三極管由于集電結是反向偏置電壓，空間電荷區(qū)的內(nèi)電場被進一步加強(PN結變寬)，這樣反而對基區(qū)擴散到集電結邊境的載流子電子有很強的吸引力(電子帶負電，同性相斥異性相吸)，使它們很快漂移過集電結(電場的吸引或排斥作用引起的載流子移動叫做漂移)，從而形成集電極電流Icn(方向與電子漂移方向相反)。很明顯，Icn=Ien-Ibn，因為百萬大軍一小部分在基區(qū)，剩下的大部分在集電區(qū)。在多數(shù)載流子電子進入到集電區(qū)后，集電區(qū)(N型)的少數(shù)載流子空穴與基區(qū)(P型)的少數(shù)載流子電子也會產(chǎn)生漂移運動，形成了電流Icbo，而另有一些會跨過基區(qū)到達發(fā)射區(qū)從而形成Iceo。晶體三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結。廣州晶體三極管命名

BVCEO是三極管基極開路時，集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓。如果在使用中加在集電極與發(fā)射極之間的電壓超過這個數(shù)值時，將可能使三極管產(chǎn)生很大的集電極電流，這種現(xiàn)象叫擊穿。三極管擊穿后會造成性損壞或性能下降。 PCM是集電極大允許耗散功率。三極管在工作時，集電極電流在集電結上會產(chǎn)生熱量而使三極管發(fā)熱。若耗散功率過大，三極管將燒壞。在使用中如果三極管在大于PCM下長時間工作，將會損壞三極管。需要注意的是大功率三極管給出的大允許耗散功率都是在加有一定規(guī)格散熱器情況下的參數(shù)。杭州玻璃三極管分類三極管發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結叫發(fā)射結，集電區(qū)和基區(qū)之間的PN結叫集電結。

三極管基本的作用是放大作用，它可以把微弱的電信號變成一定強度的信號，當然這種轉(zhuǎn)換仍然遵循能量守恒，它只是把電源的能量轉(zhuǎn)換成信號的能量罷了。三極管有一個重要參數(shù)就是電流放大系數(shù)β。當三極管的基極上加一個微小的電流時，在集電極上可以得到一個是注入電流β倍的電流，即集電極電流。集電極電流隨基極電流的變化而變化，并且基極電流很小的變化可以引起集電極電流很大的變化，這就是三極管的放大作用。 三極管還可以作電子開關，配合其它元件還可以構成振蕩器。 半導體三極管除了構成放大器和作開關元件使用外，還能夠做成一些可單獨使用的兩端或三端器件。

晶體三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。從三個區(qū)引出相應的電極，分別為基極b發(fā)射極e和集電極c。發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結叫發(fā)射結，集電區(qū)和基區(qū)之間的PN結叫集電結?；鶇^(qū)很薄，而發(fā)射區(qū)較厚，雜質(zhì)濃度大，PNP型三極管發(fā)射區(qū)"發(fā)射"的是空穴，其移動方向與電流方向一致，故發(fā)射極箭頭向里；NPN型三極管發(fā)射區(qū)"發(fā)射"的是自由電子，其移動方向與電流方向相反，故發(fā)射極箭頭向外。發(fā)射極箭頭指向也是PN結在正向電壓下的導通方向。硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類型。三極管的工作狀態(tài)有四個，放大、截止、飽和、倒置。

三極管鍺管的穿透電流比較大，一般由幾十微安到幾百微安，硅管的穿透電流就比較小，一般只有零點幾微安到幾微安。 I ceo 雖然不大，卻與溫度有著密切的關系，它們遵循著所謂的“加倍規(guī)則”，這就是溫度每升高 10℃ ， I ceo 約增大一倍。例如，某鍺管在常溫 20℃ 時， I ceo 為 20μA ，在使用中管芯溫度上升到 50℃ ， I ceo 就增大到 160μA 左右。測量 I ceo 的電路很簡單，三極管的基極開路，在集電極與發(fā)射極之間接入電源 V CC （ 6V ），串聯(lián)在電路中的電流表（可用萬用表中的 0.1mA 擋）所指示的電流值就是 I ceo 。三極管N型半導體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子。上海半導體三極管型號

三極管的封裝形式有金屬封裝和塑料封裝兩大類。廣州晶體三極管命名

電子制作中常用的三極管有9 0× ×系列，包括低頻小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪聲管9014（NPN），高頻小功率管9018（NPN）等。它們的型號一般都標在塑殼上，而樣子都一樣，都是TO-92標準封裝。在老式的電子產(chǎn)品中還能見到3DG6（低頻小功率硅管）、3AX31 （低頻小功率鍺管） 等，它們的型號也都印在金屬的外殼上。一部分的3表示為三極管。 二部分表示器件的材料和結構，A： PNP型鍺材料 B： NPN型鍺材料 C： PNP型硅材料 D： NPN型硅材料 三部分表示功能，U：光電管 K：開關管 X：低頻小功率管 G：高頻小功率管 D：低頻大功率管 A：高頻大功率管。另外，3DJ型為場效應管，BT打頭的表示半導體特殊元件。廣州晶體三極管命名

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