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RF)微波和毫米波應用，設計和開發(fā)高性能集成電路、模塊和子系統(tǒng)。這些應用包括蜂窩、光纖和衛(wèi)星通信，以及醫(yī)學及科學成像、工業(yè)儀表、航空航天和防務電子。憑借近30年的經(jīng)驗和創(chuàng)新實踐，Hittite在模擬、數(shù)字和混合信號半導體技術領域有著深厚的積淀，從器件級到完整子系統(tǒng)的設計和裝配，覆蓋面十分。HittiteMicrowave于2014年被AnalogDevices,Inc.（ADI）收購合并。但筆者還是更喜歡Hittite作為射頻微波器件的名稱，所以暫不更改稱呼^_^。筆者本人并沒用用過Hittite的WiFiPA，倒是用過其他頻段GainBlock和PA，查找其官方網(wǎng)站，似乎也只有一款P...

因此在寬帶應用中的使用并不。新興GaN技術的工作電壓為28V至50V，優(yōu)勢在于更高功率密度及更高截止頻率(CutoffFrequency，輸出訊號功率超出或低于傳導頻率時輸出訊號功率的頻率)，擁有低損耗、高熱傳導基板，開啟了一系列全新的可能應用，尤其在5G多輸入輸出(MassiveMIMO)應用中，可實現(xiàn)高整合性解決方案。典型的GaN射頻器件的加工工藝，主要包括如下環(huán)節(jié)：外延生長-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場板制作-襯底減薄-襯底通孔等環(huán)節(jié)。GaN材料已成為基站PA的有力候選技術。GaN是極穩(wěn)定的化合物，具有強的原子鍵、高的熱導率、在Ⅲ-Ⅴ族化合物中電離度是高...

通過微處理器發(fā)出的第五控制信號和第六控制信號，控制電壓源檔位的切換，可切換第三mos管的柵極電壓，從而調節(jié)驅動放大電路的放大倍數(shù)。通過調節(jié)驅動放大電路的放大倍數(shù)使射頻功率放大器電路處于不同的增益模式中。第二電壓信號vcc用于給第二mos管和第三mos管的漏級供電，其中，通過微處理器控制vcc的大小。在一些實施例中，當?shù)诙os管和第三mos管的溝道寬度為2mm時，微控制器控制vcc為，控制電流源為12ma，控制電壓源為，使射頻功率放大器電路實現(xiàn)非負增益模式；微控制器控制vcc為，控制電流源為2ma，控制電壓源為，使射頻功率放大器電路實現(xiàn)負增益模式。顯然，可以設置更多的電壓源的檔位和電流...

比如橫豎屏切換、相關游戲、磁力計姿態(tài)校準)、振動識別相關功能(比如計步器、敲擊)等；至于終端還可配置的陀螺儀、氣壓計、濕度計、溫度計、紅外線傳感器等其他傳感器，在此不再贅述。音頻電路406、揚聲器，傳聲器可提供用戶與終端之間的音頻接口。音頻電路406可將接收到的音頻數(shù)據(jù)轉換后的電信號，傳輸?shù)綋P聲器，由揚聲器轉換為聲音信號輸出；另一方面，傳聲器將收集的聲音信號轉換為電信號，由音頻電路406接收后轉換為音頻數(shù)據(jù)，再將音頻數(shù)據(jù)輸出處理器408處理后，經(jīng)rf電路401以發(fā)送給比如另一終端，或者將音頻數(shù)據(jù)輸出至存儲器402以便進一步處理。音頻電路406還可能包括耳塞插孔，以提供外設耳機與終端的通...

本申請實施例涉及但不限于射頻前端電路，尤其涉及一種射頻功率放大器電路及增益控制方法。背景技術：射頻前端系統(tǒng)中的功率放大器(poweramplifier，pa)一般要求發(fā)射功率可調，當pa之前射頻收發(fā)器的輸出動態(tài)范圍有限時，就要求功率放大器增益高低可調節(jié)。在廣域低功耗通信的應用場景中，對射頻功率放大器電路的增益可調要求變得更突出，其動態(tài)范圍要達到35～40db，并出現(xiàn)負增益的需求模式。相關技術中通常通過反饋電路提供的負反饋來對增益進行調節(jié)，但是反饋電路只能增加或減少增益，而不能實現(xiàn)負增益，無法滿足射頻功率放大器電路的負增益需求。技術實現(xiàn)要素：有鑒于此，本申請實施例提供一種射頻功率放大器電...

其中：串聯(lián)電感l(wèi)用于匹配并聯(lián)到地支路中的sw1在關閉狀態(tài)的寄生電容，減少對后級驅動放大電路的輸入匹配電路的影響。在負增益模式下，sw1處在導通狀態(tài)，電阻r主要承擔對射頻輸入功率分流后的衰減，sw1主要負責射頻輸入支路端與接地端(gnd)的導通。若系統(tǒng)要求的增益很低，r也可以省略，用sw1自身導通時寄生的電阻吸收和衰減射頻功率。這里的開關可以用各種半導體工藝實現(xiàn)，如互補金屬氧化物半導體(complementarymetaloxidesemiconductor，cmos)，絕緣體上硅(silicononinsulator，soi)cmos管，pin二極管等，其中，pin表示：在p和n半導體...

實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負增益模式；其中，偏置電路與驅動放大電路連接，第二偏置電路與功率放大電路連接。其中，如圖7所示，偏置電路1020包括：第二mos管t2、第三mos管t3、第六mos管t6、電流源ib、電壓源vg、第六電阻r6、第七電阻r7、第八電阻r8、第九電阻r9、第二電容c2、第七電容c7、第十二電容c12、第十三電容c13。第二mos管的漏極電流偏置電路由電流源、第六mos管、第六電阻、第七電阻和第十二電容按照圖7所示連接而成。第六電阻、第七電阻和第十二電容組成的t型網(wǎng)絡，可以起到隔離輸入信號的作用。第二mos管的寬長比w/l是第六mos管的寬長比的c(c遠大于1)倍，...

vgs是指柵源電壓，vth是指閾值電壓。開關關斷的寄生電容：coff＝fom/ron。其中fom為半導體工藝商提供的開關ron與coff乘積，單位為fs(飛秒)。另，w/l較大，發(fā)生esd時有利于能提供直接的低阻抗電流泄放通道。用兩個sw疊加，相對單sw，能在esd大電流下保護sw的mos管不被損壞。當可控衰減電路的sw使用了疊管設計，兩個開關sw1和sw2的控制邏輯是一樣的：(1)非負增益模式下，sw1和sw2同時關斷；(2)負增益模式下，sw1和sw2同時打開。本申請實施例中的sw1和sw2在應用中可以采用絕緣體上硅(silicononinsulator，soi)cmos管，也可以...

1)中降低增益的設計方案一般包括輸入匹配電路101、驅動放大級電路102、反饋電路103、級間匹配電路104、功率放大級電路105和輸出匹配電路106。其中，輸入匹配電路101由l2、c1和r3串聯(lián)組成；驅動放大級電路102由mosfett2和t3疊加構成共源共柵結構，t3的柵極通過c2射頻接地；反饋電路103由r4和c4串聯(lián)，跨接在t2柵極和t3漏極之間組成；級間匹配電路104由l3、c7和c8組成；功率放大級電路105由mosfett4和t5疊加構成共源共柵結構，t5的柵極通過c6射頻接地。輸出匹配電路106由l4、l5、c10和c11組成。注意t2和t4組成電流偏置電路(電流鏡形...

具體地，第二pmos管mp01的源極通過電阻r13接電源電壓vdd。第二nmos管mn18的柵極與第二pmos管mp01的柵極連接后與nmos管mn17的漏極連接。第三nmos管mn19的漏極與第三pmos管mp02的漏極連接，第三nmos管mn19的源極接地，第三pmos管mp02的源極接電源電壓，第三nmos管mn19的柵極與漏極連接，第三pmos管mp02的柵極和漏極連接。第二nmos管mn18的漏極與第二pmos管mp01的漏極的公共端記為連接點a，第三nmos管mn19的漏極與第三pmos管mp02的漏極的公共端記為第二連接點b，連接點a與第二連接點b連接,第二連接點b通過電...

LX5535+LX5530出現(xiàn)在AtherosAP96高功率版本參考設計中，F(xiàn)EM多次出現(xiàn)在無線網(wǎng)卡參考設計中。LX5518則是近年應用較多的一款高功率PA，與后文即將出現(xiàn)的SkyworksSE2576十分接近。毫不夸張地講，MicrosemiLX5518與SkyworksSE2576占據(jù)了。LX5518的強悍性能如下圖所示。RFaxisRFaxis是一家相對較新的射頻半導體公司，成立于2008年1月，總部設于美國加州，專業(yè)從事射頻半導體的設計和開發(fā)。憑借其獨有的技術，RFaxis公司專為數(shù)十億美元的Bluetooth、WLAN、、ZigBee、AMR/AMI和無線音頻/視頻市場設計的...

nmos管mn11的漏極連接電容c11，nmos管mn12的漏極連接電容c12。nmos管mn11的漏極和nmos管mn12的漏極為第二主體電路中激勵放大器的輸出端。變壓器副邊的中端和第二變壓器副邊的中端分別通過電阻連接偏置電壓，偏置電壓用于為激勵放大器中的共源放大器提供偏置電壓；激勵放大器柵放大器的柵極通過電阻接第二偏置電壓。如圖3所示，變壓器t0副邊的中端通過電阻r01接偏置電壓vbcs_da，第二變壓器t03副邊的中端通過電阻r06接偏置電壓vbcs_da，偏置電壓vbcs_da用于為nmos管mn01、nmos管nm02、nmos管mn09、nmos管mn10提供偏置電壓。nm...

因為這些特性，GaAs器件被應用在無線通信、衛(wèi)星通訊、微波通信、雷達系統(tǒng)等領域，能夠在更高的頻率下工作，高達Ku波段。與LDMOS相比，擊穿電壓較低。通常由12V電源供電，由于電源電壓較低，使得器件阻抗較低，因此使得寬帶功率放大器的設計變得比較困難。GaAsMESFET是電磁兼容微波功率放大器設計的常用選擇，在80MHz到6GHz的頻率范圍內的放大器中被采用。GaAs贗晶高電子遷移率晶體管（GaAspHEMT）GaAspHEMT是對高電子遷移率晶體管（HEMT）的一種改進結構，也稱為贗調制摻雜異質結場效應晶體管（PMODFET），具有更高的電子面密度（約高2倍）；同時，這里的電子遷移率...

將從2019年開始為GaN器件帶來巨大的市場機遇。相比現(xiàn)有的硅LDMOS（橫向雙擴散金屬氧化物半導體技術）和GaAs（砷化鎵）解決方案，GaN器件能夠提供下一代高頻電信網(wǎng)絡所需要的功率和效能。而且，GaN的寬帶性能也是實現(xiàn)多頻帶載波聚合等重要新技術的關鍵因素之一。GaNHEMT（高電子遷移率場效晶體管）已經(jīng)成為未來宏基站功率放大器的候選技術。由于LDMOS無法再支持更高的頻率，GaAs也不再是高功率應用的優(yōu)方案，預計未來大部分6GHz以下宏網(wǎng)絡單元應用都將采用GaN器件。5G網(wǎng)絡采用的頻段更高，穿透力與覆蓋范圍將比4G更差，因此小基站（smallcell）將在5G網(wǎng)絡建設中扮演很重要的角色。不...

將射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與預設的配置狀態(tài)電阻值作比較，可以得知此時射頻功率放大器是否已完成配置。104、所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等，開啟所述射頻功率放大器。例如，射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即此時射頻功率放大器的電阻值，此時射頻功率放大器的電阻值與配置狀態(tài)的電阻值不相同，則表示此射頻功率放大器還沒有開啟，移動終端開啟此射頻功率放大器。其中，射頻功率放大器的開啟與關閉由處理器控制。105、所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等，所述射頻功率放大器配置完成。例如，射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即此時射頻功率放大器的電阻值，此時...

輸出則是方波信號，產生的諧波較大，屬于非線性功率放大器，適合放大恒定包絡的信號，輸入信號通常是脈沖串類的信號。C類放大器的優(yōu)點與A類放大器相比，功率效率提高。與A類放大器相比，可以低價獲得射頻功率。風冷即可，他們使用的冷卻器比A類更輕。C類放大器的缺點脈沖射頻信號放大。窄帶放大器。通過以上介紹可以看出，作為射頻微波功率放大器采用的半導體材料，有許多種類，每種都有其各自的特點和適用的功率和頻率范圍，隨著半導體技術的不斷發(fā)展，使得更高頻率和更高功率的功放的實現(xiàn)成為可能并且越來越容易實現(xiàn)。作為EMC領域的常用的射頻微波功率放大器的幾個類別，每種也都有其各自的優(yōu)缺點和適用的場合。在實際的EMC...

因為設計的可控衰減電路中電感的品質因數(shù)q較低，因此頻選特性不明顯，頻率響應帶寬較寬，帶來的射頻信號的插入損耗相對較小。負增益模式下的回波損耗和頻率響應帶寬也能滿足要求。假設fh為上限頻率，fl為下限頻率，fo為中心頻率；且有：fh＝900mhz，fl＝600mhz，fo＝800mhz，回波損耗大于15db，頻率響應的帶寬可達到300mhz以上，相對帶寬可達到(fh-fl)/fo＝(900-600)/800＝％。下面再提供一種采用可控衰減電路和輸入匹配電路的結構，如圖5b所示，在該結構中的可控衰減電路的電阻r1可以變?yōu)殚_關sw2，增強了對射頻輸入端口rfin的esd保護能力。本申請實施例...

射頻前端集成電路領域，具體涉及一種高線性射頻功率放大器。背景技術：射頻功率放大器的主要參數(shù)是線性和效率。線性是表示射頻功率放大器能否真實地放大信號的參數(shù)。諸如lte和，要求射頻前端模塊具有極高的線性度，射頻功率放大器作為一個發(fā)射系統(tǒng)中的重要組成部分，對整個系統(tǒng)的線性度起著至關重要的作用。目前采用cmos器件的射頻功率放大器適用于和其他通信部分電路做片上集成，但是難以嚴格地滿足線性度需求。技術實現(xiàn)要素：為了解決相關技術中射頻功率放大器的線性度難以滿足需求的問題，本申請?zhí)峁┝艘环N高線性射頻功率放大器。技術方案如下：一方面，本申請實施例提供了一種高線性射頻功率放大器，包括功率放大器、激勵放大...

將從2019年開始為GaN器件帶來巨大的市場機遇。相比現(xiàn)有的硅LDMOS（橫向雙擴散金屬氧化物半導體技術）和GaAs（砷化鎵）解決方案，GaN器件能夠提供下一代高頻電信網(wǎng)絡所需要的功率和效能。而且，GaN的寬帶性能也是實現(xiàn)多頻帶載波聚合等重要新技術的關鍵因素之一。GaNHEMT（高電子遷移率場效晶體管）已經(jīng)成為未來宏基站功率放大器的候選技術。由于LDMOS無法再支持更高的頻率，GaAs也不再是高功率應用的優(yōu)方案，預計未來大部分6GHz以下宏網(wǎng)絡單元應用都將采用GaN器件。5G網(wǎng)絡采用的頻段更高，穿透力與覆蓋范圍將比4G更差，因此小基站（smallcell）將在5G網(wǎng)絡建設中扮演很重要的角色。不...

5G時代，智能手機將采用2發(fā)射4接收方案，未來有望演進為8接收方案。功率放大器（PA）是一部手機關鍵的器件之一，它直接決定了手機無線通信的距離、信號質量，甚至待機時間，是整個射頻系統(tǒng)中除基帶外重要的部分。5G將帶動智能移動終端、基站端及IOT設備射頻PA穩(wěn)健增長。功率放大器市場增長相對穩(wěn)健，復合年增長率為7%，將從2017年的50億美元增長到2023年的70億美元。LTE功率放大器市場的增長，尤其是高頻和超高頻，將彌補2G/3G市場的萎縮。15G智能移動終端，射頻PA的大機遇5G推動手機射頻PA量價齊升無論是在基站端還是設備終端，5G給供應商帶來的挑戰(zhàn)都首先體現(xiàn)在射頻方面，因為這是設備“上”網(wǎng)...

需要滿足：r20+r30＝r0，x20+x30＝x0，在zin和z30已知的情況下，可以計算得到r20和x20，進一步的，在第二電阻和開關的參數(shù)已知的情況下，可以計算得到電感的參數(shù)值。因為加入輸入匹配電路后的等效阻抗z20+z30與輸入阻抗zin能實現(xiàn)較好的匹配，因此，輸入端的回波損耗可滿足要求。其中，因為電感集成于硅基芯片上，所以，電感的品質因數(shù)一般不大于5。因為電感的品質因數(shù)小，因此在非負增益模式下，可控衰減電路的頻選特性不明顯，頻率響應帶寬較寬。在負增益模式下，回波損耗和頻率響應帶寬也能滿足要求。在一個可能的示例中，驅動放大電路102包括：第二電容c2、第二mos管t2和第三mo...

令rj為射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，rj＝vgpio*r0/(vdd-vgpio)；vgpio為處理器引腳的電壓值，vdd為電源電壓，r0為計算電阻的電阻值。計算電阻r0的電阻值已知，本申請對于計算電阻r0的電阻值的設置不作限定，計算電阻r0用于計算射頻功率放大模塊的電阻值。圖2為本申請實施例提供的射頻功率放大器檢測電路的連接示意圖。請參閱圖2，以四個射頻功率放大器并聯(lián)為例，計算電阻201的一端與電源電壓vdd相連，計算電阻201的另一端與射頻功率放大器211、212、213和214并聯(lián)而成的一端相連，射頻功率放大器211、212、213和214并聯(lián)而成的另一端與接地端相連，計算電...

PartNumberFrequencyGainOIP3P1dBSKY85004-1129SE2623L-RTBD—TBDSE2622LSKY65900-11TBD34SKY65174-2135——SKY65162-70LFSKY6513126—28SE2623L33—32SE2609L28—28SE2605L33—32SE2604L32—30SE2598L28—SE2597L28—SE2576L33—32SE2574L28—25SE2574BL-R27—25SE2568U27—252725SE2568L27—252725SE2565T31—30SE2528L33—34SE2527L33...

使射頻功率放大器電路實現(xiàn)負增益模式?？梢?，通過微控制器可控制第二mos管和第四mos管的漏級電流、第三mos管和第五mos管的門級電壓，進而可調節(jié)驅動放大電路和功率放大電路的放大倍數(shù)，從而實現(xiàn)對射頻功率放大器電路的增益的線性調節(jié)。根據(jù)上述實施例可知，若需要使射頻功率放大器電路為非負增益模式，需要微控制器控制開關關斷，控制第二開關關斷，控制偏置電路使第二mos管的漏級電流和第三mos管的柵級電壓均變大，控制第二偏置電路使第四mos管的漏級電流和第五mos管的柵級電壓均變大。其中，第二開關關斷時，反饋電路的放大系數(shù)af較大，有助于輸入信號的放大，偏置電路和第二偏置電路中漏極電流、門極電壓、...

并對漏級供電電壓vcc進行控制，從而使偏置電路中漏級電流、柵級電壓變大，使射頻功率放大器電路的整體增益滿足要求。本發(fā)明實施例提供的技術方案具有以下優(yōu)點：在信號的輸入端設計可變衰減電路，在實現(xiàn)射頻功率放大器電路負增益的同時，對非負增益模式下該電路性能的影響很小，并且加強了對輸入端口的靜電保護，電路結構簡單，占用芯片面積小，能有效的降低硬件成本。本發(fā)明實施例還提供了一種增益控制方法，應用于上述實施例中的的射頻功率放大器電路，包括：終端中的微控制器通過通信模組接收到控制信息后，確定射頻功率放大器電路的工作模式，并通過發(fā)送模式控制信號控制射頻功率放大器電路進入工作模式；可控衰減電路，根據(jù)終端中...

本發(fā)明涉及通信技術領域，尤其涉及一種射頻功率放大器及通信設備。背景技術：在無線通信中，用戶設備需要支持的工作頻段很多。尤其是第四代蜂窩移動通信(lte)中，用戶設備需要支持40多個工作頻帶(band)。而寬帶功率放大器(poweramplifier，pa)的性能會隨著工作頻率變化，難以實現(xiàn)很寬的功率頻率范圍。lte工作頻率一般分為低頻段(lb，663mhz～915mhz)，中頻段(mb，1710mhz～2025mhz)，高頻段(hb，2300mhz～2696mhz)。lte射頻前端也包含lb、mb、hb三個pa，每個功率放大器支持一個頻段，需要三個寬帶pa。尤其是lb的相對頻率帶寬，p...

需要滿足：r20+r30＝r0，x20+x30＝x0，在zin和z30已知的情況下，可以計算得到r20和x20，進一步的，在第二電阻和開關的參數(shù)已知的情況下，可以計算得到電感的參數(shù)值。因為加入輸入匹配電路后的等效阻抗z20+z30與輸入阻抗zin能實現(xiàn)較好的匹配，因此，輸入端的回波損耗可滿足要求。其中，因為電感集成于硅基芯片上，所以，電感的品質因數(shù)一般不大于5。因為電感的品質因數(shù)小，因此在非負增益模式下，可控衰減電路的頻選特性不明顯，頻率響應帶寬較寬。在負增益模式下，回波損耗和頻率響應帶寬也能滿足要求。在一個可能的示例中，驅動放大電路102包括：第二電容c2、第二mos管t2和第三mo...

令rj為射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，rj＝vgpio*r0/(vdd-vgpio)；vgpio為處理器引腳的電壓值，vdd為電源電壓，r0為計算電阻的電阻值。計算電阻r0的電阻值已知，本申請對于計算電阻r0的電阻值的設置不作限定，計算電阻r0用于計算射頻功率放大模塊的電阻值。圖2為本申請實施例提供的射頻功率放大器檢測電路的連接示意圖。請參閱圖2，以四個射頻功率放大器并聯(lián)為例，計算電阻201的一端與電源電壓vdd相連，計算電阻201的另一端與射頻功率放大器211、212、213和214并聯(lián)而成的一端相連，射頻功率放大器211、212、213和214并聯(lián)而成的另一端與接地端相連，計算電...

gr為基站的接收機天線增益，單位為分貝；rs為接收機靈敏度，是在可接受的信噪比(signaltonoiseratio，snr)情況下，系統(tǒng)能探測到的小的射頻信號。rs的計算可以參見公式(3)：rs＝-174dbm/hz+nf+10logb+snrmin(3)；其中，-174dbm/hz為熱噪聲底限；nf為全部接收機噪聲，單位為分貝；b為接收機整體帶寬，snrmin則為小信噪比。一般來說，射頻功率放大器電路存在高功率模式(非負增益)，率模式(非負增益)和低功率模式(負增益)這三種模式。由于射頻收發(fā)器的線性功率輸出范圍為-35dbm～0dbm，因此，若超出這一范圍，信號將產生非線性。當射頻...

AB類放大器可以確保其諧波/失真性能足夠滿足EMC領域的需求，也就是它的線性度能滿足商業(yè)電磁兼容測試標準IEC61000-4-3和IEC61000-4-6的需求。AB類放大器為了線性度與B類放大器相比了一點效率，但相比A類放大器則具有高效率（理論上可達60%到65%）。AB類放大器的優(yōu)點：與A類放大器相比，功率效率提高。AB類放大器的設計可以使用比A類更少的器件，對于相同的功率等級和頻率范圍，體積更小，價格更便宜。使用風冷，比A類放大器的冷卻器要輕。AB類放大器的缺點：產生的諧波需要注意具體產品給出的指標，尤其是二次諧波，AB類放大器可以通過仔細調整偏置的設置和采用推挽拓補結構將諧波明...