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北京光刻膠工廠

來(lái)源： 發(fā)布時(shí)間：2025-06-17

國(guó)家大基金三期：注冊(cè)資本3440億元，明確將光刻膠列為重點(diǎn)投資領(lǐng)域，計(jì)劃投入超500億元支持樹(shù)脂、光引發(fā)劑等原料研發(fā)，相當(dāng)于前兩期投入總和的3倍。

地方專項(xiàng)政策：湖北省對(duì)通過(guò)驗(yàn)證的光刻膠企業(yè)給予設(shè)備采購(gòu)補(bǔ)貼+稅收減免，武漢太紫微憑借全流程國(guó)產(chǎn)化技術(shù)獲中芯國(guó)際百萬(wàn)級(jí)訂單；福建省提出2030年化工新材料自給率達(dá)90%，光刻膠是重點(diǎn)突破方向。

研發(fā)專項(xiàng)：科技部“雙十計(jì)劃”設(shè)立20億元經(jīng)費(fèi)，要求2025年KrF/ArF光刻膠國(guó)產(chǎn)化率突破10%，并啟動(dòng)EUV光刻膠預(yù)研。
聚焦封裝需求，吉田公司提供從光刻膠到配套材料的一站式服務(wù)。北京光刻膠工廠

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市場(chǎng)拓展

? 短期目標(biāo)：2025年前實(shí)現(xiàn)LCD光刻膠國(guó)內(nèi)市占率10%，半導(dǎo)體負(fù)性膠進(jìn)入中芯國(guó)際、華虹供應(yīng)鏈，納米壓印膠完成臺(tái)積電驗(yàn)證。

? 長(zhǎng)期愿景：成為全球的半導(dǎo)體材料方案提供商，2030年芯片光刻膠營(yíng)收占比超40%，布局EUV光刻膠和第三代半導(dǎo)體材料。

. 政策與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同

? 受益于廣東省“強(qiáng)芯工程”和東莞市10億元半導(dǎo)體材料基金，獲設(shè)備采購(gòu)補(bǔ)貼（30%）和稅收減免，加速KrF/ArF光刻膠研發(fā)。

? 與松山湖材料實(shí)驗(yàn)室、華為終端建立聯(lián)合研發(fā)中心，共同攻關(guān)光刻膠關(guān)鍵技術(shù)，縮短客戶驗(yàn)證周期（目前平均12-18個(gè)月）。

. 挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)

? 技術(shù)壁壘：ArF/EUV光刻膠仍依賴進(jìn)口，計(jì)劃2026年建成中試線，突破分辨率和靈敏度瓶頸（目標(biāo)曝光劑量<10mJ/cm2）。

? 供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)：部分原材料（如樹(shù)脂）進(jìn)口占比超60%，正推進(jìn)“國(guó)產(chǎn)替代計(jì)劃”，與鼎龍股份、久日新材建立戰(zhàn)略合作為原材料供應(yīng)。
沈陽(yáng)阻焊光刻膠供應(yīng)商吉田半導(dǎo)體全系列產(chǎn)品覆蓋，滿足多元化需求。

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光刻膠的主要應(yīng)用領(lǐng)域

光刻膠是微電子制造的主要材料，廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：

 半導(dǎo)體制造

? 功能：在晶圓表面形成微細(xì)電路圖案，作為蝕刻或離子注入的掩膜。

? 分類：

? 正性光刻膠：曝光區(qū)域溶解于顯影液，形成與掩膜版一致的圖案（主流，分辨率高）。

? 負(fù)性光刻膠：未曝光區(qū)域溶解，形成反向圖案（用于早期工藝，耐蝕刻性強(qiáng)）。

? 技術(shù)演進(jìn)：隨制程精度提升，需匹配不同曝光波長(zhǎng)（紫外UV、深紫外DUV、極紫外EUV），例如EUV光刻膠用于7nm以下制程。

 平板顯示（LCD/OLED）

? 彩色濾光片（CF）：在玻璃基板上制作紅/綠/藍(lán)像素單元，光刻膠用于圖案化黑矩陣（BM）、彩色層（R/G/B）和保護(hù)層。

? 電極圖案：制作TFT-LCD的電極線路或OLED的陰極/陽(yáng)極，需高透光率和精細(xì)邊緣控制。

 印刷電路板（PCB）

? 線路蝕刻：在覆銅板上涂膠，曝光顯影后保留線路區(qū)域，蝕刻去除未保護(hù)的銅箔，形成導(dǎo)電線路。

? 阻焊與字符層：阻焊膠覆蓋非線路區(qū)域，防止短路；字符膠用于印刷電路板標(biāo)識(shí)。

 LED與功率器件

? 芯片制造：在藍(lán)寶石/硅基板上制作電極和量子阱結(jié)構(gòu)，需耐高功率環(huán)境的耐高溫光刻膠。

? Micro-LED：微米級(jí)芯片轉(zhuǎn)移和陣列化，依賴超高分辨率光刻膠（分辨率≤5μm）。

 企業(yè)定位與資質(zhì)
? 成立背景：深耕半導(dǎo)體材料行業(yè)23年，位于松山湖經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)，注冊(cè)資本2000萬(wàn)元，是國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)、廣東省專精特新企業(yè)及廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè)。

? 質(zhì)量體系：通過(guò)ISO9001:2008認(rèn)證，嚴(yán)格執(zhí)行8S現(xiàn)場(chǎng)管理，原材料源自美國(guó)、德國(guó)、日本等國(guó)，確保產(chǎn)品穩(wěn)定性。

? 市場(chǎng)布局：產(chǎn)品遠(yuǎn)銷全球，與世界500強(qiáng)企業(yè)及多家電子加工企業(yè)建立長(zhǎng)期合作關(guān)系，覆蓋集成電路、顯示面板、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域。


吉田產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同與政策紅利。

 企業(yè)優(yōu)勢(shì)

? 研發(fā)能力：擁有多項(xiàng)專利證書(shū)，自主研發(fā)芯片光刻膠、納米壓印光刻膠等產(chǎn)品，配備全自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)備，具備從材料合成到成品制造的全流程能力。

? 產(chǎn)能與品控：采用進(jìn)口原材料和嚴(yán)格制程管控，確保金屬雜質(zhì)含量低于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（如半導(dǎo)體光刻膠金屬雜質(zhì)<5ppb），良率達(dá)99%以上。

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關(guān)鍵工藝流程

 涂布：

? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠，厚度控制在0.1-5μm（依制程精度調(diào)整），需均勻無(wú)氣泡（旋涂轉(zhuǎn)速500-5000rpm）。

 前烘（Soft Bake）：

? 加熱（80-120℃）去除溶劑，固化膠膜，增強(qiáng)附著力（避免顯影時(shí)邊緣剝離）。

 曝光：

? 光源匹配：

? G/I線膠：汞燈（適用于≥1μm線寬，如PCB、LCD）。

? DUV膠（248nm/193nm）：KrF/ArF準(zhǔn)分子激光（用于28nm-14nm制程，如存儲(chǔ)芯片）。

? EUV膠（13.5nm）：極紫外光源（用于7nm以下制程，需控制納米級(jí)缺陷）。

? 曝光能量：需精確控制（如ArF膠約50mJ/cm2），避免過(guò)曝或欠曝導(dǎo)致圖案失真。

 顯影：

? 采用堿性溶液（如0.262N四甲基氫氧化銨，TMAH），曝光區(qū)域膠膜溶解，未曝光區(qū)域保留，形成三維立體圖案。

 后烘（Post-Exposure Bake, PEB）：

? 化學(xué)增幅型膠需此步驟，通過(guò)加熱（90-130℃）激發(fā)光酸催化反應(yīng)，提高分辨率和耐蝕刻性。
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光刻膠系列：

厚板光刻膠 JT - 3001，具備優(yōu)異分辨率、感光度和抗深蝕刻性能，符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn)，保質(zhì)期 1 年；

水油光刻膠 SR - 3308，容量 5L；SU - 3 負(fù)性光刻膠，分辨率優(yōu)異，對(duì)比度良好，曝光靈敏度高，光源適應(yīng)，重量 100g；

液晶平板顯示器負(fù)性光刻膠 JT - 1000，有 1L 裝和 100g 裝兩種規(guī)格，分辨率高，準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性好；

JT - 2000 UV 納米壓印光刻膠，耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿，耐高溫達(dá) 250°C，長(zhǎng)期可靠性高，粘接強(qiáng)度高，重量 100g；

LCD 正性光刻膠 YK - 200，具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力，重量 100g；

半導(dǎo)體正性光刻膠 YK - 300，具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性，重量 100g；

耐腐蝕負(fù)性光刻膠 JT - NF100，重量 1L。 北京光刻膠工廠

標(biāo)簽： 錫膏 光刻膠 錫片