶體管)，可以在諸如AlGaAs 的三元半導(dǎo)體中使用帶隙工程來(lái)制造。完全耗盡的寬帶隙材料形成柵極和主體之間的絕緣。雙極場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管可以被用來(lái)做恒流集成二極管或者定值電阻。

場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較：（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。（2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。（4）場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用。

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時(shí)，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當(dāng)然，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵，焊接場(chǎng)效應(yīng)管是比較方便的，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時(shí)，好不要不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)必須注意。場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲放大電路的輸入級(jí)及要求信噪比較高的電路中要選用場(chǎng)效應(yīng)管。

場(chǎng)效應(yīng)管電阻法測(cè)好壞:測(cè)電阻法是用萬(wàn)用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬(wàn)用表置于R×10或R×100檔，測(cè)量源極S與漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊(cè)中可知，各種不同型號(hào)的管，其電阻值是各不相同的），如果測(cè)得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測(cè)得阻值是無(wú)窮大，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬(wàn)用表置于R×10k檔，再測(cè)柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無(wú)窮大，則說(shuō)明管是正常的；若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥?，則說(shuō)明管是壞的。要注意，若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進(jìn)行檢測(cè)。場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。上海P溝道場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)

增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管特點(diǎn):當(dāng)Vgs=0時(shí)Id(漏極電流)=0。上海J型場(chǎng)效應(yīng)管作用

場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù):場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數(shù)：1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓U GS=0時(shí)的漏源電流?！?、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓?！?、UT — 開(kāi)啟電壓。是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。4、gM — 跨導(dǎo)。是表示柵源電壓U GS — 對(duì)漏極電流I D的控制能力，即漏極電流I D變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM 是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。上海J型場(chǎng)效應(yīng)管作用

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